张灿
- 作品数：27 被引量：11H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法
- 本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区制作光栅；在整个管芯...
- 梁松张灿于立强赵玲娟朱洪亮吉晨王圩
- 文献传递
- 利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯片的方法
- 本发明公开了一种利用量子阱混杂技术制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括如下步骤:在衬底上依次外延缓冲层、多量子阱有源区、快速退火缓冲层和空位释放层;腐蚀去掉激光器、探测器和光放大器区的空位释放层后生长二氧化硅，一次退火...
- 张灿朱洪亮梁松
- 文献传递
- DFB激光器阵列与MMI耦合器、SOA的单片集成被引量：4
- 2013年
- 采用变脊宽原理和对接生长技术,设计并制作了4通道分布反馈(DFB)激光器阵列与多模干涉(MMI)耦合器、半导体光放大器(SOA)的单片集成器件。在25℃的测试温度下,激光器的阈值电流约55～60mA;当激光器注入150mA、SOA注入50mA电流时,各通道的出光功率保持在2mW以上,出射波长处于1 550nm波段,边模抑制比(SMSR)大于33dB,4通道可实现单独或同时工作。
- 马丽朱洪亮梁松王宝军张灿赵玲娟边静陈明华
- 关键词：单片集成
- Cu溅射诱导增强量子阱混杂实验研究被引量：1
- 2014年
- 在InP基异质结InGaAsP多量子阱(MQW)结构上溅射Cu/SiO2复合层,开展了量子阱混杂(QWI)材料的实验研究。经快速退火(RTA),实现了比常规无杂质空位扩散(IFVD)方法更大的带隙波长蓝移量。在750℃、200s的退火条件下,获得最大172nm的波长蓝移;通过改变退火条件,可实现不同程度的蓝移,满足光子集成技术中不同器件对带隙波长的需求。为了验证其用于光子集成领域的可行性,利用混杂技术分别制备了宽条激光器和单片集成电吸收调制激光器(EML)。在675℃退火温度,80s、120s和200s的退火时间下分别实现了61、81和98nm的波长蓝移;并且,相应的宽条激光器的电激射光(EL)谱偏调量与其材料的光致荧光(PL)谱偏调量基本一致。在675℃、120s退火条件下,制备的EML集成器件中,电吸收调制器(EAM)和分布反馈(DFB)激光器区的蓝移量分别83nm和23.7nm,相对带隙差为59.3nm。EML集成器件在激光器注入电流为100mA、调制器零偏压时出光功率达到9.6mW;EAM施加-5V反向偏压时静态消光比达16.4dB。
- 崔晓张灿梁松Hou Lianping朱洪亮
- 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法
- 本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区制作光栅；在整个管芯...
- 梁松张灿于立强赵玲娟朱洪亮吉晨王圩
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- 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法
- 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的...
- 张灿梁松朱洪亮马丽
- 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法
- 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的...
- 张灿梁松朱洪亮马丽
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- 用于WDM-PON的宽带可调谐脊波导DBR激光器
- 可调谐激光器作为现代波分复用(WDM)光学通信系统[1]的关键器件受到广泛关注,较固定波长的分布反馈(DFB)激光器而言,可调谐激光器的使用极大地减少了WDM系统的搭建和运作费用.与取样光栅分布布拉格反射(S GDBR)...
- 韩良顺梁松朱洪亮赵玲娟张灿余力强王圩
- 可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法
- 本发明公开了一种可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法。激光器包括管芯，管芯依次包括衬底、下波导层、有源区层、上波导层、光栅盖层、包层、电接触层，在垂直于各层的叠置方向的水平面的第一方向上延伸有一个脊波导，在...
- 余力强梁松赵玲娟张灿吉晨
- 文献传递
- DFB激光器阵列集成器件的热串扰分析
- 对研制出的DFB激光器阵列与MMI、SOA的单片集成器件进行了初步的电注入热串扰分析.在20℃下的测试温度下，当邻近支路的激光器注入电流发生改变时，测试支路的激光器波长发生红移；两者距离为100μ M且电流变化在L00M...
- 韩良顺马丽张灿梁松朱洪亮
- 关键词：电注入
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