张群社
- 作品数：15 被引量：24H指数：4
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省重大科技创新专项计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- SiC晶体PVT生长系统的流体力学模型及其有限元分析被引量：10
- 2005年
- 本文根据S iC晶体PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型,采用有限元法分析了生长腔内的热传导、辐射和对流对生长腔内和生长晶体中温度空间分布的影响。通过对生长腔内及生长晶体中温度瞬态和稳态分布的分析,得出在加热的初始阶段腔内气体对流对坩埚内的温度分布有较大影响,在系统热平衡后辐射对腔内温度分布起决定作用的结论。
- 张群社陈治明蒲红斌李留臣封先锋巩泽龙
- 关键词：SIC晶体温度场
- 用升华法生长SiC晶体的一种新颖的坩埚设计(英文)
- 2006年
- 本文提出一个用PVT法生长S iC晶体的坩埚的新颖设计。分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响;比较了档板取不同厚度时S iC粉源升华面和籽晶表面的温度分布。得出了在腔内增设档板后晶体生长面的温度更趋均匀的结论;获取了随着档板厚度的增加,腔内的轴向温度梯度随之增加,但同时晶体生长面的温度也会降低的设计原则。根据计算结果,选取档板厚度等于2mm为优化参数。
- 张群社陈治明蒲红斌李留臣封先锋
- 关键词：SIC温度场
- 人工晶体生长设备真空系统的优化设计被引量：3
- 2004年
- 真空系统的应用在现代科研生产领域中起着越来越重要的作用 ,越来越被人们所重视。真空系统设计的好坏 ,直接影响着晶体生长设备的成功与否 ,而提高真空系统的密封性 ,降低真空系统的漏气率是提高真空性能的主要措施。本文简要阐述了提高真空系统的密封性和降低漏气率的一些措施 ,包括真空系统设计中的结构设计、密封形式的选择、密封材质的选用等 ,提出了一种新型的静密封结构 。
- 李留臣陈治明蒲红斌封先锋张群社
- 关键词：真空系统高真空漏气率静密封低真空人工晶体
- 手动式划片机
- 一种手动式划片机，包括机座，机座上安装主、副导轨，滑动座通过滑动块在主导轨上移动，轴承座与滑动块连接，轴承座、工作台、面板通过丝杆和丝母在副导轨上移动，滑动座上安装有操纵杆、支撑杆和刀杆，刀杆上安装划片刀，轴承座和工作台...
- 陈治明李留臣蒲红斌封先锋张群社
- 文献传递
- 粉源对大直径SiC晶体生长的影响
- 本文研究SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的...
- 张群社陈治明封先锋刘博
- 关键词：温度场空隙率晶体生长
- 文献传递
- 用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计被引量：6
- 2004年
- 采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究。分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则。模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数。
- 蒲红斌陈治明李留臣封先锋张群社沃立民黄媛媛
- 关键词：碳化硅温度场半导体材料
- PVT法生长大直径6H-SiC晶体感应加热对系统的影响被引量：4
- 2007年
- 采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及晶体生长温度场的影响;分析比较了线圈不同高度和匝间距时晶体生长面径向温度梯度的变化。结果表明:在中频电源的输出功率和频率固定,盲孔内径不变的情况下,通过调整线圈匝间距和高度可以减小晶体生长面径向温度梯度,改善晶体的质量,同时又有较高的生长速率。
- 张群社陈治明李留臣蒲红斌封先锋
- 关键词：温度场温度梯度
- PVT法生长SiC晶体的热系统分析
- SiC单晶材料具有许多优良的物理特性，在高温、高频、大功率、抗辐射等方面极具应用前景。但是目前，SiC电子器件走向实用化的进展比较缓慢，主要障碍是生长的SiC晶体还不能满足器件对其质量和尺寸的要求，因此，如何制备大直径、...
- 张群社
- 关键词：SIC晶体温度场温度梯度焦耳热有限元
- 不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响被引量：4
- 2006年
- 本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸S iC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响;分析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需时间的不同。得出了在中频电源的输出功率和频率都不变的前提下,在线圈匝数已固定的条件下,通过缩小耦合间隙可以提高系统的加热效率,缩短系统达到热平衡状态所需时间的结论。
- 张群社陈治明李留臣蒲红斌封先锋陈曦
- 关键词：SIC磁矢势焦耳热
- PVT法生长大直径SiC晶体粉源的热特性及对生长的影响被引量：3
- 2007年
- 研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌;粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长.
- 张群社陈治明李留臣杨峰蒲红斌封先锋
- 关键词：温度场空隙率
