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陈溪滢

作品数：12 被引量：14H指数：3
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家杰出青年科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 10篇砷化镓
  • 6篇钝化
  • 4篇砷化镓表面
  • 3篇钝化膜
  • 3篇硫钝化
  • 3篇GAS
  • 3篇GAAS
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇砷化镓材料
  • 2篇自体
  • 2篇镓化合物
  • 2篇微波放电
  • 2篇晶片
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘性
  • 2篇绝缘性能
  • 2篇化合物
  • 1篇淀积
  • 1篇异质结

机构

  • 12篇复旦大学
  • 1篇东北林业大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 12篇陈溪滢
  • 11篇曹先安
  • 11篇侯晓远
  • 11篇丁训民
  • 4篇王迅
  • 3篇朱炜
  • 2篇胡海天
  • 2篇李哲深
  • 2篇袁泽亮
  • 2篇张胜坤
  • 1篇陆昉
  • 1篇陈良尧
  • 1篇缪熙月
  • 1篇陈效建
  • 1篇杨建树
  • 1篇钱峰
  • 1篇陆尔东
  • 1篇王杰
  • 1篇苏润洲
  • 1篇曹华

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 1篇复旦学报（自...
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 2篇2000
  • 2篇1998
  • 7篇1997
  • 1篇1996
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究被引量：3
1997年
本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选择低浓度的钝化液（＜20％）在较低的室温下进行，而S2Cl2作为GaAs外延预处理手段则选用较高浓度的溶液在较短时间内完成可以得到较好的效果；对于以上两种情形，溶液温度一般控制在20℃以下．
曹先安陈溪滢李喆深丁训民侯晓远
关键词：砷化镓腐蚀速率
砷化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法
一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S<S...
侯晓远陈溪滢曹先安朱炜李喆深丁训民王迅
文献传递
GaAs(100)面上气相淀积生长GaS钝化膜
1998年
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。
曹先安胡海天丁训民陈溪滢袁泽亮李哲深侯晓远
关键词：气相淀积砷化镓钝化膜
存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究
1997年
提出用高频C－V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响．用这一方法对GaS／GaAs和Znse／GaAs两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ec-0.41eV,Ec-0．51eV．
张胜坤陆昉陈溪滢孙恒慧
关键词：异质结界面态密度
砷化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后，虽然提高了其性能，但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源，真空淀积钝化过的砷化镓及其器件，形成钝化后的保护膜，方便简便，效果良好，使长...
曹先安陈溪滢李喆深丁训民侯晓远王迅
文献传递
中性(NH_4)_2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究被引量：5
1998年
采用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）结合扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和称量法，研究了中性（ＮＨ４）２Ｓ溶液钝化ＧａＡｓ（１００）表面，并与常规（ＮＨ４）２Ｓ碱性溶液钝化方法进行了比较．ＳＲＰＥＳ结果表明该处理方法可以产生较厚的Ｇａ硫化物层和较强的Ｇａ—Ｓ键，Ｇａ的硫化物有好的稳定性．称量法表明该方法有更低的腐蚀速率．ＳＥＭ结果表明该方法钝化处理的ＧａＡｓ表面所产生的腐蚀坑数目少，直径小．
袁泽亮丁训民胡海天李哲深杨建树缪熙月陈溪滢曹先安侯晓远陆尔东徐世红徐彭寿张新夷
关键词：SEM表面钝化砷化镓
GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法被引量：1
1996年
本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．
陈溪滢曹华徐前江王杰朱炜曹先安张甫龙丁训民侯晓远陆明
关键词：砷化镓表面
GaS/GaAs界面电学性质研究被引量：4
1997年
报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面生长ＧａＳ薄膜．用电容电压法（ＣＶ）、伏安法（ＩＶ）以及深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）等测试手段对ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的电学性质进行了研究．ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的ＣＶ特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为１０１２／（ｃｍ２·ｅＶ）．ＤＬＴＳ的测试得到了与其一致的结果．另外，从ＩＶ曲线中漏电流的大小。
陈溪滢丁训民张胜坤张博陆方曹先安朱炜侯晓远
关键词：砷化镓器件
砷化镓表面钝化膜的自体生长方法
一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S<S...
侯晓远陈溪滢曹先安朱炜李喆深丁训民王迅
文献传递
GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化被引量：3
1997年
本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响．这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺．
曹先安陈溪滢李喆深苏润洲丁训民侯晓远钱峰姚晓峨陈效建
关键词：硫钝化砷化镓HBT
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共2页<12>
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