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戴元滨

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇单晶
  • 6篇退火
  • 6篇高温退火
  • 5篇单晶生长
  • 5篇位错
  • 4篇氮化镓
  • 4篇气相外延
  • 4篇氢化物气相外...
  • 4篇外延片
  • 4篇衬底
  • 3篇生长温度
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔结构
  • 2篇图形化
  • 2篇氢化
  • 2篇氢化物
  • 2篇中位
  • 2篇外延层

机构

  • 14篇山东大学

作者

  • 14篇戴元滨
  • 13篇吴拥中
  • 13篇郝霄鹏
  • 13篇田媛
  • 13篇邵永亮
  • 11篇张雷
  • 7篇霍勤
  • 4篇张浩东
  • 4篇刘晓燕
  • 3篇李先磊
  • 1篇张保国

年份

  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 7篇2014
  • 1篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法
本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层...
郝霄鹏戴元滨邵永亮吴拥中刘晓燕张浩东田媛
文献传递
在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法
一种在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法，包括以下步骤：（1）SiC晶片清洗；（2）将SiC晶片装入HVPE反应室中；（3）将HVPE反应室抽真空后，通入N<Sub>2</Sub>至HVPE反应室内气压升至室内实...
郝霄鹏田媛邵永亮吴拥中张雷戴元滨霍勤
文献传递
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×10<Sup>2</Sup>-1×10<Sup>4</Sup>Pa，向加热...
郝霄鹏田媛张雷吴拥中邵永亮戴元滨张浩东
文献传递
一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法
本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层...
郝霄鹏戴元滨邵永亮吴拥中刘晓燕张浩东田媛
在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法
一种在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法，包括以下步骤：（1）SiC晶片清洗；（2）将SiC晶片装入HVPE反应室中；（3）将HVPE反应室抽真空后，通入N<Sub>2</Sub>至HVPE反应室内气压升至室内实...
郝霄鹏田媛邵永亮吴拥中张雷戴元滨霍勤
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一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法
一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×10<Sup>2</Sup>-1×10<Sup>4</Sup>Pa，向加热...
郝霄鹏田媛张雷吴拥中邵永亮戴元滨张浩东
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通过制备N面锥形结构衬底获得自支撑GaN单晶的方法
本发明提供一种通过制备具有N面锥形结构的衬底实现自剥离并获得自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)对GaN外延片使用化学湿法腐蚀进行Ga面腐蚀形成到达衬底的腐蚀坑...
郝霄鹏邵永亮张雷吴拥中戴元滨田媛霍勤
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多孔衬底上HVPE生长GaN单晶的研究
以GaN为代表的Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体由于其出色的性能，在微电子器件和光电器件领域有广泛的应用。然而现阶段GaN基器件大多是异质外延制备的，晶格失配和热失配限制了GaN基器件的性能提高。同质外延已经被公认为从根本上解决Ga...
戴元滨
关键词：氮化镓单晶生长
通过生长低温插入层制备自剥离HVPE氮化镓的方法
氢化物气相外延法(HVPE)是最有前景的制备自支撑氮化镓(GaN)的方法,具有生长速度快,成本低,生长的GaN质量好等优点。目前,HVPE法生长GaN主要采用异质衬底,如AlO、SiC和GaAs等。因此,如何将GaN和异...
田媛郝霄鹏吴拥中张雷邵永亮戴元滨霍勤张保国
关键词：氮化镓
文献传递
一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法
一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：（1）在GaN外延片上制备SiO<Sub>2</Sub>图形掩膜；（2）将带有SiO<Sub>2</Sub>图形掩膜的GaN外延片在真空炉内高温退火；（3...
郝霄鹏戴元滨吴拥中张雷邵永亮刘晓燕田媛
文献传递
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共2页<12>
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