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孙瑞泽

作品数：73 被引量：8H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程环境科学与工程兵器科学与技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 45篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 14篇关断
  • 10篇电路
  • 10篇损耗
  • 10篇漂移区
  • 9篇关断损耗
  • 9篇半导体
  • 8篇导通
  • 8篇肖特基
  • 8篇晶体管
  • 7篇电压
  • 7篇势垒
  • 7篇晶闸管
  • 7篇绝缘
  • 7篇极区
  • 7篇IGBT
  • 6篇氮化镓
  • 6篇导通压降
  • 6篇双极型
  • 6篇阈值电压
  • 6篇肖特基接触

机构

  • 67篇电子科技大学
  • 10篇电子科技大学...
  • 6篇深圳大学
  • 1篇桂林理工大学
  • 1篇东莞电子科技...
  • 1篇湖北三江航天...
  • 1篇东莞电子科技...

作者

  • 73篇孙瑞泽
  • 50篇陈万军
  • 41篇张波
  • 35篇刘超
  • 30篇夏云
  • 7篇吴毅
  • 5篇陈万军
  • 3篇肖琨
  • 3篇阮建新
  • 3篇李佳
  • 3篇杨骋
  • 2篇贺威
  • 2篇刘熙
  • 2篇曹建民
  • 2篇曹建民
  • 1篇李海翔
  • 1篇王坤
  • 1篇陈楠
  • 1篇李肇基
  • 1篇杨早

传媒

  • 5篇电子与封装
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇微电子学

年份

  • 8篇2024
  • 16篇2023
  • 10篇2022
  • 16篇2021
  • 7篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
共 73 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具备低抖动高可靠特性的亚纳秒高压脉冲产生电路
本发明涉及超宽带系统，特别涉及一种具备低抖动高可靠特性的亚纳秒高压脉冲产生电路。相比于常规的基于DSRD的亚纳秒高压脉冲电路，本发明采用多级LC耦合，使得DSRD器件上的电流下降率和电流更高，从而负载电阻RL上电流上升率...
陈资文陈万军杨禹霄杨早孙瑞泽刘超郑崇芝张波
一种基于GaN功率器件的高压脉冲产生电路
本发明属于高压脉冲技术领域，涉及一种基于GaN功率器件的高压脉冲产生电路。本发明的电路包括Marx高压生成电路和GaN功率半导体开关的栅极自触发电路，特点第1个半导体开关由驱动电路导通后，第1个储能电容开始放电，第1个储...
孙瑞泽潘慈王小明陈万军张波
一种具有超结的逆导型IGBT
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有超结的逆导型IGBT。相对于传统的超结逆导型IGBT，本发明将集电极区中的一部分的P+集电极区用N+集电区替换，并且用P型条以及介质隔离层将N型漂移区分为两个不相连的N型漂移区区...
郑崇芝夏云谯彬李青岭孙瑞泽刘超施宜军信亚杰王方洲陈万军
文献传递
一种具有高工作电压阈值的栅控晶闸管
本发明属于半导体技术领域，具体涉及到一种具有高工作电压阈值的栅控晶闸管。本发明的结构有两点特效，一是低电压状态时，由于阴极区域的N+型半导体与平面栅分离，在栅极施加电压时，P‑阱中氧化层下方形成的N型沟道并未与N+型半导...
陈万军孙新淇杨禹霄孙瑞泽刘超郑崇芝张波
一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管
本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明包括从下至上设置的：衬底、成核层、缓冲层、势垒层，介质层，缓冲层和势垒层形成异质结结构，在材料极化效应下形成二维电子气沟道，势垒层上设有至少...
孙瑞泽罗攀王方洲刘超陈万军
一种具有自适应低电阻率欧姆接触的GaN HEMT器件
本发明提出了一种具有自适应低电阻率欧姆接触的GaN HEMT器件，包括：采用干法刻蚀形成由多个平面构成的阶梯结构；在欧姆电极区域生长欧姆接触金属并将所形成的阶梯结构完全覆盖；通过快速热退火处理生成低阻导电通道进而形成欧姆...
陈万军罗攀王方洲王茁成孙瑞泽
一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化
2014年
传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(di/dt)较传统工艺所制造的器件提高15%,最大工作温度降低33%,热逸散速度提高36%。
孙瑞泽陈万军彭朝飞阮建新张波
关键词：电流上升率脉冲放电
一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有台阶式P型GaN漏极结构的逆阻型HEMT。本发明中漏极区域P型GaN层呈台阶状，沿漏极向源级方向呈台阶式减薄。在台阶式P型GaN漏极结构中，各个P型GaN台阶沿漏极到源级方向呈台...
孙瑞泽王茁成罗攀王方洲刘超陈万军
文献传递
一种GaN基HEMT器件
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种GaN基HEMT器件。本发明的主要方案是在器件的缓冲层中引入了与源极相连的具有P型掺杂的电荷存储层。在器件关断时，P型掺杂的电荷存储层中的净负电荷可以有效地加速二维电子气的耗尽，...
陈万军王方洲许晓锐孙瑞泽信亚杰夏云刘超张波
文献传递
一种集成反向PIN管的MOS场控晶闸管及其制备方法
本发明涉及半导体技术，具体说的是涉及一种通过消除反向过冲电压来提升器件可靠性的MOS场控晶闸管。本发明的MOS场控晶闸管，在P型基区(5)上层设置有P型源区(1)，P型源区(1)与N型基区(4)连接并位于N型基区(4)远...
陈万军杨骋肖琨孙瑞泽张波
文献传递
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