朱世富
- 作品数：312 被引量：551H指数：12
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- ZrO_2介质膜的光热吸收研究
- 2004年
- 报道了用直流反应溅射法在低氧分压条件下(6.0×10-3～8.0×10-3Pa)沉积ZrO2介质膜的制备工艺,XRD分析表明该条件下制备的ZrO2介质膜结构均为非晶态,表面光热技术测量其在10.6μm波长下的吸收系数为1.223×10-3～1.285×10-3cm-1,且吸收率随氧分压的升高而降低.这表明,表面光热测量是一种既简单又有很高灵敏度的实时检测技术,而在直流反应溅射法中氧分压是一个非常敏感的工艺参数,并显著地影响着膜层的光吸收.
- 陈松林赵北君朱世富马平何知宇
- 关键词：ZRO2
- 中远红外非线性光学晶体AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2研究进展
- ＜正＞AgGaS2晶体,是Ⅰ-Ⅲ-VI2三元化合物半导体,空间群I4 2d,常温下呈黄色,熔点996℃,禁带宽度2.76eV;AgGaSe2是与AgGaS2同系列的黄铜矿类晶体,常温下呈深灰色,熔点860℃,禁带宽度1....
- 赵北君朱世富何知宇陈宝军赵玲樊龙黄巍刘维佳
- 双温区生长CdSe单晶及其红外表征
- 硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长出Φ15×40mm，电阻率为107～108(Ω.cm)量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD...
- 叶林森赵北君朱世富何知宇任锐王瑞林钟雨航温才李佳伟
- 关键词：硒化镉晶体生长
- 文献传递
- X射线法测量粘结炸药的残余应力被引量：5
- 2007年
- 用X射线衍射法测量了高聚物粘结炸药(PBX)的残余应力,在2θ=72.5°附近发现三氨基三硝基苯(TATB)的新衍射峰,测出PBX的残余应力均为拉应力,大小约几个兆帕,边缘位置应力大于中心部位,对样品进行热处理或放置一段时间后应力减小,不同成型压力PBX的晶粒尺寸有差异。实验结果表明,X射线衍射法测量PBX的残余应力是一种方便有效的方法,对PBX残余应力的研究及其应用具有重要意义。
- 雍志华朱世富赵北君陈靖华张伟斌韦兴文
- 关键词：高聚物粘结炸药X射线衍射法残余应力应力分布
- 金弹性性质压力效应的分子动力学模拟被引量：1
- 2007年
- 基于Mei的势函数,在0-100 GPa范围内对金的弹性性质进行了分子动力学计算。通过拟合Birch-Mur-naghan方程得到体变模量对压力的导数B0′=5.3。计算表明,加压后金的强度和刚性增强;Zener比值随压力增大而减小,但在所考察压力范围内,金仍然保持着较大的弹性各向异性;声学各向因子随压力不敏感,因而沿[100]和[111]方向传播的弹性纵波波速之比无显著变化。
- 谢林华朱世富
- 关键词：分子动力学AU压力效应
- 一种硒硫化镉多晶的合成方法
- 一种硒硫化镉多晶的合成方法，所述硒硫化镉多晶为CdS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1‑x</Sub>多晶或Cr:CdS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1‑x</Sub>多晶，合成CdS<Sub>x</Sub...
- 黄巍何知宇陈宝军赵北君朱世富伍俊
- 文献传递
- ZnGeP_2单晶生长温场研究被引量：2
- 2009年
- 根据ZnGeP2（ZGP）晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达φ15 mm×35 mm。对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿（101）面解理,其回摆峰尖锐无劈裂。对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2-12μm波段内红外透过率达45%以上。研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高。
- 孙永强赵北君朱世富赵欣杨慧光程江张羽陈宝军何知宇
- 关键词：晶体生长红外透过率X射线衍射
- CdSe晶体倍频光学参数及元件加工研究被引量：5
- 2009年
- 对红外非线性光学晶体CdSe的倍频光学参数及其元件加工进行了研究。根据非线性光学原理和折射率色散关系,从理论上计算出CdSe晶体的有效非线性系数和倍频元件相位匹配角与基频光波长(5.5～10.0μm)的调谐特性曲线,从实验上探索到一种通过解理试验和XRD定向测试,快速确定其光轴方向的晶体定向新方法。结果表明,CdSe晶体在Ⅱ类相位匹配条件下的有效非线性系数deff为d15sinθ,倍频转换效率与方位角无关;在Ⅰ类相位匹配条件下其有效非线性系数deff恒等于0,无倍频输出。根据理论计算结果,运用定向新方法,针对VUVG法生长出的外观无方向特征的CdSe晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出基频波长为9.6μm的CdSe晶体Ⅱ类相位匹配倍频元件,尺寸达9.5mm×9.5mm×18mm。
- 曾体贤赵北君朱世富何知宇陈宝军卢大洲
- 关键词：相位匹配
- 各向异性介质浮雕光栅体内光波场的传输被引量：2
- 2010年
- 分析了各向异性介质光栅体内光波场的空间分布,并将RTRA递推算法推向了各向异性介质内光波场的传输.数值计算表明,光波场光强的空间分布随透射深度的变化而变化,各向异性介质光栅体内光波场的空间分布相对各向同性介质要均匀,光栅材料的性质参数和光束的入射参数对光波场光强的空间分布有较大的影响等.
- 李建龙唐世红朱世富傅克祥
- 两温区气相输运温度振荡法合成AgGaS_2多晶材料被引量：5
- 2005年
- 根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析,采用同成分点配料,分别采用一种新方法———两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGaS2多晶材料。通过XRD对合成AgGaS2多晶的分析,结果发现:新方法合成的原料纯度及均匀性优于普通气相输运法合成的样品。晶体生长实验表明:新方法合成的AgGaS2多晶材料生长出的单晶外观完整、无裂纹,红外透过率达67%,而普通气相输运法合成的多晶材料生长出的单晶体红外透过率36%。因此,两温区气相输运温度振荡法是合成高质量AgGaS2多晶材料的一种较好的新方法。
- 张建军朱世富赵北君王瑞林李一春陈宝军黎明刘娟
- 关键词：多晶合成
