李荣强
- 作品数：22 被引量：30H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划模拟集成电路国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种16位高速D/A转换器的研究被引量：1
- 2004年
- 介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差±8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,采用2.0μmBiCMOS工艺制作。该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻。NPN晶体管特征频率fT为4.0GHz;CMOS管的栅氧化层为30nm,耐压为12.0V。
- 李荣强石建刚何开全
- 关键词：D/A转换器BICMOS工艺
- 双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：1
- 2012年
- 针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品率得到明显提高。
- 唐昭焕王大平梁涛李荣强王斌任芳崔伟谭开洲
- 关键词：半导体工艺刻蚀双层布线
- 一种高精度低压差电压调整器被引量：5
- 2006年
- 介绍了一种高精度低压差电压调整器（LDO）的电路设计。该电路采用2μm CBIP工艺技术制作，具有输出精度高（±0．8%）、输入输出压差低（0．20V，100mA）、温度系数低（-55～125℃，变化10mV）、输出仅接一个0．47μF瓷介电容，即可实现稳定工作等特点，简化了外围设计。
- 许云廖良李荣强
- 关键词：模拟集成电路低温度系数
- 浅结互补双极晶体管的制造方法
- 本发明公开了一种浅结互补双极晶体管的制造方法。本发明方法的主要工艺步骤为：1)通过硅/硅键合、减薄抛光方法形成SOI材料片；2)在所述SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的深槽介质隔离加浅隔离墙方法，结合具有浅结多晶硅...
- 李荣强崔伟张正元
- 文献传递
- 互补双极工艺在模拟集成电路中的应用研究
- 介绍了互补双极工艺的发展过程、自身优势及其在产业中的应用，讨论了典型的现代互补双极工艺中的SOI全介质隔离和多晶硅发射极的特点，概述了互补双极工艺的发展趋势。
- 李荣强谢正旺曾鹏
- 关键词：模拟集成电路互补双极工艺多晶硅发射极
- 文献传递
- 高速12位D/A转换器
- 2006年
- 介绍了高速12位D/A转换器的电路设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.
- 李荣强李荣强刘道广严刚何开全刘玉奎谭开州张静杨秋冬钟怡舒曼徐婉静
- 关键词：D/A转换器
- 一种光探测器及其组件和光电前端放大器电路
- 本发明提供一种光探测器及其组件和光电前端放大器电路，属于四象限光电探测应用技术领域，所述光电前端放大器电路包括低噪声前端跨阻放大器、中间级电压放大器与输出缓冲放大器三级结构，三级电路通过直流耦合构成宽带放大器，本发明的有...
- 黄文刚谭开洲李荣强黄绍春刘伦才刘林涛黄晓宗
- 文献传递
- 高性能模拟集成电路工艺技术被引量：19
- 2004年
- 介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。
- 何开全谭开洲李荣强
- 关键词：模拟集成电路BICMOS互补双极工艺SOI
- 一种基于2μm互补双极CMOS工艺的低压降调整器
- 2007年
- 采用先进的2μm互补双极CMOS工艺,研制出一种高精度双路低压差线性调整器(LDO)。该电路具有使能控制、误差输出、过温保护、短路保护等功能,只需外接一个0.47μF的瓷介电容,即可实现稳定工作;简化了外围设计,降低了成本,提高了应用的可靠性。
- 谢正旺李荣强刘勇胡永贵许云
- 关键词：模拟集成电路
- 浅结互补双极晶体管的制造方法
- 本发明公开了一种浅结互补双极晶体管的制造方法。本发明方法的主要工艺步骤为：1)通过硅/硅键合、减薄抛光方法形成SOI材料片；2)在所述SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的深槽介质隔离加浅隔离墙方法，结合具有浅结多晶硅...
- 李荣强崔伟张正元
- 文献传递
