余远春
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：东华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
- EAST等离子体图像边界提取算法的改进被引量：2
- 2015年
- 本文采用快速CCD相机采集托卡马克装置的等离子体放电图像,根据等离子体放电的位置特点,采用基于Otsu阙值改良的Canny算法对等离子体图像进行等离子体边界位置的提取,并通过最小二乘法进行边界拟合,从而得到准确的等离子体位置。
- 余远春罗家融舒双宝崔治学代路伟
- 关键词：EASTOTSUCANNY等离子体最小二乘法
- 溅射氧化耦合法合成W掺杂VO_2纳米薄膜及其光学性质被引量：1
- 2013年
- 采用溅射氧化耦合法(SOC),在Al2O3(001)基底上成功制备了纳米尺度的W掺杂VO2薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱仪(XPS)分别对薄膜的微观结构以及组分进行了分析;采用四探针测试仪测试了薄膜在不同温度下的方块电阻,从而确定了VO2和W掺杂VO2纳米薄膜的相变温度从341K下降到314K;最后利用紫外至红外光谱仪测试了薄膜在常温和高温下的透过率,并通过Film Wizard软件对薄膜的透过率进行拟合,获得了薄膜的光学折射率(n)和消光系数(κ)随光电子能量(E)变化的关系曲线.研究结果表明,随着W掺杂量的增加,W掺杂VO2纳米薄膜的半导体-金属相变温度逐渐下降,其光学折射率(n)和消光系数(κ)相比VO2薄膜也发生有规律的变化.
- 黄海燕徐晓峰余远春包飞军
- 关键词：相变温度消光系数
- 基于图像处理的EAST上升段等离子体特性研究
- 在EAST装置中，等离子体放电一般分成四个阶段：电离和雪崩阶段、低电子温度下电流增大阶段、中等电子温度下电流增大阶段和等离子体平顶区。本文主要研究第二个阶段，该阶段的等离子体刚被击穿，在这一小段时间内，怎样实现对等离子体...
- 余远春
- 关键词：图像处理最小二乘法等离子体特性托卡马克
- 文献传递
