尹长浩
- 作品数：17 被引量：21H指数：3
- 供职机构：南京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 异质引晶在高效多晶硅铸锭中的应用
- 1.1研究背景性价比决定:目前业内的主流铸锭技术:半熔高效、全熔高效 全熔高效和半熔高效存在三点区别第一:少子寿命分布差别 半熔高效由于底部剩余籽晶的影响,底部低少子寿命区较宽,铸锭得率低,导致半熔高效铸锭成本高于全熔高...
- 尹长浩董慧周绪成钟根香黄新明
- 高效多晶硅中石英坩埚内高纯隔离层的致密化处理
- 2015年
- 多晶硅铸锭过程中,在石英坩埚内壁制作高纯隔离层可以阻挡石英坩埚中的杂质向硅锭中扩散,改善硅方的边部红区,但高纯隔离层会引起硅锭中氧含量的升高。本文在高纯隔离层的基础上,通过级配的方法提升高纯隔离层结构的致密性并降低硅锭中的氧含量。
- 王梓旭尹长浩吴志勇吴志勇钟根香黄新明
- 关键词：多晶硅隔离层级配氧含量
- 多晶硅铸锭硬质杂质控制方法探索
- 设计了可实现区域强化打磨处理的自动回炉料打磨设备，强烈推荐强制对流辅助生长多晶技术，开发了改进型氮化硅涂层粘合剂和强化氮化硅涂层技术。
- 尹长浩
- 关键词：多晶硅
- 高纯隔离层在高效多晶硅铸锭中的应用
- 在多晶硅铸锭过程中,熔融石英坩埚和氮化硅涂层中的杂质通过固相扩散进入并残留在多晶硅锭中形成多晶硅锭边部和底部的低少子寿命区.本文通过在坩埚侧壁制作掺钡高纯隔离层来阻挡坩埚侧壁中的杂质向硅锭中扩散,降低硅锭中的边部红区比例...
- 王梓旭尹长浩董慧钟根香黄新明
- 关键词：太阳能电池多晶硅
- 文献传递
- 快速凝固Mg-Zn-Y-Zr合金条带的组织和性能研究被引量：4
- 2009年
- 采用普通凝固和快速凝固技术制备Mg-5Zn-1Y-0.6Zr合金,用XRD,SEM,显微硬度测量等分析方法研究其凝固组织和性能特征。结果表明,普通凝固合金由α-Mg固溶体和在晶界处呈不连续网状分布的三元相I-(Mg3Zn6Y)准晶相和W-(Mg3Zn3Y2)相组成。快速凝固合金晶粒细化并产生非晶相,晶间化合物全部转化为准晶I相。非晶相的出现及显微组织细化是造成快速凝固合金条带显微硬度提高的主要原因。快速凝固合金条带的显微硬度随冷速提高显著增大,最大值HV167.23是普通凝固合金的2.2倍。
- 刘广张振忠陈骞张浩尹长浩张少明
- 关键词：快速凝固MG-ZN-Y-ZR合金显微组织
- 冷却速度对Mg-5Zn-1Y-0.6Zr合金组织和性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用快速凝固技术制备Mg-5Zn-1Y-0.6Zr合金,用XRD、SEM、HRTEM、显微硬度测量等分析方法研究其凝固组织和性能。结果表明,合金由α-Mg固溶体、晶界处不连续分布的I(Mg3Zn6Y)准晶相和非晶相组成。根据热传导理论,采用一维傅立叶热传导方程计算了合金的冷却速度。冷却速度的提高使得晶粒细化、成分均匀、非晶相含量增多。硬度(HV)随冷速的提高显著增大,最大值为167.23,是普通凝固合金的2.2倍。
- 刘广张振忠陈骞张浩尹长浩张少明
- 关键词：快速凝固显微组织
- 一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法
- 本发明公开了一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后，对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理，并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层，最后将氮...
- 黄新明尹长浩周海萍钟根香
- 文献传递
- 快速凝固Mg-5Zn-1Y-0.6Zr合金腐蚀性能的研究被引量：3
- 2009年
- 研究了快速凝固Mg-5Zn-1Y-0.6Zr合金在3.5%NaCl溶液中的腐蚀行为。利用金相显微镜、SEM观察了合金的微观组织和腐蚀形貌。结果表明,快速凝固使合金产生非晶相、晶粒细化及微观组织均匀,均对耐腐蚀性能提高起到作用。在室温下,腐蚀速率随时间先增大,随后逐渐减小。XRD分析表明腐蚀后的主要产物是Mg(OH)2。通过极化曲线测试,表明合金耐蚀性能随冷却速率的提高而改善。
- 刘广张振忠陈骞张浩尹长浩张少明
- 关键词：快速凝固极化曲线
- 异质引晶在高效多晶硅铸锭中的应用
- 采用球状二氧化硅颗粒作为籽晶生长多晶硅锭,并采用溶胶凝胶法在颗粒表面制备局部包覆的氮化硅涂层,以此来降低硅熔体对颗粒的溶蚀,降低硅锭中碳、氧等杂质浓度.结果显示采用氮化硅包覆的球状二氧化硅颗粒作为籽晶,可以长出均匀细长的...
- 董慧尹长浩王梓旭钟根香黄新明
- 关键词：太阳能电池
- 文献传递
- 局部氮化硅包覆颗粒在高效多晶硅铸锭中的应用被引量：2
- 2017年
- 降低多晶硅晶体中的位错密度,可以提高多晶硅电池的性能,目前多采用异质形核的方法来生长柱状晶粒,以降低晶体中的位错密度,但是目前普遍采用的以SiO_2颗粒作为异质形核点的方法容易导致硅锭底部和坩埚粘连,并导致硅锭中间隙氧(O_i)含量升高。该文通过制备局部氮化硅包覆的SiC-Si O_2复合颗粒(PCP)作为异质形核点来生长柱状晶粒。结果显示采用适当粒径(300~500μm)的PCP具有较好的引晶效果,且对应硅锭的O_i含量显著降低。
- 董慧尹长浩王梓旭钟根香周建华黄新明
- 关键词：异质形核
