彭英姿
- 作品数：11 被引量：15H指数：2
- 供职机构：杭州电子科技大学理学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- CrPtMn顶钉扎自旋阀材料的交换耦合作用研究被引量：1
- 2013年
- 反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间的交换耦合作用是高性能自旋阀材料研究中的一个关键因素。本工作研究了CrPtMn顶钉扎自旋阀材料中的交换耦合场(Hex)与薄膜沉积条件以及退火处理之间的关系。研究表明:沉积后的自旋阀材料中的Hex大小与CrPtMn钉扎层的溅射工作气压关系不大,Hex约为7.96×103A/m。然而,经过240℃退火2 h处理后,Hex呈现出与CrPtMn沉积时的溅射工作气压相关的特性,随着溅射工作气压的增加而增大。材料退火后的交换耦合场Hex的温度特性良好,室温下约为2.39×104A/m。Hex随着测试温度的升高而逐渐减小,交换耦合场消失时的失效温度(blocking temperature)为315℃。
- 白茹钱正洪李健平孙宇澄朱华辰李领伟李源霍德璇彭英姿
- 关键词：交换耦合作用自旋阀
- 一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法
- 本发明涉及一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法。本发明的磁性材料的化学通式为：R-Cr<Sub>2</Sub>-Si<Sub>2</Sub>，其中R为稀土金属Er、Gd或Dy，该磁性材料具有体心ThCr<Sub>2<...
- 李领伟霍德璇彭英姿赵士超钱正洪
- 电阻热蒸法制备Cu_2O薄膜及其光学性能
- 2015年
- 用电阻热蒸法在玻璃基底上沉积铜薄膜,然后在空气中退火得到铜氧化物薄膜。分别用XRD、AFM、紫外-可见分光光度计对薄膜进行表征,研究退火温度及退火时间对铜氧化物薄膜结构和光学性能的影响。结果表明140~180℃退火时可以得到纯的Cu2O,薄膜表面颗粒大小在0.80~0.90μm之间,直接禁带宽度在1.8~2.5e V之间。
- 宋扬彭英姿杨凌云徐娙梅
- 关键词：CU2O热退火XRDAFM吸收谱
- 一种稀土-铬-硅基磁制冷材料的制备方法
- 本发明涉及一种稀土-铬-硅基磁制冷材料及其制备方法。本发明的磁性材料的化学通式为：R-Cr<Sub>2</Sub>-Si<Sub>2</Sub>，其中R为稀土金属Er、Gd或Dy，该磁性材料具有体心ThCr<Sub>2<...
- 李领伟霍德璇彭英姿赵士超钱正洪
- 文献传递
- 一种电化学法制备纳米氧化铈粉体的方法
- 本发明涉及一种电化学法制备纳米氧化铈粉体的方法。本发明首先配置电解液，并调节pH值至7。其次用标准三电极的电解槽装置作恒电位极化一个小时。然后再次调节电解液的pH值，并用标准三电极的电解槽装置再作恒电位极化一个小时。最后...
- 彭英姿霍德璇李领伟李源钱正洪孔哲郑梁张昭
- 文献传递
- 从M-T曲线上“奇异峰”分析掺杂3d族ZnO基稀磁半导体的磁学本质被引量：2
- 2007年
- 研究了用双束脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备的Zn0.95Co0.05O薄膜的结构和磁学性质.晶体结构分析表明制备的薄膜是具有ZnO沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构的单晶膜.当室温或低于室温时该薄膜具有磁性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁化强度随温度的变化曲线,在55K附近出现了一个小峰.小峰出现的温度与文献中报道的"奇异峰"出现的温度相似,虽然小峰凸起似乎并不如引文中的明显.没有实验结果表明引文中的"奇异峰"与纳米材料的量子效应有相关性.Zn0.95Co0.05O薄膜的磁学行为并不能用稀磁半导体的铁磁性解释.并对ZnO基稀磁半导体薄膜中的磁学本质进行了讨论.
- 彭英姿Thomas Liew叶志镇张银珠
- 关键词：稀磁半导体
- 一种电化学法制备纳米氧化铈粉体的方法
- 本发明涉及一种电化学法制备纳米氧化铈粉体的方法。本发明首先配置电解液，并调节pH值至7。其次用标准三电极的电解槽装置作恒电位极化一个小时。然后再次调节电解液的pH值，并用标准三电极的电解槽装置再作恒电位极化一个小时。最后...
- 彭英姿霍德璇李领伟李源钱正洪孔哲郑梁张昭
- 低温磁制冷用稀土-镍-硼-碳基磁性材料及制备方法
- 本发明涉及低温磁制冷用稀土-镍-硼-碳基磁性材料及制备方法。本发明的磁性材料的化学通式为：RNiBC，其中R为稀土金属Gd、Tb、Dy或Er，该磁性材料为四方晶体结构，属于P4/nmm空间群。本发明方法首先将稀土金属Tb...
- 李领伟霍德璇苏昆朋彭英姿钱正洪
- 文献传递
- Co掺杂ZnO薄膜的结构和磁学性能(英文)被引量：2
- 2008年
- 研究了用单束脉冲激光沉积法制备的Co掺杂ZnO薄膜的结构和磁学性能。XRD表征结果表明制备的薄膜是具有沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构。然而,进一步的高分辨电子显微镜结果显示整个样品上的晶体取向并不完全相同。很难说明形成了单晶。结果分析表明Co占据了部分Zn的格点,并对电子结构产生了影响。室温下观察到了磁滞回线,显示掺杂Co可以实现ZnO的磁性翻转,但磁性比较小。该薄膜与我们以前用双束脉冲激光沉积法制备的Co掺杂ZnO薄膜具有相似的性能,提示我们其内部的机制可能相似。
- 彭英姿叶志高叶志镇汪友梅朱丽萍
- 关键词：稀磁半导体脉冲激光沉积法磁性
- 脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能被引量：11
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7cm2/V·s以上。实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性。
- 叶志高朱丽萍彭英姿叶志镇何海平赵炳辉
- 关键词：氧化锌CO掺杂脉冲激光沉积
