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高超

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：浙江大学材料与化学工程学院硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅片
  • 1篇位错
  • 1篇位错滑移
  • 1篇滑移
  • 1篇机械性能
  • 1篇硅片

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇杨德仁
  • 1篇高超
  • 1篇赵建江
  • 1篇马向阳
  • 1篇董鹏

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移被引量：4
2013年
研究了单晶硅片中维氏压痕诱生的位错在不同气氛下高温快速热处理中的滑移行为.研究表明:在快速热处理时,位错在压痕残余应力的弛豫过程中能发生快速滑移;当快速热处理温度高于1100℃时,在氮气氛下处理的硅片比在氩气氛下处理的硅片有更小的位错滑移距离.我们认为这是由于氮气氛下的高温快速热处理在压痕处注入的氮原子钉扎了位错,增加了位错的临界滑移应力,从而在相当程度上抑制了位错的滑移.可以推断氮气氛下的高温快速热处理注入的氮原子增强了硅片的机械强度.
徐嶺茂高超董鹏赵建江马向阳杨德仁
关键词：位错滑移机械性能单晶硅
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共1页<1>
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