李扬
- 作品数：11 被引量：17H指数：3
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电气工程环境科学与工程更多>>
- 电场作用下Cu/Cu3Sn界面原子扩散行为的分子动力学模拟被引量：2
- 2020年
- 电子产品中的钎焊点失效可能会引起整个产品报废,这种情况下电子元器件的回收利用对节约资源意义重大。实现电子元器件的连接界面分离是其有效再利用的前提。旨在为开发可行的连接界面分离技术提供理论参考,本工作运用分子动力学方法模拟研究了电场作用下电场方向和电场强度对Cu/Cu3Sn界面原子扩散行为的影响。结果表明,电场方向对界面原子的扩散行为有显著影响,相同条件下施加正向电场的模型比未加电场的模型更容易发生扩散。进一步研究了正向不同电场强度下界面原子的扩散行为,发现电场强度的增加提高了界面附近Cu3Sn侧原子的本征扩散系数,降低了Cu晶体侧原子的本征扩散系数,从而使得界面原子的扩散速率差异更加显著,产生的柯肯达尔效应更明显,有利于实现Cu/Cu3Sn界面的分离。
- 郭丽婷李晓延姚鹏李扬
- 关键词：分子动力学模拟电场
- 导电硅藻土粉体制备及性能研究被引量：1
- 2011年
- 采用化学共沉淀法制备硅藻土表面包覆锑掺杂二氧化锡导电粉体,并对制备工艺条件进行详细研究;采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜对样品进行表征,采用四探针仪测试样品导电性能。结果表明:最佳的制备工艺条件为:溶液温度40℃、反应时间1 h、pH为1、Sn4+与Sb3+的物质的量比为8∶1、包覆率为38%、700℃下煅烧1 h。硅藻土表面形成厚度为30 nm左右的金红石结构的均匀包覆层,样品体积电阻率最低可达18Ω.cm。
- 杜玉成颜晶孟琪李扬
- 关键词：硅藻土化学共沉淀导电性能
- 微电子封装中全Cu_3Sn焊点形成过程中的组织演变及生长形貌被引量：1
- 2018年
- 在3D封装中,全Cu_3Sn焊点逐渐得到广泛应用。选择270℃,1N分别作为钎焊温度和钎焊压力,在不同钎焊时间下制备焊点,分析其组织演变过程,分别观察不同钎焊温度和钎焊时间下Cu_6Sn_5立体形貌,以研究Cu_6Sn_5生长规律及温度对其生长形貌的影响。结果表明:钎焊30min后Cu基板与液态Sn之间形成扇贝状Cu_6Sn_5,Cu_6Sn_5与Cu基板之间出现一层较薄的Cu_3Sn。当钎焊时间增加到60min后,液态Sn全部被消耗,上下两层Cu_6Sn_5形成一个整体。继续增加钎焊时间,Cu_3Sn以Cu_6Sn_5的消耗为代价不断长大,直到480min时Cu_6Sn_5全部转化成Cu_3Sn。Cu_6Sn_5长大增厚过程为表面形核、长大、小晶粒融合、包裹初始大晶粒。随着钎焊温度的增加,Cu_6Sn_5的形貌逐渐由多面体状变为匍匐状。
- 梁晓波李晓延姚鹏李扬金凤阳
- 关键词：形貌
- 硅藻土原位制备纳米结构MgFe_2O_4及Cr(Ⅵ)吸附性能研究被引量：1
- 2019年
- 以MgCl_2·6H_2O为镁源,Fe C_2O_4为铁源,NH_3·H_2O为沉淀剂,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,通过低温水热法,在硅藻土藻盘表面原位制备花片状纳米结构Mg Fe_2O_4;采用XRD、SEM、TEM、BET、XPS、ZPC等对样品进行了表征。所制备纳米结构Mg Fe_2O_4呈多晶态,比表面积为335 m^2/g。研究了Mg Fe_2O_4/硅藻土样品对Cr(Ⅵ)吸附与价态转化行为,其中样品在无光(黑暗)下对Cr(Ⅵ)的饱和吸附容量为543 mg/g,在可见光及紫外光等光照下,对Cr(Ⅵ)的饱和吸附量分别为556 mg/g、570 mg/g。样品具有一定的光响应能力。
- 牛炎靳翠鑫杜玉成李扬王学凯
- 关键词：硅藻土CR
- 空位对Cu/Sn无铅焊点界面元素扩散的影响被引量：3
- 2018年
- 界面柯肯达尔空洞形成的过程伴随着空位的形成与扩散,对空位行为的研究有利于深入理解界面扩散和空洞形成过程.运用分子动力学方法模拟Cu/Cu_3Sn界面上空位对扩散的影响,计算空位形成能、扩散势垒及空位扩散激活能.结果表明,相同条件下含空位的模型发生扩散的几率要高于不含空位的模型.另外,计算表明铜晶体的空位形成能大于Cu_3Sn晶体中铜空位的形成能;Cu_3Sn晶格中不同晶位的Cu空位(Cu1空位和Cu2空位)的形成能比较接近,但均小于锡的空位形成能.此外,对Cu/Cu_3Sn界面的空位扩散势垒及空位扩散激活能的计算结果表明,Sn原子的空位扩散激活能高于Cu原子.
