黄天斌
- 作品数：7 被引量：30H指数：3
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺电子电信更多>>
- 大面积无衬底自支撑金刚石厚膜沉积被引量：12
- 2000年
- 讨论了在采用直流电弧等离子体喷射CVD工艺沉积大面积无衬底自支撑金刚石厚膜时遇到的若干技术问题．在制备过程中经常出现的膜炸裂现象，主要是由于膜和衬底材料线膨胀系数差异引起的巨大热应力，而衬底表面状态的控制、沉积过程中工艺参数的优化和控制也是一个重要的因素．因此，必须对整个金刚石厚膜沉积过程进行严格而系统的控制，才能有效地保证获得无裂纹大面积金刚石自支撑厚膜．
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- 大面积金刚石膜沉积过程中的热应力分析被引量：1
- 2000年
- 应用实际工作状态的边界条件计算了金刚石膜中的热应力分布，并用实验手段进行 了验证．结果认为，金刚石膜的热应力沿径向是不均匀的，中间的热应力要比边部的大，主要是 压应力．这种很大的压应力，容易引起金刚石膜的炸裂．
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- 关键词：大面积金刚石膜热应力
- 大面积金刚石膜生长环境气氛的计算机模拟
- 2000年
- 建立了直流电弧等离子体喷射ＣＶＤ大面积金刚石沉积数学模型．对衬底上方等离子 体中的化学环境进行了模拟计算，并与在相同条件下对等离子体的光谱结果进行对比，发现计 算结果与实验结果基本上吻合．在模拟条件下ＣＨ基团可能是促使金刚石生长的主要活化基 因．模拟结果显示ＣＨ基因沿径向的均匀分布对大面积金刚石膜生长有较大的意义．
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- 关键词：大面积金刚石膜CVD计算机模拟
- 大面积金刚石膜的均匀沉积被引量：1
- 2000年
- 研究了大面积金刚石膜沉积过程中的均匀性问题和金刚石膜质量的均匀性问题．研究表明：用于生长金刚石膜的大面积磁旋转等离子体电弧是均匀的，能使气体混合均匀：金刚石膜在形核阶段是均匀的；金刚石膜在生长阶段是均匀的，有利于提高成膜几率：沉积后的金刚石膜的质量是均匀的．大面积磁控长通道等离子矩能生长均匀的金刚石膜，可用于金刚石膜的研究和工业生产，
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- 关键词：金刚石膜
- 金刚石膜氧化行为的TGA分析被引量：8
- 2000年
- 采用热重分析法 (TGA)对直流等离子体喷射制备的金刚石膜在空气中的氧化行为进行了研究 ,结果表明 :直流等离子体喷射制备的金刚石膜氧化激活能为 2 2 0kJ/mol,与天然金刚石的氧化激活能相当。用扫描电子显微镜 (SEM )和Raman光谱对金刚石膜氧化前后的形貌和成分作了分析。结果表明 :金刚石膜在空气中氧化优先刻蚀晶界和孔隙 ,孔隙不断增加 ,晶界瓦解 ,金刚石膜成为一个个柱状单晶粉末 ;
- 刘敬明黄天斌吕反修唐伟忠佟玉梅
- 关键词：金刚石膜热重分析法等离子喷涂
- 在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能的研究
- 1997年
- 本文对在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能进行了研究，通过研究找出了在铁氧体材料上镀铜厚膜的工艺条件与膜的性能的关系，从而确定出在铁氧体材料上镀铜厚膜的最佳工艺条件。在铁氧体材料上镀铜厚膜是一个新工艺，它对提高铁氧体移相器的性能将起到促进作用，对铁氧体移相器的加工技术将产生巨大变革。本论文实验采用了磁控溅射的方法来制作铜厚膜，独立地改变实验参数，得出了随各种实验参数变化的实验曲线。
- 黄天斌徐成海
- 关键词：铁氧体移相器
- 直流电弧等离子体喷射金刚石厚膜生长不稳定性问题被引量：8
- 2001年
- 采用高功率直流电弧等离子体CVD工艺制备了不同厚度的金刚石自支撑膜。观察到在金刚石厚膜生长过程中出现形貌不稳定性 ,并往往导致膜层组织疏松 ,强度降低。本文从理论和实验观察两个方面进行了讨论。生长不稳定性在任何高速沉积CVD过程中都可能发生 ,而直流电弧等离子体的高温造成碳源高饱和度以及高温等离子体射流对衬底表面的冲击 ,使之比其它CVD金刚石膜沉积工艺具有更大的不稳定生长倾向。基于实验研究结果 ,建议在较低的气体压力下沉积 。
- 吕反修黄天斌唐伟忠宋建华佟玉梅
- 关键词：化学气相沉积
