您的位置： 专家智库 > >

杨清瑞

作品数：84 被引量：2H指数：1
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 83篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 60篇谐振器
  • 47篇电子设备
  • 42篇滤波器
  • 40篇体声波
  • 40篇体声波谐振器
  • 32篇压电
  • 31篇底电极
  • 28篇压电层
  • 22篇电极
  • 14篇压电薄膜
  • 9篇单晶
  • 9篇基底
  • 9篇封装
  • 9篇半导体
  • 9篇半导体器件
  • 9篇薄膜体声波谐...
  • 8篇声学
  • 7篇封装结构
  • 6篇电气产品
  • 6篇谐振结构

机构

  • 84篇天津大学
  • 49篇诺思(天津)...

作者

  • 84篇杨清瑞
  • 28篇庞慰
  • 7篇张浩
  • 3篇张代化
  • 3篇郑云卓
  • 2篇周冲
  • 2篇祁明可

年份

  • 19篇2024
  • 17篇2023
  • 6篇2021
  • 28篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2013
共 84 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
带离散结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备
带离散结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备。本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上侧；顶电极；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚...
杨清瑞庞慰张孟伦
文献传递
压电MEMS谐振器及其形成方法、电子设备
本发明涉及谐振器技术领域，具体涉及一种压电MEMS谐振器及其形成方法、电子设备。本发明的压电MEMS谐振器，具有一个或多个谐振结构，所述谐振结构包括沿平行于器件基底平面的方向堆叠的压电层、电极层和从动层。该压电MEMS谐...
张孟伦杨清瑞宫少波
文献传递
封装结构、半导体器件、电子设备
本发明涉及一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一基底与第二基底，所述封装结构包括：垫圈结构，所述垫圈结构自第二基底朝向第一基底凸出；和粘附层，设置在垫圈结构与第一基底相对的端面和/或设置在第一基底上与垫圈...
杨清瑞庞慰孙晨张孟伦
带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备
本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极，与所述底电极对置，且具有电极连接部；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方...
杨清瑞庞慰张孟伦
改变射频螺旋电感之间的互感的方法和射频电路
本发明提供一种改变射频螺旋电感之间的互感的方法和射频电路，有助于提高射频电路中的螺旋电感之间的隔离度。本发明的改变射频螺旋电感之间的互感的方法中，对于固定在基底上的两个以上射频螺旋电感，改变至少两个射频螺旋电感所处的平面...
张浩周冲庞慰杨清瑞
文献传递
压电层具有插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备
本发明涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；所述压电层中设置有沿所述有效区域的边缘布置的复合插入结构，所述复合插入...
杨清瑞庞慰张孟伦
文献传递
体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备
本发明涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；所述谐振器还包括用于底电极的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层设置于所述底电极...
杨清瑞庞慰张孟伦
文献传递
横向电场激励的薄膜体声波谐振器和滤波器
本申请涉及半导体器件领域且提供一种横向电场激励的薄膜体声波谐振器和滤波器。所述薄膜体声波谐振器包括在第一方向上层叠的衬底和压电薄膜，形成于衬底与压电薄膜之间的声反射层；以及形成于薄膜的至少一侧的表面的第一叉指电极和第二叉...
庞慰杨清瑞张孟伦宫少波
顶电极连接部设有延伸结构的谐振器、滤波器和电子设备
本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；...
杨清瑞庞慰张孟伦
文献传递
具有梁结构的压电MEMS硅谐振器及其形成方法、电子设备
本发明提出具有梁结构的压电MEMS硅谐振器及其形成方法，以及一种电子设备。该形成方法包括：提供带下空腔的SOI硅片作为衬底，下空腔的上方具有器件硅层；依次形成下电极、压电层和上电极；刻蚀器件硅层以形成梁结构；在当前半导体...
张孟伦杨清瑞宫少波
文献传递
全选 清除 导出
共9页<123456789>
聚类工具0