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侯斌

作品数：119 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程航空宇航科学技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 110篇专利
  • 4篇会议论文
  • 3篇学位论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 68篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇政治法律
  • 1篇文化科学

主题

  • 40篇电极
  • 27篇势垒
  • 25篇势垒层
  • 23篇刻蚀
  • 21篇栅电极
  • 21篇二极管
  • 19篇氮化镓
  • 17篇肖特基
  • 15篇肖特基二极管
  • 15篇沟道
  • 13篇晶体管
  • 12篇栅极
  • 11篇氧化镓
  • 10篇栅宽
  • 10篇散热
  • 10篇散热能力
  • 10篇射频
  • 10篇金属
  • 9篇电路
  • 9篇迁移率

机构

  • 119篇西安电子科技...

作者

  • 119篇侯斌
  • 114篇马晓华
  • 104篇杨凌
  • 92篇郝跃
  • 67篇张濛
  • 57篇武玫
  • 21篇朱青
  • 15篇周小伟
  • 7篇王平
  • 5篇王冲
  • 4篇陈伟伟
  • 4篇张蒙
  • 4篇王军
  • 4篇陆小力
  • 4篇马咪
  • 3篇吕玲
  • 3篇陈炽
  • 2篇张鹏
  • 2篇李卫军
  • 2篇何云龙

传媒

  • 2篇空间电子技术
  • 2篇第十七届全国...

年份

  • 15篇2024
  • 15篇2023
  • 32篇2022
  • 28篇2021
  • 10篇2020
  • 6篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 119 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法
本发明公开了一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法，该方法包括：在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、复合沟道层、氮化物势垒层和第一钝化层；刻蚀第一钝化层、氮化物势垒层和复合沟道层形成器件之间的隔离；在氮化物势垒层形成的源电...
杨凌马晓华芦浩邓龙格侯斌朱青武玫张濛郝跃
一种高铝组分氮化物欧姆接触器件及其制备方法
本发明公开了一种高铝组分氮化物欧姆接触器件及其制备方法，制备方法包括：在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、沟道层、插入层和高铝组分氮化物势垒层；刻蚀部分高铝组分氮化物势垒层、部分插入层和部分沟道层直至缓冲层内；在高铝组分氮...
马晓华芦浩邓龙格杨凌侯斌陈炽武玫张濛郝跃
文献传递
基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法
本发明涉及一种基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法，二极管包括：衬底层、漂移层、若干P型金刚石区、阴极和阳极，其中，阴极、衬底层、漂移层依次层叠；若干P型金刚石区间隔分布在漂移层的表层中；阳极位于漂移层的表...
武玫马晓华杨凌贾富春侯斌张濛朱青郝跃
一种基于GaN基凹槽MIS结构的SRAM芯片
本发明公开了一种基于GaN基凹槽MIS结构的SRAM芯片，包括：第一反相器包括晶体管P1和N1；P1和N1的栅极相连形成第一反相器的输入端，漏极相连形成第一反相器的输出端；第二反相器包括晶体管P2和N2；P2和N2的栅极...
侯斌杨凌王博麟牛雪锐马晓华张濛武玫芦浩郝跃
基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管及其制备方法
本发明公开了一种基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管，包括n<Sup>+</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底层、n<Sup>‑</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>...
马晓华侯斌常青原杨凌张濛武玫郝跃
低接触电阻高Al组分氮化物器件及其制备方法
本发明公开了一种低接触电阻高Al组分氮化物及其制备方法，该氮化物器件包括：衬底、依次位于衬底一侧的成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层，以及位于势垒层远离衬底一侧的钝化层、源电极、漏电极和栅电极；其中，源电极和漏电极，...
马晓华芦浩邓龙格杨凌侯斌武玫张濛郝跃
文献传递
集成金刚石衬底与微流结构的氮化镓晶体管及制备方法
本发明涉及一种集成金刚石衬底与微流结构的氮化镓晶体管及制备方法，氮化镓晶体管包括：由从下至上依次层叠设置的金刚石衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层组成的外延结构；SiN介质层设置于AlGaN...
武玫李仕明杨凌马晓华张濛侯斌郝跃
基于P-GaN帽层和叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种基于P‑GaN帽层和叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法，二极管包括衬底，依次位于衬底上的AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层；阴极，沉积有第一欧姆金属，贯穿SiN钝...
杨凌侯斌王军宓珉瀚张蒙马晓华郝跃
文献传递
GaN基增强型MISHEMT器件的制作方法及器件
本发明提供一种GaN基增强型MISHEMT器件的制作方法及器件。所述方法包括在包含有衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层的外延基片上制备源电极和漏电极以及钝化层；在所述钝化层上制备通孔，在所述势垒层上制备凹槽，所述通孔...
马晓华祝杰杰马咪杨凌侯斌
文献传递
具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管及其制备方法，其特征在于，该二极管包括阴极、n<Sup>+</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底层、n<Sup>‑</Sup>‑Ga<Su...
杨凌张濛王平侯斌武玫宓珉瀚朱青马晓华郝跃
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