尚林
- 作品数：13 被引量：12H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- TMIn流量对GaN基蓝光LED外延薄膜的影响
- 2017年
- 以蓝宝石(Al_2O_3)为衬底,采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术生长InGaN/GaN多量子阱结构。本文通过调整外延生长过程中三甲基铟(TMIn)流量,研究了TMIn流量对InGaN/GaN多量子阱结构的合金组分、晶体质量和光学性质的影响。本文采用高分辨X射线衍射(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)测试表征其结构和光学性质。HRXRD测试结果表明,随TMIn流量增加,"0"级峰与GaN峰之间角偏离增大,更多的In并入薄膜中。HRXRD与AFM表征结果表明:增大TMIn流量会导致外延薄膜中的位错密度增大,V形坑数量增加,晶体质量严重恶化;PL测试结果表明,随着TMIn流量增加,发光强度逐渐降低,半高宽增大,这是由于晶体质量恶化所导致。因此严格控制铟源流量对于改善量子阱薄膜的晶体质量与光学性质有着至关重要的作用。
- 李天保赵广洲尚林董海亮贾伟余春燕
- 关键词：金属有机化学气相沉积INGAN/GAN多量子阱
- 三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响被引量：2
- 2016年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)分别对外延层的位错密度、表面形貌、发光性能和应力情况进行了分析。当三维生长温度分别为1060℃、1070℃和1080℃时,外延层刃位错密度分别为5.09×108/cm3、3.58×108/cm3和5.56×108/cm3,呈现先减小后增大的现象,而螺位错密度变化不显著,分别为1.06×108/cm3、0.98×108/cm3和1.01×108/cm3,同时外延层残余应力分别为0.86 GPa、0.81 GPa和0.65 GPa,呈现逐渐减小的趋势。这可能是由于三维生长温度不同时,外延层生长模式和弛豫程度发生改变所致。
- 李小杜尚林朱亚丹贾志刚梅伏洪翟光美李学敏许并社
- 关键词：GAN位错残余应力
- 一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及制备方法
- 本发明属于光电器件领域，具体涉及一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法。解决了目前LED结构P型区载流子浓度不高、电流分布不均匀性以及出光效率低技术问题。一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构，该发光二极...
- 许并社尚林翟光美贾伟马淑芳梁建李天保梅伏洪贾志刚
- 不同掺杂元素对GaN薄膜影响的研究进展
- GaN是一种宽带隙直接跃迁半导体,具有高热导率,高的热稳定性,高的击穿电压,介电常数小,发光效率高等优势,因此,近年来GaN薄膜的发展非常迅速,GaN在半导体领域有着重要地位,而高质量GaN薄膜的掺杂制备一直是研究者关注...
- 尚林赵君芙张华梁建许并社
- 关键词：GAN薄膜掺杂发光性能
- 文献传递
- 低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响被引量：1
- 2014年
- 利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)及原子力显微镜(AFM)研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响。结果表明,低温AlN插入层不同的生长温度会导致AlGaN/GaN量子阱不同的表面粗糙度及穿透位错密度,并且当生长温度达到640℃时样品中表面粗糙度及穿透位错密度达到最低,同时具有最高的载流子迁移率及带边发光峰强度。在不同的生长温度,低温AlN表面具有不同的表面形貌。不同的表面形貌将直接影响界面处位错主滑移系的开动及位错阻挡机制。通过分析可以得知,低温AlN不同的表面形貌是由于Al原子在不同温度下的不同的迁移机制造成。
- 刘子超章海霞甄慧慧李明山尚林许并社
- 关键词：生长温度应变弛豫
- 中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响被引量：2
- 2016年
- 利用金属有机气相化学沉积（MOCVD）技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜（AFM）表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70-110 nm增加至110-150 nm。当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW。对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明：增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率。
- 刘青明卢太平朱亚丹韩丹董海亮尚林赵广洲赵晨周小润翟光美贾志刚梁建马淑芳薛晋波李学敏许并社
- 关键词：氮化镓
- 界面形核时间对GaN薄膜晶体质量的影响被引量：4
- 2015年
- 利用金属有机化学气相沉积技术系统研究了界面形核时间对c面蓝宝石衬底上外延生长Ga N薄膜晶体质量的影响机理.用原子力显微镜、扫描电子显微镜、高分辨X射线衍射仪以及光致发光光谱仪表征材料的晶体质量以及光学性质.随着形核时间的延长,退火后形成的形核岛密度减小、尺寸增大、均匀性变差,使得形核岛合并过程中产生的界面数量先减小后增大,导致Ga N外延层的螺位错和刃位错密度先减小后增大,这与室温光致发光光谱中得到的带边发光峰与黄带发光峰的比值先增大后降低一致.研究结果表明,外延生长过程中,界面形核时间会对Ga N薄膜中的位错演变施加巨大影响,从而导致Ga N外延层的晶体质量以及光学性质的差异.
- 郭瑞花卢太平贾志刚尚林张华王蓉翟光美许并社
- 关键词：氮化镓位错
- GaN衬底的腐蚀程度对ZnO纳米棒阵列光学性能的调控
- 2017年
- 研究了在湿法腐蚀Ga N衬底上生长的Zn O纳米棒阵列的微结构和光学性能。相比于未经腐蚀及腐蚀5 min、10 min的Ga N上生长的Zn O纳米棒阵列,在腐蚀8 min的Ga N上生长的Zn O纳米棒阵列最细密,光学性能最好,其相应PL光谱峰强积分比IUV/Ivis最大(70.92)。因为此时Ga N衬底中的位错基本全部在表面露头,Zn O容易附着而形成更多的形核种子,并且衬底的位错在表面的边缘有助于诱导Zn O晶体的外延生长,所以Zn O棒更加细密,晶体质量更高,从而光学性能更好。
- 庞泽鹏梅伏洪乔建东尚林尚林许并社
- 关键词：ZN水热法湿法腐蚀光学性能
- 一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及制备方法
- 本发明属于光电器件领域，具体涉及一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法。解决了目前LED结构P型区载流子浓度不高、电流分布不均匀性以及出光效率低技术问题。一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构，该发光二极...
- 许并社尚林翟光美贾伟马淑芳梁建李天保梅伏洪贾志刚
- 文献传递
- 成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响被引量：2
- 2015年
- 利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的Ga N外延薄膜。利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对Ga N薄膜的表面形貌,位错密度,光学性能等进行表征,研究不同的成核温度对Ga N外延薄膜晶体质量的影响。结果表明,在成核层生长温度为650℃时,所得到的Ga N外延薄膜表面粗糙度和位错密度均达到最低,并且同时具有最高的带边发光峰强度,最高的载流子迁移率以及最低的载流子浓度。过低或过高的成核温度都会导致Ga N外延层的晶体质量和光电性能变差。
- 孙成真贾志刚尚林孙佩余春燕张华李天保
- 关键词：GAN金属有机化学气相沉积生长温度
