您的位置: 专家智库 > >

段子刚

作品数:25 被引量:17H指数:2
供职机构:深圳大学光电工程学院更多>>
发文基金:国际科技合作与交流专项项目国家高技术研究发展计划深圳市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程文化科学更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 18篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 11篇放大器
  • 10篇光放大
  • 10篇光放大器
  • 10篇半导体光放大...
  • 5篇偏振
  • 4篇SOA
  • 3篇应变量子阱
  • 3篇噪声
  • 3篇同轴封装
  • 3篇激光
  • 3篇封装
  • 3篇半导体
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶体
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇等离子体
  • 2篇等效电路
  • 2篇等效电路模型
  • 2篇电路模型

机构

  • 20篇深圳大学
  • 5篇华中理工大学
  • 2篇华中科技大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇湖南师范大学
  • 1篇安徽建筑工业...
  • 1篇清华大学
  • 1篇武汉邮电科学...
  • 1篇光电子有限公...

作者

  • 25篇段子刚
  • 8篇柴广跃
  • 6篇刘德明
  • 5篇黄德修
  • 3篇徐光辉
  • 3篇姚芳
  • 2篇郑瑞生
  • 2篇敬守勇
  • 2篇黄长统
  • 2篇刘文
  • 2篇谭科民
  • 2篇施炜
  • 1篇黄黎蓉
  • 1篇陈黎梅
  • 1篇夏月辉
  • 1篇刘瑞友
  • 1篇彭金花
  • 1篇冯玉春
  • 1篇陈明华
  • 1篇黄格凡

传媒

  • 5篇光子学报
  • 2篇中国激光
  • 2篇深圳大学学报...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇湖南师范大学...
  • 1篇激光技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇华中理工大学...
  • 1篇中国现代教育...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于ANSYS的大功率半导体光放大器的热分析
2008年
功率型半导体光放大器(High-Power Semiconductor Optical Amplifier,以下简称HP-SOA)在长距离自由空间光通信等领域有着诱人的应用前景,1550nm波段高速、大功率光源的需求日益增加,促进了HP-SOA技术的发展。随着输出功率的提高,HP-SOA热耗散功率也随之增加,其热特性对器件性能影响日趋明显,需及时散热。因此散热问题的解决是一个很关键的技术,高效率的器件散热结构设计十分必要。文章利用ANSYS有限元分析软件对输出光功率26dBm的大功率SOA器件的温度场分布进行了模拟和优化设计,为SOA封装材料、工艺方案的选择提供了依据,并据此进行了封装实验。
阳英柴广跃段子刚高敏张浩希
关键词:半导体光放大器温度分布热特性
高速雪崩光探测器同轴封装的高频分析被引量:4
2012年
基于频率响应理论模型,分析了同轴封装的雪崩光电探测器的高频特性.包含芯片、键合金丝、跨阻放大器和同轴管座等各部分的高频特性及对器件高频特性的影响.通过调节封装过程中不同键合金丝引入的电感参量,可以得到不同现象的频率响应.最后考虑实际工程条件,优化得到了10GHz的-3dB带宽的同轴封装雪崩光电探测器件.
徐光辉柴广跃彭金花黄长统段子刚谭科民
关键词:雪崩光电探测器同轴封装频率响应跨阻放大器
混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性被引量:1
2003年
采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1- y多量子阱材料 ,对应1.3μm波段 平均应变量 - 0 .16 % ,周期 11nm 采用三个周期外延材料的芯片制作的LD 。
段子刚
关键词:SOA偏振无关
混合应变量子阱半导体光放大器噪声特性研究
1999年
研究了直接耦合混合应变量子阱 S O A 的噪声特性.实验测定 S O A 在 130 m A 偏置电流下的噪声指数为 7.7 d B,表明应变量子阱结构改善了 S O A 的噪声性能.理论分析指出,通过消除 S O A 的剩余反射,其噪声性能可以得到进一步的改善.
段子刚姚芳刘德明黄德修
关键词:半导体光放大器应变量子阱噪声指数
等离子体焰流生长大尺寸氮化铝晶体的方法
一种采用等离子焰流加热原材料生长氮化铝单晶体的方法,包括如下步骤:采用等离子体焰流作为加热源,原材料使用氮化铝微粉或高纯铝微粉和氮气,并通过载气送入,下粉速率可以调整和控制,使用氮化铝单晶体作为晶种或使用氮化铝多晶体作为...
敬守勇郑瑞生刘文段子刚
文献传递
等离子体焰流生长大尺寸氮化铝晶体的方法
一种采用等离子焰流加热原材料生长氮化铝单晶体的方法,包括如下步骤:采用等离子体焰流作为加热源,原材料使用氮化铝微粉或高纯铝微粉和氮气,并通过载气送入,下粉速率可以调整和控制,使用氮化铝单晶体作为晶种或使用氮化铝多晶体作为...
敬守勇郑瑞生刘文段子刚
文献传递
E-PON系统突发模式光收发一体模块设计被引量:1
2005年
本文介绍了E-PON系统以及对OLT和ONU收发一体模块的设计要求。讨论了OLT、ONU BiDi突发模式光收 发一体模块的基本原理和设计方法,并给出了实验结果。
柴广跃段子刚陈明华夏月辉谢世钟赵文涛
关键词:OLTONUPON系统收发OLTONU
单环有源的双环耦合共振腔
一种单环有源的电控双环耦合共振腔元器件。它由一个有源环形共振腔、一个无源环形共振腔、一个耦合两环形共振腔的耦合器与另外若干个耦合器组成。两环形共振腔上均制作有电极,分别独立地通过电流注入载流子对光波进行调制,调制速度可达...
段子刚施炜
文献传递
1550nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长
2010年
基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得,基区搀杂浓度可以相对较低,有利于减小基区光损耗和载流子复合,从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量.
段子刚柴广跃
关键词:异质结
一种适合于大量制备行波SOA增透膜新技术
2004年
提出了一种适合于批量制备SOA减反膜的实时监控技术。监控系统简单 ,操作方便 ,可以应用于国产镀膜机。由此技术批量制备SOA ,腔面剩余反射均接近 10 -4。
段子刚刘德明
关键词:半导体光放大器增透膜适时监控
共3页<123>
聚类工具0