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陈直

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:上海理工大学光电信息与计算机工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇波导
  • 2篇能级
  • 2篇微量锡
  • 2篇响应速度
  • 2篇硫化砷
  • 2篇薄膜波导
  • 1篇单模
  • 1篇单模波导
  • 1篇单偏振
  • 1篇电光
  • 1篇电光开关
  • 1篇偏振
  • 1篇铌酸锂
  • 1篇集成光学
  • 1篇光波
  • 1篇光波导技术
  • 1篇光开关
  • 1篇光学
  • 1篇LINBO
  • 1篇波导技术

机构

  • 4篇上海理工大学
  • 1篇南昌大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇日本法政大学
  • 1篇东京农工大学

作者

  • 4篇陈直
  • 4篇陈抱雪
  • 3篇杜丽萍
  • 3篇孙蓓
  • 3篇浜中广见
  • 3篇隋国荣
  • 1篇矶守
  • 1篇邹林儿
  • 1篇李倩

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇光学仪器

年份

  • 2篇2009
  • 2篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
LiNbO_3基Sn-As_2S_8单偏振单模波导电光开关的设计被引量:1
2009年
掺锡非晶态硫化砷(Sn-As_2S_8)半导体具有独到的光阻断效应,与电光效应晶体结合有望构成新的功能器件。为此提出了一种以铌酸锂(LiNbO_3)为基板、以Sn-As_2S_8半导体为导波的马赫一曾德干涉型电光开关的方案。阐述了器件设计的理论和方法,设计了LiNbO_3基Sn-As_2S_8单偏振单模波导,对3dB定向耦合器做了取点扫描法优化设计,对电压与电极长度之间的关系进行了定量计算。器件经三维BPM仿真表明,在外加电压on和off的情况下,输出端口可分别实现(0.14±0.06)%和(99.95±0.02)%的耦合效率,显示出良好的电光开关功能。
陈直陈抱雪隋国荣李倩
关键词:集成光学光开关铌酸锂
具有高速光阻断效应的硫化砷波导及其制造方法
本发明涉及一种具有高速光阻断效应的硫化砷波导,所述硫化砷波导由一块衬底基板以及在其上表面覆盖的一层掺锡硫化砷薄膜组成,通过在As<Sub>2</Sub>S<Sub>8</Sub>基质材料中掺入微量锡元素的手段,使得隙内能...
陈抱雪隋国荣浜中广见杜丽萍孙蓓陈直
文献传递
具有高速光阻断效应的硫化砷波导及其制造方法
本发明涉及一种具有高速光阻断效应的硫化砷波导,所述硫化砷波导由一块衬底基板以及在其上表面覆盖的一层掺锡硫化砷薄膜组成,通过在As<Sub>2</Sub>S<Sub>8</Sub>基质材料中掺入微量锡元素的手段,使得隙内能...
陈抱雪隋国荣浜中广见杜丽萍孙蓓陈直
文献传递
掺杂As2S8非晶态薄膜波导的光阻断效应被引量:4
2008年
实验研究了未掺杂和低浓度掺锡和掺磷的As2S8薄膜波导的光阻断效应,提供了三种样品的光阻断响应曲线、室温退激实验数据和光谱测试数据.结果表明,掺锡样品可以明显提升毫秒级响应的快过程恢复作用,同时还具有减少残留传输损耗的效果,掺磷的效果则相反.结合实验结果给出了分析讨论.
杜丽萍陈抱雪孙蓓陈直邹林儿浜中广见矶守
关键词:光波导技术掺杂
共1页<1>
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