沈天宇
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：理学化学工程一般工业技术更多>>
- 以钛酸四正丁酯为钛源制备超细Ti(C_(1-x)N_x)粉体
- 2014年
- 以有机钛源钛酸四正丁酯(Ti(OC4H9)4)与纳米碳黑(C)为反应原料制备超细Ti(C1-xNx)粉体。经过计算可知两者理论质量比约为9.4∶1,以m(Ti(OC4H9)4)∶m(C)=9∶1混料,通过溶胶凝胶法制备烧结前驱体。利用高温碳热还原法,在N2气氛中,分别在不同温度下恒温烧结1h,直接反应合成超细Ti(C1-xNx)粉体。结果发现,随温度升高,x值逐渐降低,数值区间为0.19~0.72;产物组分中的总碳含量(Ct)逐渐增大,从14.23wt%增大到18.66wt%,游离碳含量(Cf)与氧含量(Co)均低于0.5wt%;产物平均粒度也呈增大趋势,平均粒度分布区间为220~275nm。
- 徐卓吴一顾强邹正光龙飞沈天宇
- 关键词：碳热还原溶胶凝胶
- 稀土离子含量对Sr_2Si_5N_8：Eu^(2＋)红色荧光粉发光性能及其电子结构的影响
- 2015年
- 利用碳热还原氮化法制备了Sr2-xSi5N8:xEu2+红色荧光粉,其中x=0.005~0.2,分析了稀土Eu2+离子浓度对荧光粉发光性能的影响规律,采用DFT理论分析了Sr2-xSi5N8:xEu2+的电子结构和发光原理。结果发现,随着Eu2+浓度的升高,荧光粉发射光谱的发射峰值出现红移。实验研究发现其浓度猝灭点为x=0.02,当x=0.02时,发射光强度最大,发射光谱为小于600nm的橙黄光。当x在0.05~0.15的范围时,发光强度衰减幅度较小,且发射光谱为610nm以上的红光。利用第一性原理对Eu2+浓度x=0.015625~0.125的Sr2-xSi5N8:xEu2+荧光粉的能带结构计算显示,随着Eu2+浓度的升高带隙减小,理论计算浓度猝灭点在x=0.0625和x=0.125之间。
- 沈天宇申玉芳彭怀玉邹正光吴一杨启哥
- 关键词：电子结构浓度猝灭
- CaBPO_5:Dy^(3+)的高温合成及其发光特性
- 2014年
- 运用高温合成的方法合成CaBPO5:Dy3+,用X射线衍射仪(XRD)、以及荧光光度计(PL)对合成产物的结构和发光性质进行了研究。在350 nm紫外光激发下,测得CaBPO5:Dy3+材料的发射光谱为一个多峰宽谱,主峰分别为486nm(4F9/2→6H15/2),和575 nm(4F9/2→6H13/2)。研究了Dy3+浓度对发光性能的影响,随着Dy3+浓度的增大,样品的发光强度先增大后减小。掺杂Dy3+的浓度为1mol%时,其发光强度达到最大值。加入电荷补偿剂Li+、Na+、K+均提高了CaBPO5:Dy3+材料的发射光谱强度,其中以Li+的情况最为明显。
- 姜吉琼吴妍娇邹正光吴一龙飞沈天宇
- 关键词：DY3+荧光粉发光
- Si_3N_4在高温高压下的相变和显微结构
- 2013年
- 在压力为5GPa，温度为1500～1700℃，保温时间为10～20min的条件下，对添加Y2O3-Al2O3的氮化硅陶瓷进行了高温高压烧结研究。用X射线衍射及扫描电镜对烧结样品进行了分析和观察，探讨了添加剂、烧结温度和保温时间对烧结体的物相组成、显微形貌和力学性能的影响．结果表明：高温高压下Si3N4的相变机制主要是通过液相溶解一沉淀，其相转变程度随温度、保温时间的增加均有所提高。α-Si3N4完全转变为β-Si3N4，得到相互交错的长柱状β-Si3N4晶粒均匀分布于烧结体中。经过5GPa、1650％2保温20min的超高压烧结．样品相对密度达到99．8％．Vickers硬度达22．8GPa，抗弯强度达886MPa．
- 顾强吴一邹正光龙飞沈天宇韩金龙
- 关键词：氮化硅高温高压相变显微结构力学性能
- 碳热还原氮化法合成稀土掺杂氮系荧光粉
- 2013年
- 采用碳热还原氮化法(CRN)制备了Eu2+掺杂SiN4-基氮化物、氮氧化物以及氧化物LED用荧光粉,通过X射线衍射仪和扫描电子显微镜对其结构和形貌进行分析,并通过激发-发射光谱研究了相关荧光粉的光谱特性。结果表明,随着氮化时间的延长以及氮化温度的升高,Eu2+掺杂的SrSiO3∶Eu2+、SrSi2O2N2∶Eu2+、Sr2Si5N8∶Eu2+荧光粉的主要成分比例发生变化,从而导致激发峰位发生变化,主要发射波长出现红移。这类荧光粉能够被近紫外-蓝光之间的光谱激发,呈现出橘红色、黄色、黄绿色、蓝绿色光发射。
- 彭怀玉邹正光申玉芳龙飞吴一沈天宇
- 关键词：稀土白光LED发光性能红移
- Sr2Si5N8∶ Eu2 ＋光物理性能及电子结构的研究
- 2014年
- 运用碳热还原氮化法(CRN)合成了Sr2Si5N8和Sr2Si5N8∶Eu2+粉体,所得到物相的XRD图谱显示,掺杂Eu2+后比掺杂前峰值向高角度方向偏移。荧光图谱显示掺杂后激发光谱处于紫外和近紫外光范围,发射光谱峰值处于红光处。利用第一性原理基于密度泛函理论的平面波赝势法计算了Sr2Si5N8与Sr2Si5N8∶Eu2+的能带结构与电子态密度,发现Eu2+的加入使得体系拥有了易于将能量以光子形式放出的直接带隙跃迁机制,并且使得整个体系带隙减小,结合实验结果,揭示了该体系材料的微观发光机理。
- 沈天宇吴一申玉芳邹正光龙飞张志军
- 关键词：第一性原理
