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李智
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1
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供职机构:
哈尔滨工业大学航天学院
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相关领域:
理学
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合作作者
施长治
哈尔滨工业大学航天学院
揣荣岩
沈阳工业大学信息科学与工程学院
崔虹云
哈尔滨工业大学航天学院
刘晓为
哈尔滨工业大学航天学院
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2011
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基于电流致重结晶的Poly-Si纳米薄膜电阻电学修正特性
2011年
为了提高基于多晶硅纳米薄膜的压阻传感器的性能及成品率,对不同厚度多晶硅薄膜的电阻电学修正特性进行了研究.采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺,620℃下制备多晶硅薄膜.通过固相扩散法实现高掺硼,并基于光刻工艺制作成电阻.实验结果表明,在薄膜电阻上施加高于阈值的电流,可有效降低电阻值.薄膜厚度的变化改变了薄膜结晶度及晶粒尺寸,从而影响其修正阈值电流密度及修正速率.用所建立的晶界填隙原子-空位对模型对电学修正现象进行了理论分析,认为该现象是大电流激励产生的焦耳热导致晶界发生逐层重结晶,从而增大载流子迁移率的结果.研究表明,该方法可用于高掺杂多晶硅电阻的封装后调阻.
施长治
崔虹云
刘晓为
揣荣岩
李智
关键词:
多晶硅
薄膜厚度
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