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陈敬

作品数：32 被引量：16H指数：2
供职机构：香港科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 19篇晶体管
  • 10篇场效应
  • 9篇电子迁移率
  • 9篇迁移率
  • 9篇高电子迁移率
  • 9篇高电子迁移率...
  • 8篇沟道
  • 8篇半导体
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇栅极
  • 5篇氮化
  • 5篇氮化物
  • 5篇势垒
  • 5篇离子
  • 5篇漏极
  • 5篇化物
  • 5篇氟离子
  • 5篇HEMT
  • 4篇异质结
  • 4篇整流

机构

  • 32篇香港科技大学
  • 3篇杭州电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 32篇陈敬
  • 6篇周春华
  • 3篇程知群
  • 2篇王茂俊
  • 2篇陈万军
  • 2篇蔡勇
  • 2篇袁理
  • 2篇陈洪维
  • 1篇周玉刚
  • 1篇杨银堂
  • 1篇毛祥根
  • 1篇刘稚美
  • 1篇刘杰
  • 1篇李进
  • 1篇周肖鹏
  • 1篇段宝兴
  • 1篇谭松
  • 1篇杨树

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可靠性增强的III族氮化物半导体高电子迁移率晶体管及其制造方法
半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、p型掺杂氮化物半导体层、第一表面加固层及栅极电极。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上。源极电极及漏极电极设置于第二氮化物半导体层上。p型...
陈敬张力郑柘炀
文献传递
一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器(英文)被引量：2
2008年
设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器，采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N／Al0.05Ga0.95N／GaNHEMT（CC-HEMT）。给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果。测试结果显示低噪声分布式放大器在2～10GHz频率范围内，输入和输出端口驻波比均小于2．0，相关增益大于7．0dB，带内增益波纹小于1dB．在2～6GHz频率范围内，噪声系数小于5dB；在2～10GHz频率范围内，噪声系数小于6．5dB；测试结果与仿真结果较吻合。
程知群周肖鹏陈敬
关键词：低噪声分布式放大器复合沟道GANHEMTS
具有电压钳位节点和具有雪崩能力的GaN功率晶体管
提供一种具有本征雪崩能力的半导体器件。该半导体器件包括工程体硅(EBUS)衬底和形成在EBUS衬底上方的半导体异质结构，该EBUS衬底具有第一硅层和形成在第一硅层上方的第二硅层。半导体异质结构包括高压侧(HS)晶体管和低...
陈敬吕纲
集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统
本发明提供一种集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统。本发明公开了基于GaN或其它类似半导体材料的集成高效率横向场效应整流器和HEMT的器件、这种集成器件的制造方法及包括这种集成器件的系统。所述横向场效应整流器...
陈敬陈万军周春华
文献传递
具有片上集成光子源或光子欧姆漏极以促进被俘获于晶体管的深陷阱中的电子脱陷的晶体管
本申请提供了一种利用来自片上光子源的光子对GaN电子器件中的深陷阱进行抽吸的技术。在各个实施例中，利用配置为在高电子迁移率晶体管操作期间产生光子的片上集成光子源来提供对GaN高电子迁移率晶体管中的深陷阱进行光学抽吸的方法...
陈敬李百奎唐曦
文献传递
常关断型三族氮化物金属-二维电子气隧穿结场效应晶体管
本发明提供了制造异质结AlGaN/GaN金属二维电子气（2DEG）隧穿结场效应晶体管（TJ-FET）的结构，器件和方法。一方面，金属-2DEG肖特基隧穿结可以被用在三族氮化物场效应器件上以实现常关断工作模式，大击穿电压，...
陈敬袁理陈洪维周春华
文献传递
可靠的常关型Ⅲ-氮化物有源器件结构及相关方法和系统
本发明提供了可靠的常关型Ⅲ-氮化物有源器件结构及相关方法和系统。一种场效应晶体管，包括：第一栅极；第二栅极，按照共源共栅配置保持在基本上固定电势；以及半导体沟道。该半导体沟道包含增强模式部分和耗尽模式部分。该增强模式部分...
陈敬
文献传递
利用氟基等离子注入对AlGaN/GaN HEMT阈值电压的控制技术：从常开器件到常关器件
近年来,我们发明了在氮化异质结场效应管中利用氟离子注入进行电势和电荷调制的技术,该技术为获得理想器件性能以及制造理想结构的集成电路开拓了无数机遇。氟等离子注入技术最深远的意义在于它提供了具有低开肩电阻和高击穿电压的自对准...
陈敬
关键词：阈值电压化合物半导体异质结场效应管
文献传递
具有集成的栅极驱动器的功率器件
一种具有高驱动速度、增强的驱动能力和轨到轨输出(rail‑to‑rail output)的自举集成栅极驱动器电路。电容器(120)和二极管(118)与耦接到控制信号输入端子的第一反相器(102)、耦接到第一反相器(102...
陈敬唐高飞
可靠的常关型Ⅲ－氮化物有源器件结构及相关方法和系统
本发明提供了可靠的常关型III－氮化物有源器件结构及相关方法和系统。一种场效应晶体管，包括：第一栅极；第二栅极，按照共源共栅配置保持在基本上固定电势；以及半导体沟道。该半导体沟道包含增强模式部分和耗尽模式部分。该增强模式...
陈敬
文献传递
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