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环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法: 本发明涉及一种环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法，该功率器件包括：衬底；源区部分，设置在衬底上的一侧；漏区部分，设置在衬底上的另一侧，且与源区部分相对设置；若干纳米沟道，间隔设置在源区部分与漏区部...; 何云龙马晓华赵垚澎王冲郑雪峰郝跃

一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件: 本发明涉及一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，包括：衬底层；若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层上；栅极，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述...; 王冲刘凯马晓华郑雪峰李昂赵垚澎何云龙郝跃; 文献传递

多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管: 本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝...; 王冲魏晓晓张金凤郑雪峰马晓华张进成郝跃; 文献传递

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法: 本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，它涉及到微电子技术领域，主要解决器件工作频率低和抗辐照性能差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al<Sub>0.3</Sub>G...; 马晓华曹艳荣郝跃高海霞王冲杨凌; 文献传递

黄沙坪矽卡岩型和脉状铅锌矿成矿环境及其对深部找矿的指示被引量：4: 2023年; 黄沙坪多金属矿床是湖南最重要的铅锌矿床之一,矿区内岩浆活动和构造运动复杂,成矿元素多样,矿化类型丰富,前人主要针对高温矿化阶段W-Sn成矿过程做了大量的研究,对Pb-Zn矿化过程研究较少,特别是对矽卡岩型和脉状矿体之间的相关型和差异性关注度较低。本文通过电子探针(EMPA)和激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪(LA-ICP-MS)分别对黄沙坪多金属矿床中的闪锌矿主微量元素和黄铁矿中的微量元素进行测试。结果表明:两种矿体中闪锌矿的Fe含量均>10%,属于铁闪锌矿,且矽卡岩矿体中闪锌矿的Fe含量更多。根据计算,矽卡岩矿体中闪锌矿的结晶温度为388~428℃(平均为408℃),而脉状矿体中闪锌矿的结晶温度为350~393℃(平均为371℃),属于中高温成矿体系;闪锌矿和黄铁矿的微量元素特征指示两种类型矿体均形成于低硫逸度的成矿环境,且脉状矿体的氧逸度略高。闪锌矿中In、Ga和黄铁矿中Co、Ni的含量特征显示,两种成矿类型物质来源主要是岩浆。综合矿区地质特征,认为黄沙坪多金属矿床属于燕山期与花岗岩有关的中高温岩浆热液矽卡岩矿床,其深部仍有较大的铅锌矿找矿空间。; 李欢王冲王冲蒋维诚; 关键词：LA-ICP-MS EMPA 闪锌矿

具有刻蚀停止层的p-GaN有源钝化GaN HEMT器件及其制备方法: 本发明提供了一种具有刻蚀停止层的p‑GaN有源钝化GaN HEMT器件及其制备方法。其中，GaN HEMT器件，包括：自下而上依次设置的衬底层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；沿AlGaN势垒层的上表面设置...; 王冲李嘉卯马晓华李昂刘凯郝跃

p型氧化物介质复合混合阳极的肖特基二极管及制作方法: 本发明涉及一种p型氧化物介质复合混合阳极的肖特基二极管及制作方法，制作方法包括步骤：在衬底上依次生长AlGaN背势垒层、本征GaN层和AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层表面的一端制备欧姆金属阴极，另一端制备欧姆金属阳极...; 王冲刘凯马晓华郑雪峰何云龙郝跃; 文献传递

基于颜色矩的连续快速视觉演示非目标图片最优排序方法: 本发明公开了一种基于颜色矩的连续快速视觉演示非目标图片最优排序方法，主要解决现有连续快速视觉演示RSVP呈现时由于非目标图片相邻图片相似度过低，导致错误诱发出事件相关电位ERP的问题。其实现方案是：将RGB图片转换成HS...; 李甫王冲吴昊冀有硕牛毅; 文献传递

AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管被引量：4: 2016年; 理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压的增强型HEMT器件.实验研究了三种GaN沟道厚度制作的增强型器件直流特性的差异,与模拟结果进行了对比验证.采用降低的F注入等离子体功率,减小了等离子体处理工艺对器件沟道迁移率的损伤,研制出的器件未经高温退火即实现了较高的跨导和饱和电流特性.对14 nm GaN沟道厚度的器件进行了阈值电压温度稳定性和栅泄漏电流的比较研究,并且分析了双异质结器件的漏致势垒降低效应.; 王冲赵梦荻裴九清何云龙李祥东郑雪峰毛维马晓华张进成郝跃; 关键词：双异质结

绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法: 本发明公开了一种绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，源极(...; 毛维郝跃杨翠李洋洋王冲郑雪峰杜鸣刘红侠曹艳荣

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王冲