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一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法: 本发明公开了一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色的发光单元共同集成在同一块基片上，以实现TFT-LED的阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型G...; 邓朝勇杨利忠杨小平胡绍璐雷远清

一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板: 本实用新型公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及...; 邓朝勇杨利忠雷远清杨小平胡绍璐; 文献传递

钢中残余铜元素对钢热加工性能的影响研究: 本文阐述了钢中残余铜元素的主要来源，研究了钢中铜元素在表面氧化过程中的富集动力、渗透晶界及其基体-氧化层间界面分布等规律，剖析了铜在基体奥氏体中的固溶度与奥氏体化温度的关系，探讨了氧气在液态铜相中的溶解性问题;论述了硼元...; 杨小平; 关键词：硼元素溶解性; 文献传递

一种TFT-LED彩色阵列显示基板: 本实用新型公开了一种TFT-LED彩色阵列显示基板，采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色的发光单元共同集成在同一块基片上，以实现TFT-LED的阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型GaN层，...; 邓朝勇杨利忠杨小平胡绍璐雷远清; 文献传递

一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法: 本发明公开了一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、蓝色LED发光单元共同集成在同一块基片上，通过蓝光激发荧光粉实现白色发光，再利用彩膜技术以实现蓝光激发的TFT-LED阵列显...; 邓朝勇杨利忠胡绍璐杨小平雷远清

一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板: 本实用新型公开了一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板，采用半导体集成工艺，将双TFT、蓝色LED发光单元共同集成在同一块基片上，通过蓝光激发荧光粉实现白色发光，再利用彩膜技术以实现蓝光激发的TFT-LED阵列显示。其特...; 邓朝勇杨利忠胡绍璐杨小平雷远清; 文献传递

一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法: 本发明公开了一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色的发光单元共同集成在同一块基片上，以实现TFT-LED的阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型G...; 邓朝勇杨利忠杨小平胡绍璐雷远清; 文献传递

一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法: 本发明公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法。采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显示。其特征包括：在大面积单...; 邓朝勇杨利忠雷远清杨小平胡绍璐; 文献传递

新型近红外超长余辉材料Zn_3Al_2Ge_2O_(10)∶Cr^(3+)的发光性能被引量：9: 2014年; 采用高温固相法制备了新型近红外长余辉材料Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+,利用X射线衍射、荧光光谱和余辉衰减曲线等对合成的样品进行了分析。结果表明:样品Zn3Al2Ge2O10∶Cr3+是Ge4+取代ZnAl2O4∶Cr3+尖晶石中的部分Al3+而形成的固溶体。在397 nm光的激发下,发射光谱主要由两个明显的窄峰叠加在Cr3+离子的自旋允许跃迁4T2→4A2辐射的宽发射带上。发光强度随着Cr3+离子掺杂浓度的增大和煅烧温度的升高而出现浓度猝灭及温度猝灭现象。当Zn3Al2-xGe2O10∶xCr3+中的Cr3+离子掺杂量x为2%且煅烧温度为1 350℃时,样品的近红外发光及余辉强度最大。材料的余辉持续时间超过300 h,余辉发射谱峰位与荧光发射光谱中的N线一致,均位于697 nm附近。最后分析了煅烧温度对样品余辉性能的影响,并对材料的余辉机制进行了探讨。; 杨小平崔瑞瑞张弛邓朝勇; 关键词：浓度猝灭

一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法: 本发明公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法。采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显示。其特征包括：在大面积单...; 邓朝勇杨利忠雷远清杨小平胡绍璐; 文献传递

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杨小平