王娟
- 作品数：20 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生更多>>
- 锑化物低维结构半导体材料与器件研究进展
- 锑(Sb)化物半导体材料体系主要包括GaSb,AlSb,InAs三种晶格常数在0.61nm附近的二元化合物半导体及他们之间组成各种多元合金半导体.该材料体系因其所具有的特殊物理性质而非常适合于制造红外光电器件和高速电子器...
- 牛智川徐应强王国伟张宇任正伟王娟邢军亮蒋洞微向伟
- Sb化物半导体带间级联激光器有源区结构设计与光谱表征
- 3-5μm红外波段光发射器件可广泛应用于气体探测,红外对抗等众多方面.带间级联激光器(Interband Cascade Lasers,ICL)作为一种新型的激光器,工作波长可覆盖3-5μm波段.
- 邢军亮张宇徐应强王国伟王娟向伟牛智川
- 分子束外延生长高空穴迁移率InGaSb/AlGaSb量子阱
- 高电子迁移率晶体管(HEMT)自问世30多年来已经在各类高速电学器件中得到广泛应用.近年来,Sb化物半导体具有高的电子迁移率、低的工作电压而成为近年来发展新一代高速低功耗器件的热门材料.
- 王娟邢军亮向伟王国伟任正伟徐应强贺振宏牛智川
- 带间级联激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种带间级联激光器及其制备方法。该带间级联激光器在有源区InGaSb中插入InAs层，形成一空穴势垒，使得空穴波函数向两侧拓展，从而增加了空穴于电子波函数的交叠，电子空穴波函数在无外场作用下的交叠程度为15....
- 邢军亮张宇徐应强王国伟王娟向伟任正伟牛智川
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- 阵列化图形细胞的电调控方法
- 一种阵列化图形细胞的电调控方法，包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备电极阵列，该电极阵列包括接点和与之连接的连线；在衬底的表面和电极阵列的连线上制备绝缘层，形成一基底；在基底的上表面进行化学修饰，使基底上的电极阵列的表面...
- 王娟裴为华郭凯陈弘达
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- 短波红外InAs/GaSb超晶格的Varshni参数
- InAs/GaSb超晶格具有独特的II型能带结构,其微带帯隙可调、波长响应范围宽.通过改变超晶格的周期结构,它的吸收截止波长可覆盖2.7～30μm的红外范围,使得InAs/GaSb成为目前国际上公认的制备第三代高性能红外...
- 向伟王国伟蒋洞微徐应强王娟邢军亮牛智川
- 关键词：超晶格材料砷化铟锑化镓
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- 阵列化图形细胞的电调控方法
- 一种阵列化图形细胞的电调控方法，包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备电极阵列，该电极阵列包括接点和与之连接的连线；在衬底的表面和电极阵列的连线上制备绝缘层，形成一基底；在基底的上表面进行化学修饰，使基底上的电极阵列的表面...
- 王娟裴为华郭凯陈弘达
- InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法
- 本发明提供了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法。该InAs/GaSb超晶格红外光电探测器包括：衬底；沉积于衬底上的外延结构，该外延结构包括：n型掺杂缓冲层、n型电极接触层、势垒层、本征吸收层、p型电极...
- 蒋洞微向伟王娟邢军亮王国伟徐应强任正伟贺振宏牛智川
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- GaInAsSb低维材料分子束外延生长及器件研究1
- 本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技...
- 牛智川尚向军王国伟徐应强任正伟贺振宏倪海桥李密锋喻颖王娟王莉娟查国伟邢军亮徐建星向伟
- 关键词：超晶格半导体低维材料分子束外延生长元器件
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- 中长波InAs/GaSb超晶格材料及探测器研究
- 针对超晶格材料在中长波段的材料结构特点并结合理论模拟结论，采用生长中断方法和迁移率增强(MEE)方法进行中长波段超晶格材料分子束外延的生长参数优化研究。超晶格材料经过湿法腐蚀微加工工艺和表面钝化工艺后，分别制备了中波段和...
- 王国伟王娟邢军亮徐应强任正伟贺振宏牛智川
- 关键词：红外探测器超晶格材料分子束外延
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