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汪建军

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：绍兴文理学院数理信息学院更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇TM
  • 1篇单晶
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇栅介质
  • 1篇输运
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇高K栅介质
  • 1篇SI
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...

机构

  • 2篇复旦大学
  • 2篇西华师范大学
  • 2篇绍兴文理学院

作者

  • 2篇汪建军
  • 2篇冀婷
  • 2篇方泽波
  • 1篇张志娇
  • 1篇朱燕艳
  • 1篇任维义
  • 1篇陈太红
  • 1篇谭永胜
  • 1篇杨晓峰

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
单晶Tm_2O_3高k栅介质漏电流输运机制研究被引量：1
2012年
利用分子束外延技术在p型Si(001)衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射,而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel-Poole发射。
杨晓峰谭永胜方泽波冀婷汪建军陈太红
关键词：高K栅介质
Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究
2012年
利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.
汪建军方泽波冀婷朱燕艳任维义张志娇
关键词：X射线光电子能谱
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