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刘兴权
作品数:
36
被引量:42
H指数:3
供职机构:
中国科学院上海技术物理研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
陆卫
中科院红外物理国家重点实验室
沈学础
中国科学院物理研究所
陈效双
中国科学院上海技术物理研究所
李宁
中国科学院上海技术物理研究所
窦红飞
中国科学院上海技术物理研究所
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作者
36篇
陆卫
36篇
刘兴权
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8篇
2000
7篇
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9篇
1998
5篇
1997
3篇
1994
共
36
条 记 录,以下是 1-10
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被引量排序
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MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较
被引量:9
2000年
用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 .
李娜
李宁
陆卫
窦红飞
陈张海
刘兴权
沈学础
H.H.Tan
LanFu
C.Jagadish
M.B.Johnston
M.Gal
关键词:
ALGAAS
红外探测器
MOCVD
无分立像元光学读出的量子阱红外焦平面芯片
本发明提供了一种无分立象元光学读出的量子阱红外焦平面芯片的设计。它可以把在芯片上的红外图像直接转换成可见光图象,从而把红外探测技术转换到可见光探测技术,使对红外目标成像的芯片在空间分辨上达到可见光成像的水平。还介绍了该芯...
陆卫
陈效双
刘兴权
李宁
李娜
陈益栋
刘平
窦红飞
付英
W·马格纳斯
文献传递
光调制反射光谱中的高斯线形
被引量:1
1997年
本文报出了一种用于拟会计算光调制反射光谱的高斯约型表达式.通过对具体的St-8$杂的光谱拟会计算并与常用的洛仑兹线形的计算进行的比较,显示了在非均匀展宽起重要作用情况下采用高斯线型对实际光调制反射光谱分析是十分必要的.
陆卫
刘兴权
陈效双
穆耀明
万明芳
沈学础
关键词:
光谱分析
GaAs/SrTiO_3 MBE外延单晶薄膜晶格振动的研究
被引量:1
2000年
利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了 Ga As/ Sr Ti O3外延单晶薄膜样品 ,研究了这种新型异质结构的晶格振动光学特性 .实验结果表明 :在钙钛矿型结构的 Sr Ti O3衬底上外延生长的 Ga As薄膜具有单晶结构 ,有与 Ga
陈益栋
刘兴权
李志锋
陆卫
沈学础
关键词:
钛酸锶
单晶薄膜
晶格振动
单量子阱线的Raman谱
2000年
利用显微Raman谱测量了V型槽量子阱线,观察和指认了来自单根量子阱线的Raman谱,它们是位于223和243cm的无序激活峰,位于267cm的量子阱线的GaAs限制纵光学模,以及位于488和707cm的无序激活峰的二阶和频和三阶组合Raman峰。
李乐愚
张树霖
李志峰
刘兴权
陆卫
沈学础
关键词:
量子阱线
RAMAN光谱
砷化镓
一种原位检测直接带隙Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As分子束外延薄膜材料组分方法和装置
本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As组分检测技术,它把分子束外延系统的超高真空条件,与调制光谱系统有机地结合起来,形成了一个测量Al<Sub>x<...
陆卫
刘兴权
穆耀明
杜捷
查访星
乔怡敏
史国良
严立平
欧海疆
万明芳
陈效双
吴小平
沈学础
文献传递
GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究
被引量:2
2000年
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致了RHEED各级条纹及其强度的周期性变化.
陈益栋
刘兴权
陆卫
乔怡敏
王贤仁
关键词:
分子束外延
砷化镓
半导体
ALGAAS
GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器实用性探讨
被引量:1
1994年
通过长波GaAs/GaAlAS量子阱红外探测器线列在红外像机上的应用演示及其成像效果与传统HgCdTe探测器的比较,直接地显示了GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器在红外焦平面应用领域具有很强的竟争力.
陆卫
欧海江
陈敏辉
马朝晖
刘兴权
黄醒良
茅惠兴
蒋伟
沈学础
顾勇华
叶礼斌
关键词:
多量子阱
红外探测器
红外成象
GaAs/AlGaAs近表面单量子阱的光调制光谱研究
1998年
我们利用光调制反射光谱研究了GaAs/AlGaAs单量子阱,观察到了电子的11H及11L跃近.通过改变表面垒的厚度,使得真空垒对阱中电子态影响发生变化,由于量子阱中电子态所受的约束的加强,我们观察到了价带到导带的跃迁明显的蓝移(HH1到E1,LH1到E1).这种蓝移的现象可以用方势阱加真空势垒及内建电场的模型来解释.
刘兴权
陆卫
徐文兰
穆耀明
陈效双
马朝晖
沈学础
关键词:
砷化镓
镓铝砷化合物
量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究
1998年
介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备GaAs/AlGaAs量子点的方法,并用小光点光荧光的方法检测了所制备量子点的均匀性,从理论上给出量子点的尺寸分布,并结合多量子阱阱宽的涨落,分析了荧光峰的线型和展宽机制.
刘兴权
万明芳
陈效双
张波
陆卫
沈学础
关键词:
量子点
湿法腐蚀
荧光光谱
砷化镓
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