乔光利
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- PZT-5H导电缺口电致滞后开裂
- 2006年
- 研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律．结果表明,PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场E_F=14．7±3．2 kV/cm．如外加电场E＜EF,则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹,若保持恒电场E,电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂,滞后断裂的门槛电场E_(DF)= 9．9 kV/cm．如E＜EDF,在恒电场作用下电致微裂纹也能缓慢扩展,但试样不发生断裂．如E＜EK=4．9 kV/cm,则电致裂纹并不瞬时形核,只有在恒电场下经过一定的孕育期后电致裂纹才形核并扩展一定距离,但试样也不会发生断裂．如E＜E_(DF)=2．4 kV/cm,即使长时间施加电场,裂纹也不形核．导电裂纹的滞后形核和滞后断裂归因于恒电场下从缺口顶端发出的电荷密度随时间而增大,当外加电场小于电荷发射的门槛电场时不会发生电致裂纹的滞后形核．
- 乔光利宿彦京乔利杰褚武扬
