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沈彦

作品数:12 被引量:2H指数:1
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:上海市基础研究重大(重点)项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 8篇石墨
  • 8篇石墨烯
  • 5篇介质
  • 4篇电路
  • 4篇介质薄膜
  • 4篇晶格
  • 4篇晶格结构
  • 4篇集成电路
  • 3篇电路制造
  • 3篇碳基
  • 3篇集成电路制造
  • 2篇岛状
  • 2篇旋涂
  • 2篇液态
  • 2篇液态金属
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇子层
  • 2篇金属
  • 1篇带电
  • 1篇淀积

机构

  • 12篇复旦大学

作者

  • 12篇沈彦
  • 7篇周鹏
  • 6篇魏红强
  • 6篇沈于兰
  • 6篇杨松波
  • 4篇陈良尧
  • 4篇郑玉祥
  • 4篇周薇溪
  • 3篇陈剑波
  • 2篇李晶
  • 2篇戴仲鸿
  • 1篇张卫
  • 1篇陈岳瑞
  • 1篇赵海滨
  • 1篇邬云骅
  • 1篇顾闻
  • 1篇孙清清
  • 1篇王松有
  • 1篇王鹏飞
  • 1篇张荣君

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 2篇2012
  • 3篇2010
  • 1篇2008
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域,具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积...
周鹏沈彦魏红强沈于兰杨松波
文献传递
利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域,具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层,利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键,作为成核位点,采用原子层沉...
周鹏沈彦魏红强沈于兰杨松波
文献传递
利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域,具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱...
周鹏沈彦魏红强沈于兰杨松波
文献传递
金属的表面等离子体共振现象的机理研究
沈彦周薇溪陈剑波李晶郑玉祥王松有张荣君陈良尧
可见光在铜/空气界面的正负折射现象研究
作中用磁控溅射法制备了一系列的金属铜楔形样品,对可见光波段内四种不同波长的激光在简单金属/空气界面的传播特性进行了实验测量,并针对测量得到的入射角随折射角变化的定量关系进行了细致的讨论.
周薇溪戴仲鸿沈彦陈剑波李晶郑玉祥赵海滨陈良尧
氧化石墨烯材料的制备及其光学性质研究
石墨烯是平面六角蜂窝状排布的单层碳原子结构。近年来,石墨烯因其优异的光学和电学等性质而受到学术界广泛的研究兴趣和关注。石墨烯对于可见和红外波段的光谱具有吸收和超快响应等特性,特别是所呈现优异的载流子迁移率和超快光学响应特...
沈彦
关键词:氧化石墨烯光学性质可行性
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一维光子晶体能带结构的比较算法研究
陈剑波沈彦周薇溪赵海斌郑玉祥陈良尧
可见光波在天然金属基界面正负折射机理的研究和进展被引量:2
2008年
Snell定律揭示了光在穿越不同介质界面时的传播和折射规律,这是现代物理光学的重要基础。追求完美光学透镜的途径之一是寻找正负折射率匹配材料,但在相当长时期内,在自然界中从未发现有违背Snell定律的天然负折射率材料存在。在本研究工作中制备了一系列入射角精确可控的楔形贵金属金和银等样品,采用不同波长的激光,对于光在最简单的天然贵金属界面传播时所发生的由负到正折射特性变化进行了定量实验测量,获得表观折射率随入射和折射角变化的定量关系。对于导致奇异光折射现象的各种争议性机理进行了细致探索和讨论,这与等离子体、负磁导率和Goos-Hanchen等效应无关。研究结果将有助于人们理解光在金属基微结构中发生正负折射传播的物理机理,从而为新型微纳光电子材料和器件的研制和应用建立基础。
陈良尧陈岳瑞戴仲鸿周薇溪沈彦邬云骅顾闻郑玉祥
关键词:折射率群速度
一种快速无损测量石墨烯薄膜厚度与能带结构的方法
本发明属于半导体集成电路制造技术领域,具体为一种快速无损测量石墨烯薄膜厚度与能隙的方法。本发明首先利用椭圆偏振技术得到薄膜的椭偏数据;然后根据所测薄膜的结构建立合适的理论模型,对得到的椭偏数据进行分析和拟合,得到所测石墨...
周鹏沈彦孙清清王鹏飞张卫
文献传递
利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域,具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积...
周鹏沈彦魏红强沈于兰杨松波
文献传递
共2页<12>
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