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李子军

作品数:41 被引量:77H指数:5
供职机构:漳州师范学院物理与电子信息工程系更多>>
发文基金:山东省自然科学基金福建省教育厅科技项目内蒙古自治区自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 39篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 37篇理学
  • 5篇电子电信
  • 2篇机械工程

主题

  • 14篇极化子
  • 13篇自旋
  • 11篇磁极化
  • 11篇磁极化子
  • 7篇晶体
  • 7篇半导体
  • 6篇磁场
  • 5篇弱耦合
  • 5篇轴对称
  • 5篇自陷
  • 5篇自陷能
  • 5篇外场
  • 5篇基态能
  • 5篇基态能量
  • 5篇计算方法
  • 5篇磁场效应
  • 4篇电子自旋
  • 4篇振动
  • 4篇振动频率
  • 4篇声子

机构

  • 19篇烟台大学
  • 15篇内蒙古民族大...
  • 8篇内蒙古民族师...
  • 7篇漳州师范学院
  • 3篇呼伦贝尔学院
  • 2篇中国科学院长...

作者

  • 41篇李子军
  • 12篇肖景林
  • 6篇王子安
  • 6篇李根全
  • 5篇李岗
  • 5篇黄永顺
  • 4篇杨尚明
  • 4篇钟玉荣
  • 4篇李作宏
  • 4篇崔建营
  • 3篇白旭芳
  • 2篇王成舜
  • 1篇周小方
  • 1篇王海光
  • 1篇刘亚民
  • 1篇房本英
  • 1篇庄榕榕
  • 1篇陈育群
  • 1篇王宏达
  • 1篇张鹏

传媒

  • 14篇大学物理
  • 6篇光电子.激光
  • 5篇发光学报
  • 3篇半导体杂志
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇漳州师范学院...
  • 2篇烟台大学学报...
  • 1篇高压物理学报
  • 1篇泉州师范学院...
  • 1篇内蒙古民族大...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇中国科协首届...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 8篇2005
  • 4篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 3篇2001
  • 5篇2000
  • 4篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1992
41 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
晶格不具备五度及六度以上对称轴的双轴证明是正确的
2004年
指出晶格不具备五度及六度以上对称轴的双轴证明是正确的.
李子军
关键词:晶格空间群
自旋对晶体内磁极化子性质的影响
人们应用各种理论方法已广泛的研究了晶体内极化子的各种特性。但这些研究都是在不考虑电子自旋影响的情况下进行的,其理由是电子自旋作用较小,这对于某些晶体或晶体的某些特定范围是正确的。我们通过研究发现,对于另外一些晶体或晶体的...
李子军肖景林
关键词:磁极化子电子自旋半导体晶体
洛仑兹力的反作用力是电荷对电磁场的作用力
2011年
本文研究了洛伦兹力的反作用力问题.指出了目前人们所持的一些不妥的观点.分析了超距作用观点和近距作用观点的渊源和异同.明确了作用力与反作用力的意义和正确的界定.通过分析、研究、推导和论证,给出了洛仑兹力的反作用力是电荷对电磁场的作用力的正确结论.
王海光李子军
关键词:洛仑兹力
与象电荷有关的能量和互作用力问题被引量:10
1999年
指出与象电荷有关的系统的互能、互作用力和真实电荷系统的互能、互作用力分别相等,自能。
李子军李根全王宏达
关键词:互能自能电象法
相对论情形下相对静止运动电荷间的相互作用被引量:3
2010年
本文从相对论的角度来研究电磁规律.首先根据静态和低速情形下电荷间的相互作用规律来分析两个运动电荷之间相互作用的机理;再给出相对论情形下电荷间的相互作用形式和结果.
黄永顺李子军
关键词:狭义相对论运动电荷相互作用
自旋对表面磁极化子能量距离特性的影响被引量:1
2005年
在磁场为40T和考虑电子自旋的情况下,应用线性组合算符、变分和微扰法给出了半无限TlBr晶体内表面磁极化子能量与z(到晶体表面距离)之间的关系。电子自旋能量与电子和LO(体纵光学)声子之间的相互作用能之比以及与声子之间的相互作用能之比都随z增加而减小。电子自旋能量与电子和SO(表面光学)声子之间的相互作用能之比随z增加而增加。在z=0.5nm处,电子自旋能量与极化子的有效能量之比达到极大值,该比值在z<0.5nm范围随z增加而增加,在z>0.5nm范围随z增加而减小。这一结果对设计和研制自旋电子器件(如自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等)具有参考价值。
李子军李岗
关键词:TLBR电子自旋表面磁极化子
自旋对表面磁极化子自陷能磁场特性的影响
2005年
讨论了电子自旋对表面磁极化子特性的影响.应用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对电子与表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子自陷能Etr磁场特性的影响.以TlB r晶体为例所作的数值计算结果表明:电子自旋使Etr分裂为二,且随磁场B的加强,分裂间距增大;若电子与光学声子耦合强,自旋量子数mS取-1/2时,Etr随B的加强而增大,mS取1/2时Etr随B的加强而减少;若电子与光学声子耦合弱,不论mS取何值,Etr都随B的加强而减少;不论电子与光学声子耦合强还是弱,电子自旋作用对Etr的影响都随B的加强而增大.
李子军李岗
关键词:TLBR表面磁极化子电子自旋自陷能磁场特性
自旋对SIC半导体二维磁极化子基态能量的影响
2006年
应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SIC半导体性质的影响。基态能量E0+(对应于电子自旋量子数为正)和E0-(对应于电子自旋量子数为负)都随磁场增加而线性减少:在0 T时,E0+和E0-都为-76.24 MEV;在25 T时,E0+和E0-分别为-68.50 MEV和-71.39 MEV。自旋能量与E0+和E0-之比P0+和P0-都随磁场增加而快速增加:在0 T时,P0+和P0-都为0;在20 T时,P0+为0.627;在25 T时,P0-为0.453。自旋能量与LANDAU基态能量之比P2始终为0.23。自旋能量与自能和声子之间相互作用能量之比P1和P3都随磁场增加而线性增加:在0 T时,P1和P3都为0;在5 T时,P3为0.628;在40 T时,P1为0.306。这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。
李子军王子安房本英李岗
关键词:SIC半导体基态能量
GaAs晶体二维自旋磁极化子平均数的磁温效应
2006年
研究了半导体内弱耦合二维自旋磁极化子的磁场和温度特性.在有限温度和外加均匀恒定磁场的情况下,应用么正变换和线性组合算符法给出了GaAs晶体内极化子平均数与磁场和温度的依赖关系的理论表示,也作了数值分析.数值计算的结果表明:在某一确定的温度下,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随磁场的加强而减小;磁场较弱或温度较高时,平均数变化较剧烈;磁场较强或温度较低时,平均数变化较平缓;当外加磁场确定时,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随温度升高而增大;当温度较低或磁场较强时,平均数变化偏离线性关系;当温度较高或磁场较弱时,其变化接近线性关系.
李岗李子军
关键词:弱耦合磁场效应温度效应
电磁能量-动量转化和守恒定律四维形式的一种推导被引量:4
2004年
定义了电磁场的四维动量流密度张量,并将电磁能量转化和守恒定律及动量转化和守恒定律写成了四维协变形式.给出了三维电磁能量密度、能流密度、动量密度和动量流密度关于两个惯性系之间的变换关系.还给出了四维动量流密度张量与四维电磁场张量之间的依赖关系.
李子军杨尚明钟玉荣王子安李作宏崔建营
共5页<12345>
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