周庆萍
- 作品数：15 被引量：0H指数：0
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法
- 本发明公开了一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管制备技术领域；在具有氧化物栅绝缘层的衬底上制备宽度为1～5nm的石墨烯纳米带，之后在石墨烯纳米带两端分别形成源电极和漏电极的金属层，使用衬底材...
- 陈长鑫王坤婵周庆萍江圣昊胡蓓李欣悦
- 半导体电浆制程的危害及防治
- 2008年
- 随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术,电浆已被越来越广泛的应用在半导体的制造过程中。由于电浆环境充斥着高能量的粒子和带电的离子及电子,所以对半导体元件结构有潜在性的破坏效应。而这种破坏效应主要是对栅极氧化层的电性损伤,进而影响器件的良率及可靠性。因此我们必须要了解电浆损伤的成因及科学的侦侧方法,并在此基础上试图找到一些方法防止电浆损伤的发生。文章讨论了半导体电浆制程对器件的危害及防治措施。
- 周庆萍黄琪煜陆峰
- 关键词：集成电路天线效应
- 一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法
- 本发明公开了一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管制备技术领域；在具有氧化物栅绝缘层的衬底上制备宽度为1～5nm的石墨烯纳米带，之后在石墨烯纳米带两端分别形成源电极和漏电极的金属层，使用衬底材...
- 陈长鑫王坤婵周庆萍江圣昊胡蓓李欣悦
- 一种石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结的制备方法
- 本发明公开了一种石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结的制备方法，属于碳纳米材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：(1)将单壁碳纳米管和多巴胺盐酸盐加入到Tris‑HCl缓冲液中，置于黑暗环境中反应，过滤，得到聚多巴胺...
- 周庆萍陈长鑫高升广江圣昊石方远赵修治
- 文献传递
- 一种制备碳纳米管/石墨烯纳米带异质结光电器件的方法
- 本发明公开了一种制备碳纳米管/石墨烯纳米带异质结光电器件的方法，属于光电器件制备技术领域，所述方法包括以下步骤：将单壁碳纳米管分散液涂于FTO导电玻璃上并干燥、煅烧，之后在单壁碳纳米管上依次沉积TiO<Sub>2</Su...
- 周庆萍陈长鑫王坤婵胡蓓李欣悦贺志岩
- 文献传递
- 一种基于石墨烯的场效应晶体管的制备系统及制备方法
- 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种基于石墨烯的场效应晶体管的制备系统及制备方法，所述基于石墨烯的场效应晶体管的制备系统包括：氧化层掩膜制备模块、环形栅极结构形成模块、中央控制模块、第一离子掺杂区域形成模块、侧墙结构...
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- 文献传递
- 一种基于石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结光伏器件的制备方法
- 本发明公开了一种基于石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结的光伏器件的制备方法，属于光伏器件制备技术领域；具体包括以下步骤：在具有氧化物绝缘层的衬底上制备石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结层，之后在石墨烯纳米带/单壁...
- 陈长鑫周庆萍石方远贺志岩高升广王龙
- 文献传递
- 一种石墨烯高灵敏度光电探测器及其制备方法
- 本发明属于光电器件技术领域，公开了一种石墨烯高灵敏度光电探测器及其制备方法，所述石墨烯高灵敏度光电探测器包括：复合衬底、隔离层、石墨烯接触电极、碳量子点、石墨烯薄膜及抗反射层；所述隔离层位于复合衬底；所述电极位于隔离层；...
- 陈长鑫周庆萍陈志刚李欣悦何卓洋贺志岩
- 文献传递
- 0.15微米高速逻辑电路器件优化与良率提升
- 近几年,速度更快,密度更高,价格更低的电子终端产品层出不穷。特别是和计算机相关的产品,例如：CPU、显卡等。这些产品的高速发展,需要持续不断的提高运行速度和功能,同时尽可能的减少电的消耗和单个集成电路的价格。对于这些有特...
- 周庆萍
- 关键词：集成电路制造离子注入
- 文献传递
- 一种石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结的制备方法
- 本发明公开了一种石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结的制备方法，属于碳纳米材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：(1)将单壁碳纳米管和多巴胺盐酸盐加入到Tris‑HCl缓冲液中，置于黑暗环境中反应，过滤，得到聚多巴胺...
- 周庆萍陈长鑫高升广江圣昊石方远赵修治
