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魏臻

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：天津理工大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电池
  • 1篇太阳电池
  • 1篇微晶硅
  • 1篇量子
  • 1篇量子限制效应
  • 1篇P型
  • 1篇P型掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇P
  • 1篇I

机构

  • 1篇南开大学
  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇魏臻
  • 1篇张楷亮
  • 1篇袁育杰
  • 1篇耿新华

传媒

  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
n-i-p微晶硅太阳电池中p型掺杂层对其性能的影响被引量：3
2010年
采用高压高功率RF-PECVD技术,研究了三个系列的p层微结构特性和光学特性对电池性能的影响,获得了适合n-i-p微晶硅太阳电池的p型掺杂层.实验结果表明,p层的微结构特性与电池性能密切相关,具有特定结构的p层能够使电池性能大幅度提高,获得转换效率为8.17%(Voc=0.49V,Jsc=24.9mA/cm2,FF=67%)的单结微晶硅太阳电池及转换效率为10.93%(Voc=1.31V,Jsc=13.09mA/cm2,FF=64%)的叠层太阳电池.
袁育杰张楷亮魏臻耿新华
关键词：微晶硅太阳电池量子限制效应
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共1页<1>
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