- 李扬李晓延姚鹏
- 关键词：分子动力学模拟空位扩散激活能
- Sb-SnO_2包覆硅藻土多孔导电材料制备及表征被引量：4
- 2011年
- 以硅藻土为基核采用共沉淀法,制备Sb-SnO2包覆前驱体,通过焙烧制备了多孔结构导电复合材料.Sb-SnO2包覆率影响产物导电性、焙烧温度影响Sb-SnO2晶胞参数和晶粒大小,进而影响产物导阻率.采用XRD、SEM、TEM、EDS、BET、FT-IR对样品进行了表征,采用四探针仪测试样品导电性能.当n(Sn)/n(Sb)=8/1、包覆率为25.8%、700℃焙烧样品电阻率最低为22 cm,并具有介孔结构,孔径为6 nm.
- 杜玉成颜晶孟琪李扬戴洪兴
- 关键词：硅藻土多孔结构导电性电阻率
- 3D封装中电镀参数对微凸点制备的影响
- 2017年
- 电子信息技术对封装焊点提出了高密度、高质量、小尺寸、低成本的要求,在此基础上,由二维平面到三维高度上的封装技术应运而生。微凸点的制备是3D封装中非常重要的一个环节。本文通过酸性环境电镀的方法在Cu基板沉积微米级别的Sn层,通过扫描电子显微镜和原子力显微镜观察不同参数下镀层的表面状态,研究分析了电镀参数对镀层表面的影响规律,并得到了不同电镀时间与镀层厚度的关系。最终得到制备质量较高Sn层的最优电镀参数为:硫酸浓度160 g/L,环境温度25℃,电流密度为1 A/dm^2。通过金相法及台阶仪测试法分别测量不同电镀时间镀层的厚度可知,镀层厚度与电镀时间呈正比。
- 梁晓波李晓延姚鹏李扬金凤阳
- 关键词：3D封装电镀参数镀层厚度
- 硅藻土/硅酸铝复合粉体材料的制备工艺研究
- 本文采用化学沉淀法,以硫酸铝和水玻璃为包覆改性剂在硅藻土颗粒表面包覆硅酸铝制备了一种硅藻土基无机复合粉体材料。研究了影响此种无机复合材料白度的工艺因素,得出了最佳的制备工艺条件。表面包覆改性后的硅藻土的白度由原料的37．...
- 邢波李扬郑水林
- 关键词：硅藻土表面改性增白
- 文献传递
- 硅藻土/硅酸铝复合粉体材料的制备工艺研究
- 本文采用化学沉淀法,以硫酸铝和水玻璃为包覆改性剂在硅藻土颗粒表面包覆硅酸铝制备了一种硅藻土基无机复合粉体材料.研究了影响此种无机复合材料白度的工艺因素,得出了最佳的制备工艺条件.表面包覆改性后的硅藻土的白度由原料的37....
- 邢波李扬郑水林
- 关键词：硅藻土表面改性硅酸铝复合粉体材料
- 文献传递
- Cu/Sn/Cu界面元素的扩散行为研究现状被引量：3
- 2017年
- 从老化过程的界面作用和Cu/Sn/Cu界面元素扩散行为等方面,综述了国内外研究动态与进展。随后,着重介绍了老化过程Sn基钎料和Cu基板的界面反应和柯肯达尔孔洞形成的影响因素,并且柯肯达尔孔洞的形成与界面组分元素的扩散直接相关。最后指出了Cu/Sn/Cu焊点扩散行为研究中存在的问题,提出采用实验与分子动力学模拟相结合的方法开展研究,为以后界面元素扩散的研究起到启发作用。
- 李扬李晓延姚鹏梁晓波
- 关键词：焊点
