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冯孙齐

作品数:20 被引量:95H指数:6
供职机构:北京大学物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇理学
  • 9篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 14篇纳米
  • 6篇纳米线
  • 4篇半导体
  • 3篇一维纳米
  • 3篇碳管
  • 3篇准一维
  • 3篇量子
  • 3篇纳米碳
  • 3篇纳米碳管
  • 3篇硅纳米线
  • 3篇
  • 3篇场发射
  • 3篇C_(60)
  • 2篇电子显微学
  • 2篇一维纳米结构
  • 2篇碳60
  • 2篇准一维纳米结...
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米管
  • 2篇喇曼

机构

  • 20篇北京大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇湖南大学

作者

  • 20篇冯孙齐
  • 12篇俞大鹏
  • 4篇张洪洲
  • 4篇杭青岭
  • 3篇徐军
  • 3篇白志刚
  • 2篇彭景翠
  • 2篇陈小华
  • 2篇丁彧
  • 2篇何国山
  • 2篇奚中和
  • 2篇张树霖
  • 2篇薛增泉
  • 1篇李昌义
  • 1篇刘真泉
  • 1篇张泽
  • 1篇朱彦武
  • 1篇严涵斐
  • 1篇顾镇南
  • 1篇陈宗璋

传媒

  • 3篇电子显微学报
  • 2篇物理
  • 2篇物理化学学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇科学通报
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇Chines...
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇发光学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇国际学术动态
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇中国物理学会...
  • 1篇’94秋季中...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2008
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1992
  • 2篇1991
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究被引量:6
2002年
报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果.利用镍、铟及其化合物等做催化剂,将金属镓放置在氨气氛中1000℃左右进行反应,结果在衬底上获得了大量的氮化镓微米晶须,及纳米线.许多晶须还通过自组装形成了非常奇特的如梯子状的形貌.研究还发现,大部分氮化镓微米晶须的择优生长方向为<0001>方向(c轴方向).X射线衍射谱揭示,反应产物为非常纯的氮化镓晶体,而低温光致发光谱分析则发现,氮化镓微米晶须在520nm处有一个杂质发光峰.这一研究结果有助于了解氮化镓晶体的生长机理,并可望应用于微米、纳米蓝光发光二极管等器件.
周江峰王建朝李昌义潘华勇冯孙齐俞大鹏
关键词:氮化镓半导体纳米线蓝光发光二极管半导体化合物
Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+x)单晶的正交对称喇曼振动谱
1991年
喇曼光谱能为探索超导机制提供许多信息,是高温超导物理研究的重要内容之一。在继Y系后的Bi系高温超导体方面。也有不少喇曼光谱工作发表,但它们的结果彼此间还有许多不一致的地方,多数的光谱结果都没能显示Bi(2212)
张树霖何国山郭昭宇冯孙齐毕于润
关键词:BISRCACUO单晶散射谱
纳米碳管束的制备与纳米碳管的HREM研究
冯孙齐李越
关键词:洋葱
硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究被引量:11
2003年
该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2 5×104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非舳态,直径为10-40nm,长度可达数十微米.升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用.研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响.
邢英杰奚中和俞大鹏杭青岭严涵斐冯孙齐薛增泉
关键词:硅纳米线一维纳米材料
半导体纳米线——宏观牛顿世界与微观量子世界的理想桥梁被引量:1
2013年
本文以我们的研究团队自1995年以来在半导体纳米线材料与物理研究中所做的科研工作为主线,从如何自下而上地规模、可控制备硅等半导体纳米线的开创性研究工作开始,着重介绍半导体纳米线独一无二的物理性质的代表性研究工作,以及它们在高品质真空电子源、新型高效光电器件、新能源器件方面的潜在应用的研究成果.最后,对半导体纳米线的未来发展前景进行了展望.
冯孙齐俞大鹏赵清廖志敏
关键词:半导体纳米线低维结构量子尺寸效应场发射光电效应
M_3C_(60)(M=K,Rb)中C_(60)分子的取向机制研究
1997年
研究M3C60(M=K,Rb)中C60分子的取向机制,利用点电荷模型和Lennard-Jones势考察了M+-C60和C60-C60之间的相互作用对C60分子取向的影响。结果表明:M+-C20之间的相互作用对C60分子的取向起决定作用,而使得C60分子的基态取向为两个标准取向之一。
陈小华彭景翠陈宗璋冯孙齐
关键词:碱金属碳60衍生物
取向碳纳米管膜的大面积制备及其场发射性能的研究被引量:2
2003年
利用热丝增强化学气相沉积法 ,在镀Ni的Si基片上成功地生长大面积取向碳纳米管膜 ,并研究了其场发射性质。研究表明 ,碳纳米管膜的场发射Fowler Nordheim曲线上存在一转折点Es(“饱和”场强 ) ,低场区域 (E Es)区域。实验证实 ,低场区域的场放大系数 β与极间距d成正比 ,Es 与极间距d成反比 ,它们可用双区域场模型唯像地解释。讨论了高场区域场发射电流“饱和”(变化趋缓 )
葛颂冯孙齐俞大鹏张广宇刘双
关键词:场发射
纳米钙化物棒的电子显微学研究
1996年
纳米钙化物棒的电子显微学研究徐晓林俞大鹏冯孙齐段晓峰*张泽*(北京大学物理系,北京100871*中科院北京电子显微镜实验室,北京100080)随着科学技术向低维和介观尺度发展,对微观尺度的物理现象,如纳米尺度的结构,光谱与能谱特征等提出了越来越高的要...
徐晓林俞大鹏冯孙齐段晓峰张泽
关键词:电子显微学氧化钙多晶
多层纳米碳管膜的大面积可控制生长被引量:5
2001年
文章介绍了利用化学气相沉积法在Si和石英基片上大面积生长多层碳纳米管膜的研究成果 .通过调节生长参数 ,不仅可以获得高度取向的碳纳米纤维 ,还可获得不同直径、不同图案的高度取向的碳纳米管膜 .取向碳纳米管膜的可控制制备 ,为研究碳纳米管的物理、化学性能 ,特别是为碳纳米管场发射平面图像显示器的应用研究 。
李年华葛颂丁彧徐军冯孙齐俞大鹏
关键词:碳纳米管场发射化学气相沉积法
Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶声子的喇曼谱
BiSrCaCuO是除YBaCuO外,最重要的高温超材料之一,至今已有相当多的喇曼光谱研究工作发表,但较YBaCuO尚很不深入。且彼此间的结果还存在一些不一致,尤其是激光垂直于C轴入射的喇曼光谱,不仅工作较少,彼此间结果...
张树霖申猛燕华道宏王淑坤何国山马明芳张航冯孙齐
文献传递
共2页<12>
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