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方奇术

作品数:9 被引量:7H指数:2
供职机构:宁波大学信息科学与工程学院宁波市新型功能材料及其制备科学国家重点实验室培育基地更多>>
发文基金:宁波市自然科学基金宁波大学王宽诚幸福基金浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇理学

主题

  • 9篇坩埚下降法
  • 9篇下降法
  • 6篇坩埚下降法生...
  • 6篇晶体
  • 6篇晶体生长
  • 5篇单晶
  • 3篇谱性质
  • 3篇钨酸
  • 3篇钨酸镉
  • 3篇光谱
  • 3篇光谱性
  • 3篇光谱性质
  • 2篇激光
  • 2篇激光晶体
  • 2篇CE3
  • 1篇单晶生长
  • 1篇射线衍射
  • 1篇体缺陷
  • 1篇晶体加工
  • 1篇晶体缺陷

机构

  • 9篇宁波大学
  • 2篇昆明物理研究...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 9篇方奇术
  • 7篇陈红兵
  • 5篇蒋成勇
  • 5篇王苏静
  • 4篇徐方
  • 4篇梁哲
  • 3篇肖华平
  • 2篇杨培志
  • 2篇武安华
  • 1篇李振荣
  • 1篇沈琦
  • 1篇徐卓
  • 1篇周燕飞
  • 1篇王西安

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇宁波大学学报...

年份

  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
新型氟化物激光晶体Ce3+:LiCaAlF6的生长与光谱性质
近二三十年来,LiCaAlF6晶体作为优良的可调谐激光晶体基质材料,受到国内外学者的广泛关注。至今,Ce3+:LiCaAlF6晶体作为紫外可调谐晶体的晶体生长和光谱性质已被大量文献报道,证实Ce3+:LiCaAlF6晶体...
方奇术
关键词:激光晶体氟化物晶体生长坩埚下降法光谱性质
文献传递
坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性被引量:5
2009年
采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发,且熔体中CdO比WO3更加易于挥发;CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征,初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高,后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小,相应地单晶在380~550nm区域的光透过率略有降低,X射线激发发光强度有所降低,且发光波长出现略微红移的趋势.通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理,可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性.
陈红兵肖华平徐方方奇术蒋成勇杨培志
关键词:钨酸镉晶体生长坩埚下降法光学均匀性
非真空密闭条件下的Ce3+:LiYF4晶体生长被引量:1
2009年
本文报道了氟化物激光晶体Ce3+∶LiYF4的坩埚下降法生长工艺。以高纯氟化物LiF、YF3和CeF3为初始试剂,按照LiF∶YF3∶CeF3=51.5∶47.5∶1.0的物质的量比配料,经高温氟化处理合成严格无水的Ce3+∶LiYF4多晶料。将Ce3+∶LiYF4多晶料密封于铂坩埚中,添加少量聚四氟乙烯粉末,可避免氟化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现Ce3+∶LiYF4晶体的坩埚下降法生长,成功生长出尺寸达28 mm×70 mm的无色透明完整单晶。采用XRD、差热/热重分析、透射光谱和荧光光谱对Ce3+∶LiYF4单晶基本性质的进行表征。结果表明,该晶体在320~3000 nm区域内的光透过率达90%以上,晶体在297 nm处有一强吸收峰;荧光光谱显示晶体在紫外光区310nm、325 nm处有两个强发射峰。
徐方方奇术王苏静武安华蒋成勇陈红兵
关键词:激光晶体晶体生长坩埚下降法
碘化钾单晶的非真空密闭坩埚下降法生长
2010年
本文报道了KI单晶在非真空密闭条件下的坩埚下降法生长。以经充分干燥的高纯KI多晶为原料,将KI多晶料密封于套层铂坩埚中,添加少量活性碳粉末,可避免碘化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现KI单晶的坩埚下降法生长。在晶体生长过程中,炉体温度调节于750~770℃,固液界面温度梯度为30~40℃/cm,坩埚下降速率控制为1~2mm/h,成功生长出尺寸为25mm×50mm的透明完整KI单晶。采用XRD、DTA-TG、透射光谱、荧光光谱对所获KI单晶进行了测试表征,结果表明该单晶具有良好的光学均匀性,在450~2500nm波长范围的光学透过率达70%以上,其光学吸收边位于280nm左右;在266nm脉冲光激发下,该单晶具有397nm峰值波长的荧光发射。
王苏静陈红兵方奇术徐方梁哲蒋成勇杨培志
关键词:坩埚下降法光谱性质
坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷被引量:4
2010年
采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化。结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象。
陈红兵沈琦方奇术肖华平王苏静梁哲蒋成勇
关键词:钨酸镉晶体生长坩埚下降法晶体缺陷
垂直坩埚下降法生长钨酸镉单晶的缺陷研究
钨酸镉(CdWO4)单晶是综合性能优良的闪烁晶体材料,与其它多种无机闪烁晶体相比较,CdWO4闪烁单晶具有发光效率较高、余辉弱、X射线吸收系数大、抗辐照损伤性能强、
陈红兵方奇术肖华平徐方王苏静蒋成勇
文献传递
坩埚下降法生长弛豫铁电晶体PIMNT的单晶性表征
2011年
采用固相合成法制备PIMNT多晶料,通过垂直坩埚下降法生长出大尺寸PIMNT晶体;从晶体原坯不同部位切取系列晶片,应用X射线衍射旋转定向测试法,获得这些晶片的常规扫描图和蝴蝶图,从而对PIMNT晶体的单晶性做出分析表征。X射线粉末衍射分析表明PIMNT晶体为钙钛矿结构,系列晶片的常规扫描图显示整个晶体轴向自下至上均呈[111]结晶学方向,其蝴蝶图所示晶体的取向分散度为1.2°-1.5°,这些结果证实了所生长PIMNT晶体的单晶性。
梁哲陈红兵方奇术王西安李振荣徐卓
关键词:晶体生长X射线衍射
LiCaAlF_6单晶的非真空坩埚下降法生长
2010年
以高纯氟化物LiF、CaF2和AlF3为初始试剂,按照精确化学计量比1:1:1摩尔比配料,经高温氟化处理合成严格无水的LiCaAlF6多晶料.将该多晶料密封在铂坩埚中,添加少量聚四氟乙烯粉末,可避免氟化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现LiCaAlF6单晶的坩埚下降法生长.在单晶生长过程中,炉体温度控制于910~930℃,固液界面温度梯度为30℃.cm-1左右,坩埚下降速率为0.5~1.0mm·h-1,成功生长出无色透明的LiCaAlF6单晶.应用XRD、透射光谱,红外光谱进行了LiCaAlF6单晶基本性质的测试表征.结果表明,该单晶在190~1100nm区域内的光透过率达85%以上.
方奇术王苏静梁哲周燕飞武安华陈红兵
关键词:单晶生长坩埚下降法
新型氟化物激光晶体Ce<sup>3+</sup>:LiCaAlF<sub>6</sub>的生长与光谱性质
近二三十年来,LiCaAlF<sub>6</sub>晶体作为优良的可调谐激光晶体基质材料,受到国内外学者的广泛关注。至今, Ce<sup>3+</sup>:LiCaAlF<sub>6</sub>晶体作为紫外可调谐晶体的晶...
方奇术
关键词:晶体生长坩埚下降法晶体加工
共1页<1>
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