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李小祥

作品数:6 被引量:11H指数:2
供职机构:湖南大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇纳米
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 2篇热法
  • 2篇稳定性
  • 2篇纳米管
  • 2篇纳米线
  • 2篇硅纳米管
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇溶剂
  • 1篇溶剂热
  • 1篇溶剂热法
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇水热法制备
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇量子

机构

  • 6篇湖南大学

作者

  • 6篇李小祥
  • 4篇唐元洪
  • 3篇李甲林
  • 2篇李晓川
  • 1篇林良武
  • 1篇裴立宅

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇中国学术期刊...

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
多重气固反应制备一维SiC纳米线被引量:1
2008年
以硅片、石墨和SiO2粉末为原料,通过多重气固反应成功地制备出一维SiC纳米线.X射线衍射仪分析表明生成产物为立方结构的β-SiC.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察,该一维SiC纳米线的直径为30~50nm,长度可达几十甚至上百微米,为沿[111]方向生长的单晶β-SiC纳米线.根据多次对比实验的结果,由多重气固(VS)反应提出了该方法制备SiC纳米线的生长机理.
李甲林唐元洪李小祥李晓川
关键词:SIC纳米线
硅纳米线的发光性能研究及其应用前景被引量:4
2008年
硅纳米线是一种具有优异的物理、化学及力学性能的半导体材料,其独特的光致发光性能使硅纳米线有望在低维纳米材料发展的基础上实现硅基纳米结构的光集成电路。文中重点介绍了硅纳米线光致发光特性的研究现状及其发光机制的理论研究,最后对硅纳米线的应用前景加以展望。
李甲林唐元洪李小祥李晓川
关键词:硅纳米线光致发光量子限制效应发光机制
高压釜制备线状和网状纳米氧化硅及其光致发光
传统的微电子技术存在物理极限和人们对信息处理能力越来越高的要求使得信号的处理可能由电信号向光信号转变。氧化硅具有优良的绝缘性能,晶体的氧化硅具有良好的光导性能,通过对氧化硅薄膜和多孔氧化硅发光性能的研究表明氧化硅具有较强...
李小祥
关键词:溶剂热法纳米氧化硅氧化硅薄膜光致发光发光材料
文献传递
硅纳米管的稳定性及性能的理论研究被引量:4
2006年
硅纳米管(S iNTs)是一种继碳纳米管(CNT)和硅纳米线(S iNW s)之后的全新一维纳米材料。文中介绍了硅纳米管理论研究的最新进展,主要从理论上对硅纳米管的稳定性、稳定存在的形式及其性能,包括导电性能、热稳定性能、机械性能等进行了综述,最后,探讨了硅纳米管的发展前景并提出展望。
李小祥唐元洪裴立宅
关键词:硅纳米管稳定性
一维硅氧线的水热法制备及光致发光被引量:2
2007年
以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100~200nm,长度可以达到几十微米.X射线能谱仪(EDS)定量分析了该一维材料的成分,表明该纳米线由硅和氧两种元素组成.荧光光谱法测试了硅氧线的发光光谱,表明在426和446nm处有较强的发光.通过不同条件下的对比实验得到制备该纳米线的最佳条件,同时根据实验结果提出了该方法制备硅氧线的生长机理.
李小祥唐元洪林良武李甲林
关键词:水热法
共1页<1>
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