高巧君
- 作品数：16 被引量：32H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信自然科学总论更多>>
- 烧结金刚石聚晶体的表面金属化被引量：3
- 1990年
- 本文分析了烧结金刚石聚晶体的表面形貌,它是由不同粒度(5～50μm)的金刚石、少量金属粘结剂及反应生成的碳化物组成,表面很粗糙。作者运用所发明的“金刚石表面金属化技术”,结合聚晶体表面特征、研制成功与聚晶体表面有界面反应、结合紧密的金属化表层,层厚3～10μm。该层有良好的可焊性,可以施加常规的锡焊、银焊和铜焊,并与一般金属粉末有良好的烧结性。
- 林增栋高巧君
- 关键词：金刚石金属化
- C_(60)和金刚石单晶体的电子显微镜研究被引量：2
- 1992年
- 用直流电弧放电法制备 C_(60)时在负电极石墨棒上长了一些硬度较高的灰色物质。我们发现在这种电极上有两种类型浅绿色的小晶体,晶粒尺寸约为几百微米。电子衍射结构分析数据分别和金刚石及面心立方 C_(60)单晶衍射数据吻合。金刚石单晶有较好的晶形,在两种类型晶体上都观察到生长台阶。这些小晶体在石墨电极上起了弥散强化作用。
- 高巧君袁洪董建军钱久信周锡煌顾镇南
- 关键词：C60金刚石晶体生长电子衍射
- ＣＶＤ金刚石工具膜生长特征ＳＥＭ观察
- 高巧君彭晓芙
- 关键词：金刚石化学气相沉积
- 钨针尖上的C_(60)和金刚石
- 1992年
- 本实验用直流电弧等离子体化学气相沉积法在钨针尖上沉积金刚石.电子衍射结构分析发现在这些样品中存在两种类型的电子衍射花样:一种是我们所期待的金刚石单晶衍射斑式多晶衍射环,这种类型占绝大之数;另一种与C_(60)单晶衍射斑相吻合.结合我们在用直流电弧等离子体制备C_(60)时发现负石墨电极上存在金刚石单晶微粒,本文对钨针尖上生长C_(60)的条件进行了讨论.实验中,我们用场离子显微镜观察了金刚石原子像,它沿〈111〉方向优先生长.
- 袁洪高巧君
- 关键词：金刚石
- 低Ti含量Sn-Ti合金与人造金刚石界面微观结构的电子显微镜观察
- 金刚石以其无与伦比的高硬度广泛应用于制造各种工具,但对合金与金刚石界面微观结构的研究还不多。本文从低Ti含量Sn—Ti合金入手,用真空沉积的方法,将不同含Ti量的合金分别沉积在金刚石(100)与(111)面上,经不同温度...
- 高巧君邹晓冬史亦伟张惠珍
- 文献传递
- 金刚石和石墨单晶表面覆盖沉积铬的研究被引量：7
- 1990年
- 本文用X射线及电子衍射结构分析对金刚石和石墨单晶表面覆盖沉积铬进行了研究。将细颗粒金刚石或者高定向石墨片埋在经真空去气处理的电解铬粉中,在10^(-5)—10^(-6)Torr真空条件下,经高于900℃热处理,在金刚石及高定向石墨表面外延生长了Cr_3C_2和Cr_7C_3。 对碳化铬生长的条件及覆盖沉积外延生长的物理机制进行了讨论。
- 高巧君王胜强林汀胡毅飞林增栋
- 关键词：金刚石石墨碳化铬
- 在强碳化物形成元素衬底上生长金刚石薄膜的物理机制探索被引量：2
- 1992年
- 作者在研究金刚石表面金属化机理中发现,该物理过程是用化学气相沉积(CVD)方法在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的逆物理过程。推断在强碳化物形成元素上,诸如WSi,Ta等,生长金刚石薄膜,其界面有相应的碳化物,诸如WC,SiC,TaC等出现,继而生长的金刚石薄膜实质是在相应的碳化物背底上择优取向成核生长的。从而揭示在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的物理机制是:W(Si,Ta)等→WC(SiC,TaC)等→金刚石薄膜。
- 高巧君林增栋
- 关键词：金刚石碳化物
- Bi2Sr2CaCu2O8+a在场离子显微镜中的原子图象
- 几个月前Kellogg Melmed 观察到了YBaCuO的场离子显微镜(FIM)的原子像。88年4月我们得到了BiSrCaCuO的FIM原子图象。J.M.Tarascon 给出BiSrCaCuO的正交晶体结构模型见图1...
- 高巧君许胜勇张兆祥徐敢
- 文献传递
- 金刚石表面金属化技术被引量：6
- 1990年
- 林增栋高巧君
- 关键词：金刚石表面金属化
- 金刚石表面生成碳化铬的物理机制被引量：11
- 1991年
- 本文用粉末覆盖沉积法在金刚石表面生成了碳化铬。利用X射线及电子衍射结构分析,配合扫描电镜形貌观察,研究了磷化铬生成的动力学及在金刚石表面上生长的物理机制,从而揭示了金刚石表面金属化的机理。
- 高巧君胡毅飞林汀林增栋彭晓芙
- 关键词：金刚石表面金属化
