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史晶晶

作品数：34 被引量：8H指数：2
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 16篇碳化硅
  • 9篇退火
  • 9篇肖特基
  • 9篇二极管
  • 8篇欧姆接触
  • 7篇势垒
  • 7篇外延层
  • 6篇碳化硅器件
  • 6篇肖特基二极管
  • 6篇硅器件
  • 5篇SBD
  • 4篇退火处理
  • 4篇芯片
  • 4篇晶圆
  • 3篇导通
  • 3篇导通电阻
  • 3篇电流
  • 3篇电阻
  • 3篇碳膜
  • 3篇退火过程

机构

  • 34篇株洲南车时代...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 34篇史晶晶
  • 32篇李诚瞻
  • 20篇刘可安
  • 18篇吴佳
  • 16篇赵艳黎
  • 15篇刘国友
  • 14篇周正东
  • 11篇高云斌
  • 7篇丁荣军
  • 6篇杨程
  • 5篇蒋华平
  • 5篇陈喜明
  • 3篇唐龙谷
  • 2篇彭勇殿
  • 2篇颜骥
  • 1篇冯江华
  • 1篇申华军
  • 1篇邵云

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇大功率变流技...

年份

  • 1篇2019
  • 6篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 11篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法
本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化...
史晶晶李诚瞻刘国友赵艳黎周正东高云斌吴佳杨勇雄刘可安
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一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法
本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法，包括在碳化硅片的正面制作正面碳膜；在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜；对所述碳化硅片进行高温退火，激活所述碳化硅片中的注入杂质；去除所述正面碳膜和所述背面碳膜；去除所述碳化...
周正东李诚瞻刘可安刘国友史晶晶吴佳杨程
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肖特基势垒二极管及其制造方法
本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂...
李诚瞻刘可安吴煜东杨勇雄史晶晶蒋华平唐龙谷赵艳黎吴佳
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一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法
一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之...
李诚瞻吴煜东刘可安周正东史晶晶杨勇雄吴佳蒋华平赵艳黎
半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法，耐压终端结构包括：第一掺杂区，以及掺杂浓度相对于第一掺杂区较轻的第二掺杂区。半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面采用连续光滑曲面的台面结构，刻蚀剖面从第一...
吴佳吴煜东刘可安李诚瞻史晶晶蒋华平唐龙谷赵艳黎杨勇雄
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一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法及应用
本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在...
史晶晶李诚瞻刘国友赵艳黎周正东高云斌吴佳杨勇雄刘可安
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一种半导体结构的掺杂方法
本申请提供了一种半导体结构的掺杂方法，包括：对半导体结构分别进行P型杂质离子注入和N型杂质离子注入；对离子注入后的半导体结构进行退火；其中，所述退火过程包括：升温至第一激活温度，在所述第一激活温度保持第一预设时间；从所述...
周正东李诚瞻史晶晶刘国友吴佳丁荣军
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一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法
本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法。本发明所提供的方法包括如下步骤：1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理；2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理。本发明的方法...
史晶晶李诚瞻吴煜东周正东赵艳黎高云斌吴佳杨勇雄丁荣军
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高性能碳化硅混合功率模块研制被引量：6
2013年
报道了一种基于自主封装技术的高性能、高效率碳化硅(SiC)混合功率模块,该功率模块的反向阻断电压为1 200 V,正向导通电流为480 A。动态测试表明,其峰值反向恢复电流Irr仅为-115 A,关断延迟时间td(off)为3.36μs,关断能量损耗Eoff为296.82 mJ,开通延迟时间td(on)仅为0.66μs,开通能量损耗Eon仅为242.27 mJ,输出功率可达到百千瓦级别。与传统的硅基IGBT模块相比,该碳化硅混合功率模块大大降低了模块的能量损耗。
邵云史晶晶李诚瞻彭勇殿
关键词：SICSBDIGBT能量损耗
一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法
本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所...
李诚瞻高云斌史晶晶周正东吴煜东丁荣军
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