徐阿妹
- 作品数：7 被引量：8H指数：1
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用导纳谱研究锗量子点的能级结构
- 1998年
- 提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为338meV。Ge量子点获1个空穴所需要克服的库仑势能约为30meV。
- 张胜坤朱海军蒋最敏胡冬枝徐阿妹林峰陆昉
- 关键词：量子点锗能级结构
- 自组织生长的锗量子点及其光致发光特性被引量：8
- 1998年
- Si和Ge低维体系材料由于其优越的光电特性,已经广泛地受到人们的重视,尤其是零维体系(量子点).理论预言,量子点尺寸减少到几个纳米时,它的能带结构可以从间接带隙转变为准直接带隙,相应的辐射复合跃迁几率大大增加.制备Ge及GeSi量子点的方法有许多,例如,光刻法、选区外延生长、局域分子束外延生长以及自组织生长方法等,其中自组织生长是一种既简便又有效的方法.由于Ge与Si的晶格常数相差较大,Ge在Si上的生长属于S-K模式,即当Ge外延层厚度超过临界厚度(6 ML)时。
- 朱海军蒋最敏徐阿妹毛明春胡冬枝黄大鸣陆昉胡长武粕谷厚生
- 关键词：量子点光致发光自组织生长锗
- 硅中δ掺杂材料的表征
- 1997年
- 利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个原子面内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念，测量了ｐ型Ｂδ掺杂材料的深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ），得到δ掺杂量子阱的子能级位置。
- 蒋最敏朱海军朱建红毛明春徐阿妹胡冬枝张翔九王迅
- 关键词：硅Δ掺杂
- Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究
- 1997年
- 本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性．
- 徐阿妹朱海军毛明春蒋最敏卢学坤胡际璜张翔九
- 关键词：半导体砷化镓硅
- 硅中δ掺杂材料的表征
- 利用低温生长技术抑制 Sb 偏析,实现了 Sb 的δ掺杂。同步辐射 X 射线反射率测量表明 Sb 被限制在很窄的范围,约2个原子面内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念,测量了 p 型 B δ掺杂材料的深能级瞬态谱（D...
- 蒋最敏朱海军朱建红毛明春徐阿妹胡冬枝张翔九王迅
- 文献传递
- X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响
- 1997年
- 利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的Ｘ射线衍射技术，研究了活化剂Ｓｂ对于Ｇｅ在Ｓｉ上外延过程的影响．当没有活化剂、Ｇｅ层厚度为６ｎｍ时，外延Ｇｅ层形成岛状，应力完全释放．当有Ｓｂ时、Ｇｅ在Ｓｉ上的生长是二维的，并且应力释放是缓慢的，即使Ｇｅ外延层厚为６ｎｍ，仍有４２％的应变没有弛豫．
- 朱海军蒋最敏郑文莉姜晓明徐阿妹毛明春毛明春张翔九胡冬枝
- 关键词：X射线衍射
- Si局域分子束外延技术
- 1998年
- 利用局域分子束外延技术生长了含有SiGe量子阱的岛状结构。实现了生长的岛状结构侧面不与掩模材料相接触。这种含有量子阱的岛状结构具有比相同结构量子阱强20多倍的光致发光强度。
- 朱海军蒋最敏徐阿妹毛明春卢学坤刘晓晗黄大鸣
- 关键词：掩模
