敬守勇
- 作品数：14 被引量：23H指数：4
- 供职机构：深圳大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省应用基础研究基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信冶金工程更多>>
- 等离子体焰流生长大尺寸氮化铝晶体的方法
- 一种采用等离子焰流加热原材料生长氮化铝单晶体的方法，包括如下步骤：采用等离子体焰流作为加热源，原材料使用氮化铝微粉或高纯铝微粉和氮气，并通过载气送入，下粉速率可以调整和控制，使用氮化铝单晶体作为晶种或使用氮化铝多晶体作为...
- 敬守勇郑瑞生刘文段子刚
- 文献传递
- 等离子体焰流生长大尺寸氮化铝晶体的方法
- 一种采用等离子焰流加热原材料生长氮化铝单晶体的方法，包括如下步骤：采用等离子体焰流作为加热源，原材料使用氮化铝微粉或高纯铝微粉和氮气，并通过载气送入，下粉速率可以调整和控制，使用氮化铝单晶体作为晶种或使用氮化铝多晶体作为...
- 敬守勇郑瑞生刘文段子刚
- 文献传递
- 二维嵌套复式结构声子晶体的带隙研究被引量：5
- 2009年
- 用小尺寸多圆柱阵列替代简单晶格中的每个单圆柱基元,构成一种全新的嵌套复式正方周期结构二维声子晶体。借助于平面波法计算了其带隙结构,得出了带隙分布图,讨论了基元阵列的内组合方式及总填充率对带隙范围和带隙数目的影响,并与简单晶格进行比较,从理论上验证了嵌套复式声子晶体利用小尺寸圆柱阵列展宽带隙及增加带隙数目的可行性。
- 胡家光张晋敬守勇
- 关键词：声子晶体带隙平面波法
- 一种Boost型PFC电路控制芯片的设计被引量：1
- 2007年
- 设计了一种Boost型功率因数校正(PowerFactorCorrection,PFC)电路的控制芯片.PFC控制策略采用以前研究工作中提出的一种全新方式,适用于CMOS工艺来制备专用控制芯片.通过对这种新控制方式的分析,首先划分出了实现芯片控制电路所需的功能模块,再对各个模块进行了具体的电路设计.模拟结果证实了整体电路能够实现设计要求.
- 潘飞蹊敬守勇
- 关键词：功率因数校正BOOSTCMOS工艺电流镜
- 嵌套复式三角晶格固/气型声子晶体的带隙研究被引量：1
- 2009年
- 设计了一种新型的嵌套复式三角晶格固/气型声子晶体,用两个相切的圆柱替代简单三角晶格中的每个单圆柱基元,采用平面波法计算了其弹性波带隙结构。与简单三角晶格相比,嵌套复式三角晶格可以在更低的填充率及更低的频率位置产生宽带隙,在相同的填充率下,嵌套复式三角晶格最高可以获得宽度为4.4倍于简单三角晶格第一带隙宽度的最低带隙,而且中心频率低至简单三角晶格第一带隙中心频率的二分之一。
- 胡家光张晋敬守勇
- 关键词：声子晶体弹性波带隙平面波法
- 坩埚预处理技术在氮化铝晶体生长工艺中的应用被引量：3
- 2006年
- 在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一。实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在氮气环境下进行一次高温处理,使钨坩埚体与盖接触的部位形成碳化钨保护层,可以有效地解决高温下钨坩埚体与盖相粘结的问题,大大提高了坩埚的使用寿命。使用经过预处理的钨坩埚,用物理气相法生长出0.8mm×1.5mm氮化铝单晶体和36mm×5mm氮化铝多晶片。
- 武红磊郑瑞生孙秀明罗飞杨帆刘文敬守勇
- 关键词：坩埚
- 粉料预处理方法对氮化铝晶体形态的影响
- 2007年
- 以氮化铝粉料为原料，在高纯氮气条件下用物理气相法制备氮化铝晶体。采用不同方法对氮化铝粉料进行预处理，研究它对氮化铝晶体形态的影响。实验结果表明，通过对氮化铝粉料的预烧结，可以有效地减少粉料中杂质的含量，实现合适的气体输运速率，从而得到了尺寸较大、质量较高的六棱柱形的氮化铝单晶体。
- 孙秀明郑瑞生武红磊杨帆刘文敬守勇
- 关键词：氮化铝晶体晶体形态
- 氮化铝晶须的形态与生长条件的关系
- 2006年
- 实验以氮化铝粉料为原料,在高纯氮气气氛下用物理气相法在密闭式和半开式钨坩锅内高温生长出氮化铝晶须;并对氮化铝晶须的结晶形态与生长条件的关系进行了分析和探讨。
- 鲁枫郑瑞生刘文敬守勇武红磊孙秀明
- 关键词：氮化铝晶须
- 气相生长氮化铝单晶的新方法被引量：8
- 2007年
- 通过在钨坩埚盖开小孔的方法改变氮化铝结晶衬底上的温度场分布,在开孔处形成局部低温区;由于孔的几何尺寸的限制和氮化铝晶体生长的各向异性,开孔处的氮化铝晶体单晶化;随后,开孔处的单晶起籽晶的作用,逐渐长成较大尺寸、较高质量的氮化铝单晶。目前用该方法已经制备出直径大于2mm的氮化铝单晶体。
- 武红磊郑瑞生孙秀明罗飞杨帆刘文敬守勇
- 关键词：氮化铝单晶
- 三角晶格固/气型声子晶体的弹性波带隙结构被引量：4
- 2009年
- 将椭圆钢柱散射体引入到三角晶格固/气型声子晶体中,用平面波法计算了其带隙结构。研究表明,通过降低散射体横截面的对称度,可在几乎不改变带隙中心频率的条件下获得更宽的低频带隙,还能在极低的填充率下实现低频带隙。随着填充率的增大,带隙变宽,中心频率下降。当散射体绕其中心轴的旋转角度小于60°时,带隙宽度随旋转角度的增大而减小,但带隙中心频率基本不受影响。
- 胡家光张晋敬守勇
- 关键词：声子晶体弹性波带隙平面波法
