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零维Ge和一维ZnO纳米结构与器件: 当材料至少有一个维度在1-100纳米之间时,我们称之为纳米结构.纳米结构和相应的体材料相比,具有许多独特的性能和诱人的应用前景,引起了各国研究人员极大的关注.该论文采用电子束蒸发和热蒸发等技术分别制备了零维Ge和一维Zn...; 万青; 关键词：高K栅介质电子存储光致发光光敏感气敏传感器光催化降解; 文献传递

零维和一维半导体纳米结构被引量：5: 2004年; 介绍了几种零维和一维无机半导体纳米结构的制备及其应用。其中,零维无机半导体纳米结构以Si,Ge量子点为代表,一维无机半导体纳米结构以碳纳米管、硅纳米线、氧化锌纳米线和氮化镓纳米结构为代表,介绍了它们的制备和应用研究动态;最后分析了纳米技术的研究和抢占技术制高点的重要性。; 万青丰平王太宏; 关键词：量子点纳米晶纳米管纳米线

基于扫描探针技术的纳米表征新方法研究: 白雪冬裘晓辉陆兴华林峰邓珂郭延军梁学锦王晶郭阳单欣岩纪爱玲江南窦瑞芬许智麦立强于杰汪爱英曹鸿涛曾华荣万青李润伟陈斌; 该项目发展了基于扫描探针技术的高时空分辨和原位动态的纳米表征方法，主要包括动态谐振调频/调相原子力显微镜技术；超快激光耦合扫描隧道显微镜技术；透射电镜中的扫描探针技术；低温扫描探针近场光学显微镜和扫描探针热学-声学显微镜...; 关键词：; 关键词：显微镜扫描探针

以Al_2O_3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜被引量：3: 2002年; 为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为350-550oC。X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发Al2O3固态源能获得化学配比接近蒸发源的Al2O3薄膜。X射线衍射(XRD)测试说明,不论衬底是硅还是多晶金刚石,当衬底温度为550oC时,PZT在Al2O3过渡层上呈现(222)取向的焦绿石相结构。当衬底是金刚石时,通过如下工艺:(1)较低温度(350oC)淀积;(2)空气氛围650oC快速退火5min,可以在Al2O3过渡层上获得高度(101)取向的钙钛矿结构的铁电相PZT薄膜。最后AFM测试显示,在硅衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为9.78nm;而在多晶金刚石衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为17.2nm。; 万青王连卫邢朔章宁琳沈勤我林成鲁; 关键词：铁电薄膜过渡层 PZT PLD

一维ZnO纳米结构的电子场发射研究被引量：4: 2005年; 在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。; 丰平万青王太宏; 关键词：一维纳米结构纳米线平板显示

电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究被引量：1: 2003年; 应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～35nm的锥状纳米结构,并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。; 谢欣云万青林青沈勤我林成鲁; 关键词：场发射性能电子束蒸发原子力显微镜多孔硅

准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO_2薄膜结构和电学性能的研究被引量：8: 2003年; 采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ;讨论了薄膜结晶性能与其电学I V特性之间的关系。; 章宁琳宋志棠邢溯万青林成鲁; 关键词：ZRO2薄膜衬底温度电学性能

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