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李震

作品数:18 被引量:2H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域:电子电信文化科学自动化与计算机技术水利工程更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇水利工程

主题

  • 8篇分子束
  • 7篇分子束外延
  • 6篇碲镉汞
  • 4篇探测器
  • 3篇束流
  • 3篇晶格
  • 3篇红外
  • 3篇衬底
  • 2篇直接蒸发
  • 2篇置入
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇适配
  • 2篇双层势
  • 2篇双色红外
  • 2篇气口
  • 2篇腔体
  • 2篇柱体
  • 2篇组件
  • 2篇坩埚

机构

  • 18篇中国电子科技...

作者

  • 18篇李震
  • 12篇高达
  • 11篇王丛
  • 5篇邢伟荣
  • 4篇周朋
  • 3篇刘铭
  • 3篇王经纬
  • 3篇折伟林
  • 2篇孙浩
  • 1篇王成刚
  • 1篇周立庆
  • 1篇朱西安
  • 1篇谭振

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 3篇2024
  • 7篇2023
  • 5篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2010
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
坩埚及分子束外延系统
本发明公开了一种坩埚及分子束外延系统。用于提升分子束外延系统束流均匀性的坩埚包括:坩埚本体,用于盛放原料,坩埚本体为一端敞开、另一端封闭的中空柱体;支撑结构,设于坩埚本体的敞开端,支撑结构用于将坩埚本体的敞开端的空间分割...
高达王丹李震王丛王经纬刘铭
一种双色红外器件结构及红外探测器
本发明公开了一种双色红外器件结构及红外探测器,所述双色红外器件结构具有从下至上设置的第一衬底,材料为InSb,作为所述双色红外器件的基础层;过渡层,材料为InSb,作为缓冲层和下电极层;第一吸收层,材料为InSb,用以实...
周朋胡雨农王丹李震
一种碲镉汞双色材料结构及其制备方法
本申请公开了一种碲镉汞双色材料结构及其制备方法,包括顺次设置的衬底、波段1p型吸收层、n型阻挡层和波段2p型吸收层;所述波段1p型吸收层Cd组分范围为0.26‑0.40;所述n型阻挡层Cd组分范围为0.3‑0.45;所述...
王丹李震周睿邢伟荣王丛
一种热处理装置及方法
本发明公开了一种热处理装置及方法,包括,加热炉和反应釜;所述加热炉,具有与所述反应釜相匹配的第一腔体;所述反应釜,形状与所述腔体匹配,具有第一空间,所述第一空间内设置有汞源、支撑杆和样品支架;所述反应釜,设置有进气口和出...
王丹高达李震王丛
文献传递
分子束外延用衬底粘接方法
本发明公开了一种分子束外延用衬底粘接方法,所述方法包括:将钼托放置在第一夹具上,并在钼托上依次层叠放置铟片、衬底、第二夹具;将组合后的第一夹具、钼托、铟片、衬底和第二夹具放置于真空烘烤箱内,并在第一时间段内抽真空,在第二...
高达王经纬王丛李震刘铭周立庆
文献传递
大尺寸碲镉汞材料研究现状与趋势被引量:2
2022年
随着大面阵红外探测器技术研究越来越深入,大尺寸红外探测器材料技术成为制约红外探测器技术发展的重要环节。本文介绍了Sofradir公司、Teledyne公司、Raytheon公司、AIM公司红外探测器材料研究的现状,从生长方式、衬底选择等方向分析大尺寸碲镉汞材料研究现状与趋势。
李燕兰高达李震王丹王丛谭振孙浩
关键词:碲镉汞大尺寸分子束外延液相外延
一种碲锌镉衬底载具组件
本发明公开了一种碲锌镉衬底载具组件,包括底托1和盖板23;底托1上设置有第一凹槽14,第一凹槽14的形状与盖板23的形状相匹配;底托1上还设置有多个第二凹槽11和一个第三凹槽12,各第二凹槽11的与待放入其中的碲锌镉衬底...
李震高达
一种用于双色碲镉汞器件的干法刻蚀方法及刻蚀装置
本发明公开了一种用于双色碲镉汞器件干法刻蚀的刻蚀方法及刻蚀装置,所述装置包括:一个射频源与环绕在反应腔室周围的电感耦合线圈相连,另一个射频源与反应室下端的下电极相连。所述方法包括以下步骤:在碲镉汞器件表面形成光刻胶掩膜图...
李震孙浩王成刚朱西安
文献传递
分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构
本申请公开了一种分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构,包括:制备衬底;在所述衬底上生长p型掺杂层;采用如下方式制备所述p型掺杂层:将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期,循环多个周期形成超晶格结构,以获得...
王丹高达李震邢伟荣王丛
一种双色红外器件结构及红外探测器
本发明公开了一种双色红外器件结构及红外探测器,所述双色红外器件结构具有从下至上设置的第一衬底,材料为InSb,作为所述双色红外器件的基础层;过渡层,材料为InSb,作为缓冲层和下电极层;第一吸收层,材料为InSb,用以实...
周朋胡雨农王丹李震
文献传递
共2页<12>
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