刘玲
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 超高真空下过渡金属Nb与Nb、Ta、Ti、W相互间粘附特性的试验研究
- 1991年
- 本文在超高真空(10^(-7)Pa)条件下量测了Nb-Nb(110)、Nb-Ta(110)、Nb-W(110)及Nb-Ti4个粘附对的粘附力,并从接触表面形貌的角度求得了真实接触面积,进而得到了各粘附对间的粘附强度,结果与采用简单紧束缚自洽矩方法计算所得理论结果一致。研究表明,超高真空下过渡金属间存在一种相互作用——由两金属间共用电子引起的化学键,而且主要由其外层d电子态密度所决定。过渡金属Nb与Nb、Ta、W、Ti之间粘附强度的实测值介于每对原子0.2～2.0eV之间。当样品受热升温后,由于C、N、B、S等少量非金属杂质的表面偏析致使粘附强度明显降低。
- 李可斌孙建三刘玲戚震中
- 关键词：过渡金属粘附力超高真空表面偏析
- 基体预氧化对溅射TiC膜结合力及耐磨性的影响
- 1989年
- 本文讨论了钢基体预氧化对溅射TiC膜在其上的结合力和耐磨性的影响。结果表明,在预氧化的基体与TiC膜之间存在一个中间层——新相FeTiO_3,它改变了TiC与钢基体之间的界面状态,从而提高了结合力,致使其磨损体积仅为在未经氧化处理表面上的30％左右。
- 刘玲姚伟国戚震中
- 关键词：溅射镀膜预氧化
- La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z薄膜中的巨磁阻比的幂指数磁场关系
- 1996年
- <正>由于氧化物巨磁阻薄膜具有十分巨大的巨磁阻效应,因而越来越受到了人们的重视.然而其巨磁阻产生的机理却至今仍不甚清楚,有关这方面的研究显得迫切需要.在多层膜或颗粒膜中其巨磁阻产生的本质通常被理解为一种自旋相关的表面散射的结果.若磁阻比定义为MR=Δρ/ρO=(ρO-ρH)/ρO,其中ρO为零场下的电阻率,ρH为磁场H时的电阻率,则在铁磁转变温度以下MR与磁化强度M之间应该有如下的关系:MR(T,H)=[ρ(O,T)-ρ(H,T)]/ρ(O,T)=A(T)F[│M/M_S│~2],(1)其中M_S为饱和磁化强度,F是│M/M_S│~2的单调函数其值介于0与1之间,当M→0时,F[│M/M_S│~2]=0,而当M→M_S时,F[│M/M_S│~2]=1,(1)式中的A(T)只是一个与温度有关的函数.由该式可以得到如下两个结论:首先,MR的温度关系应该是由(1)式中的A(T)的温度关系来决定,与磁场无关,也即MR(H1,T):MR(H2,T)应该为一常数;其次,对于某一特定的温度,MR(T,H)=CF[│M/M_S│~2],其中C为常数,由此决定了MR的磁场依赖关系.本文将对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z巨磁阻薄膜中的MR的温度关系和磁场关系作一较详细的实验研究.1
- 刘玲孙建三许小军方军王胜王福堂曹效文朱警生张裕恒李可斌
- 关键词：巨磁阻LCMO
- 等离子体氧化锗膜的AES和XPS
- 1989年
- 在高频激发的氧等离子体中成功地实现了锗的阳极氧化。其氧化效率比锗在一个大气压氧气氛下的热氧化高的多。用俄歇电子谱(AES)和X-射线光电子谱(XPS)结合氩离子溅射分析了等离子体氧化锗膜的化学组份与化学态。在该薄膜表面,仅观察到GeO_2。在氧化膜体内主要由GeO_2组成,并含有少量未氧化的锗。当氩离子溅射以后,在氧化膜XPS中出现Ge(3d)的双峰。结合能为33.7eV的主峰起源于GeO_2中的Ge(3d),29.2eV的小峰归因于薄膜中少量未氧化的锗。定量计算表明,等离子体阳极氧化锗膜的化学计量比非常接近于玻璃态二氧化锗。
- 刘春荣刘玲
- 关键词：氧化锗AESXPS阳极氧化热氧化元素半导体
