李博
- 作品数：187 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- DC/DC变换器稳定性的分析方法
- 2015年
- DC/DC变换器属线性混合系统一类.其稳定性分析必须考虑到它们的切换特性.本文介绍一种简单的稳定性分析方法,它可预测被控制的DC/DC变换器在参数变化条件下可能出现的不稳定性及混沌现象.由于它很容易被加入到集成电路的设计流程中,为集成DC/DC变换器设计师提供了一个有效的辅助设计工具.
- 林雪芳B.Allard毕津顺李博
- 关键词：DC/DC转换器稳定性分析
- 一种碳纳米管场效应晶体管建模方法及装置
- 本发明公开了一种碳纳米管场效应晶体管建模方法及装置，其中方法包括：构建基于nano模型的碳纳米管场效应晶体管的描述模型；描述模型为解析模型，描述模型包括带带隧穿电流模型，带带隧穿电流模型中设置有修正端口电压的基准电压，基...
- 卜建辉刘艺璇杨晨刘海南赵发展李博
- 一种半导体缺陷表征的方法、装置、系统、设备及介质
- 本发明公开了一种半导体缺陷表征的方法、装置、系统、设备及介质，包括：获取待测样品材料类型，其中，所述待测样品为半导体材料；基于所述待测样品材料类型，调整所述待测样品的温度；基于二次谐波表征方法，对调整温度后的所述待测样品...
- 赵泓达李博王磊王然张紫辰张昆鹏罗家俊滕瑞
- 文献传递
- 一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置
- 本发明涉及晶体管噪声处理技术领域，具体涉及一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置。该方法包括：利用噪声电流源和噪声电压源，模拟产生MOS器件的噪声；等效计算MOS器件的漏极电阻热噪声和MOS器件的沟道热噪声；...
- 周润发李博宿晓慧任洪宇郑中山卜建辉赵发展
- 一种自动校验数据的SRAM安全存储系统及其方法
- 本发明涉及一种自动校验数据的SRAM安全存储系统，属于SRAM存储技术领域，解决了现有技术不能准确衡量SRAM芯片的老化程度、不能给出自动校验SRAM安全性的问题。该系统包括：计时模块，用于监测各个SRAM芯片的待机时间...
- 李博苏泽鑫宿晓慧王磊卜建辉赵发展韩郑生
- 一种带有自适应增益控制的激光雷达模拟前端被引量：1
- 2021年
- 为了处理宽动态范围的激光脉冲回波信号,设计了一种带有自适应增益控制技术的模拟前端。通过分段调节跨阻放大器的跨阻增益,实现了在1μA~1mA范围内输入电流与输出电压近似线性的关系。提出了自触发使能方法,可以在没有外部清零信号的情况下连续接收回波信号。提出了一种新型差分移位时刻鉴别电路,能有效减小行走误差。电路采用0.11μm CMOS工艺设计,后仿真结果表明,-3dB带宽为530MHz,最大跨阻增益为103dBΩ,等效输入噪声电流谱密度为6.47pA·Hz^(-1/2)@350MHz,输入动态范围为60dB,功耗小于100mW。该模拟前端电路设计适用于飞行时间脉冲激光雷达。
- 赵日新刘兴辉赵宏亮程帅程帅赵野赵野赵发展
- 关键词：跨阻放大器飞行时间
- 亚阈值电路单元延时波动统计建模方法
- 2023年
- 集成电路产业的不断发展以及行业对高能效的不断追求使得工艺尺寸不断缩小,越来越多的电路工作在亚阈值区,工艺参数波动导致电路延时呈现非高斯分布。统计静态时序分析作为先进工艺下用于分析时序的新手段,采用将工艺参数和延时用随机变量表示的方法,可以加速时序收敛,显示预期成品率。文章主要研究了亚阈值电路单元延时波动的统计建模方法。分别对单时序弧和多时序弧的蒙特卡洛金标准数据进行建模研究。提出了单时序弧单元延时的分布拟合统计建模方法,其误差小于6.30%。提出了多时序弧单元延时人工神经网络统计建模方法,其误差小于4.95%。
- 许婷闫珍珍刘海南刘海南乔树山李博李博
- 关键词：亚阈值主成分分析人工神经网络
- 一种TiO<Sub>2</Sub>光催化消解装置及其制备方法
- 本发明公开了一种TiO<Sub>2</Sub>光催化消解装置，属于环保技术领域。该装置包括涂覆有TiO<Sub>2</Sub>的石英玻璃片Ⅰ，在与石英玻璃片Ⅰ上涂覆的TiO<Sub>2</Sub>区域相对应的区域涂覆有T...
- 刘焕明周静涛申华军李博杨成樾白云汤益丹
- 文献传递
- 基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置
- 本发明公开了一种基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：BSIMIMG背沟道器件模型和BSIMIMG正沟道器件模型，BSIMIMG背沟道器件模型以受控源形式合并至BS...
- 卜建辉王可为李多力李博李彬鸿刘海南罗家俊韩郑生
- 文献传递
- X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管的影响
- 2019年
- 针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影响,得出二极管阈值电压和发光功率随Si粒子注量的变化规律。对比研究结果指出,相比于辐射电离效应,辐射引起的位移效应、热峰效应和载流子移除效应是影响发光二极管特性的主要因素;重离子辐照对发光特性的影响早于电学特性,且辐射主要引起发光二极管色坐标Y分量的变化。
- 王磊王磊李博李博罗家俊刘新宇罗家俊
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱发光二极管X射线重离子
