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李含冬
作品数:
20
被引量:10
H指数:2
供职机构:
四川大学
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发文基金:
国家教育部博士点基金
国家自然科学基金
四川省科技攻关计划
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相关领域:
电子电信
理学
一般工业技术
电气工程
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合作作者
王喜娜
中国科学院物理研究所
袁洪涛
中国科学院物理研究所
曾兆权
中国科学院物理研究所
薛其坤
中国科学院物理研究所
杜小龙
中国科学院物理研究所
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作者
20篇
李含冬
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杜小龙
10篇
薛其坤
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曾兆权
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袁洪涛
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王喜娜
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朱世富
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共
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碲锌镉单晶体的生长与缺陷
碲锌镉(Cd<,x>Zn<,x>Te)(以下简称CZT)是一种重要的新型室温核辐射探测器材料,在许多方面均有重要用途,是目前固溶化合物半导体材料研究的前沿.由于其自身特点,采用传统布里奇曼法很难制备出高质量的单晶体,且存...
李含冬
关键词:
碲锌镉
晶体生长
位错
电子陷阱
文献传递
一种磷酸钒钠材料的无相变制备方法
本发明涉及电池材料技术领域,尤其涉及一种磷酸钒钠材料的无相变制备方法,包括以下步骤:分别称取非结晶态的羟基氧化钒、磷源、钠源和碳源混合,球磨1~7h,得到前驱体;将前驱体置于600~1000℃煅烧6~10h,冷却,得到N...
郭孝东
吴振国
李壮志
段晓霞
李含冬
碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察
被引量:9
2004年
本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103~105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。
高德友
赵北君
朱世富
王瑞林
魏昭荣
李含冬
韦永林
唐世红
关键词:
碲锌镉
单晶体
腐蚀坑
布里奇曼法
半导体材料
一种硫酸氧钛溶液制备低成本钛酸钠负极材料的方法
本发明属于钠离子电池技术领域,本发明提供一种硫酸氧钛溶液制备低成本钛酸钠负极材料的方法。该制备方法包括以下步骤:S1、底液预热:取适量去离子水于反应釜中,并预热至80℃‑110℃;S2、水解:在搅拌状态下,将硫酸氧钛溶液...
郭孝东
吴振国
胡昌燕
段晓霞
罗冬梅
李含冬
岩盐矿结构氧化物薄膜异质外延生长研究
金属氧化物尤其是岩盐矿结构金属氧化物具有独特的物理与化学性质,一直以来都是新材料应用研究的热点体系。相较于体单晶,氧化物的薄膜结构在科研与应用方面更具有优势,然而高质量单晶薄膜的制备非常困难。分子束外延(Molecula...
李含冬
关键词:
氧化物薄膜
异质外延生长
应力弛豫
MGO
CAO
透射电子显微术
一种耐活性氧腐蚀的衬底加热装置
本发明公开了一种耐活性氧腐蚀的衬底加热装置,包括固定板、两端开口的热屏蔽套筒、一片以上热屏蔽片、高温加热单元、一端开口的透明隔离罩单元以及衬底放置单元。本发明采用合理物理几何设计结构,能获得不低于1000℃均匀平面温场,...
李含冬
杜小龙
梅增霞
曾兆权
袁洪涛
王喜娜
董靖
张天冲
薛其坤
文献传递
一种高纯材料的高真空原位两步精炼方法
本发明公开了一种高纯以及超高纯材料的高真空原位两步精炼方法,其特点是在高真空条件下利用双加热丝扩散炉独立加热坩锅的上部与下部,从而在不同阶段使坩锅形成上高下低或上低下高的温度分布,然后分两步加热坩锅分别有效去除高饱和蒸汽...
杜小龙
袁洪涛
曾兆权
薛其坤
贾金锋
王喜娜
李含冬
文献传递
一种用于提炼高纯材料的高真空原位精炼装置
本发明公开了一种用于提炼高纯以及超高纯材料的高真空原位精炼装置,该高真空精炼装置由提炼腔、真空系统、扩散炉、坩锅、进料取料系统、保护气体装置以及工业智能温度控制器通过真空管件、气路以及导线等将各部分连接构成精炼装置整体。...
杜小龙
曾兆权
袁洪涛
薛其坤
贾金锋
李含冬
王喜娜
文献传递
一种耐活性氧腐蚀的新型高效衬底加热装置
本发明公开了一种耐活性氧腐蚀的衬底加热装置,包括固定板、两端开口的热屏蔽套筒、一片以上热屏蔽片、高温加热单元、一端开口的透明隔离罩单元以及衬底放置单元。本发明采用合理物理几何设计结构,能获得不低于1000℃均匀平面温场,...
李含冬
杜小龙
梅增霞
曾兆权
袁洪涛
王喜娜
董靖
张天冲
薛其坤
文献传递
一种用于提炼高纯材料的高真空原位精炼装置
本发明公开了一种用于提炼高纯以及超高纯材料的高真空原位精炼装置,该高真空精炼装置由提炼腔、真空系统、扩散炉、坩锅、进料取料系统、保护气体装置以及工业智能温度控制器通过真空管件、气路以及导线等将各部分连接构成精炼装置整体。...
杜小龙
曾兆权
袁洪涛
薛其坤
贾金锋
李含冬
王喜娜
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