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汪建军
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
供职机构:
绍兴文理学院数理信息学院
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发文基金:
浙江省自然科学基金
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
方泽波
绍兴文理学院数理信息学院
冀婷
复旦大学物理学系应用表面物理国...
杨晓峰
西华师范大学物理与电子信息学院
谭永胜
绍兴文理学院数理信息学院
陈太红
西华师范大学物理与电子信息学院
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X射线光电子...
机构
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西华师范大学
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绍兴文理学院
作者
2篇
汪建军
2篇
冀婷
2篇
方泽波
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朱燕艳
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任维义
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陈太红
1篇
谭永胜
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杨晓峰
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1篇
物理学报
1篇
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年份
2篇
2012
共
2
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单晶Tm_2O_3高k栅介质漏电流输运机制研究
被引量:1
2012年
利用分子束外延技术在p型Si(001)衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射,而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel-Poole发射。
杨晓峰
谭永胜
方泽波
冀婷
汪建军
陈太红
关键词:
高K栅介质
Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究
2012年
利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.
汪建军
方泽波
冀婷
朱燕艳
任维义
张志娇
关键词:
X射线光电子能谱
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