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王幸福

作品数：36 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程

主题

  • 12篇纳米
  • 12篇光电
  • 8篇纳米线
  • 7篇探测器
  • 7篇重掺杂
  • 7篇牺牲层
  • 6篇氮化镓
  • 6篇GAN纳米线
  • 6篇衬底
  • 5篇电化学腐蚀
  • 5篇化学腐蚀
  • 5篇发光
  • 5篇半导体
  • 4篇电器件
  • 4篇键合
  • 4篇光电器件
  • 4篇光电子
  • 3篇单晶
  • 3篇电极
  • 3篇电子学

机构

  • 36篇华南师范大学
  • 1篇东莞南方半导...

作者

  • 36篇王幸福
  • 15篇李述体
  • 3篇尹以安
  • 2篇刘青
  • 2篇李凯
  • 2篇于磊
  • 2篇赵亮亮
  • 1篇陈坤

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇华南师范大学...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 9篇2022
  • 4篇2021
  • 7篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于大面积衬底剥离的深紫外LED及其制备方法
本发明属于半导体及其制造的技术领域，提供一种基于大面积衬底剥离的深紫外LED及其制备方法。深紫外LED为其为采用激光切割衬底，使得电化学腐蚀液腐蚀牺牲层，实现大面积衬底剥离制得，所述电化学腐蚀液包括草酸溶液，所述牺牲层包...
尹以安曾妮王幸福李锴
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一种使用吸光材料的防光串扰Micro led显示屏及其制备方法
本发明涉及一种使用吸光材料的防光串扰Micro led显示屏及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：使用衬底制作出由像素单元组成的基板；制作能够覆盖整个基板的网板，并且在网板上具有与各像素单元表面形状相对应的开孔；将网板...
李述体许腾文李国新高芳亮王幸福
一种倒装增强型GaN HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种倒装增强型GaN HEMT器件及其制备方法，倒装增强型GaN HEMT器件包括增强型GaN HEMT外延阵列、键合金属和目标衬底，目标衬底通过键合金属与增强型GaNHEMT外延阵列键合形成的倒装增强型Ga...
王幸福董泽鑫林雨田
一种射频阵列薄膜器件及其制备、键合和集成方法
本发明涉及一种射频阵列薄膜器件及其制备、键合和集成方法，射频阵列薄膜器件包括自下而上依次设置的外延结构、电极层、栅介质层和支撑层；所述电极层为图形化电极层，在所述栅介质层上对应所述电极层上各电极的位置开设有通孔，各通孔内...
王幸福陈鑫董建奇
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一种半导体微米线及其制备方法和光纤应力传感器及其制备方法
本发明涉及应力传感器技术领域，尤其涉及一种半导体微米线及其制备方法和光纤应力传感器及其制备方法。本发明提供的半导体微米线，在横截面方向上，所述半导体微米线包括依次层叠设置的未掺杂的n型GaN层、多量子阱层、p型Al<Su...
王幸福董建奇
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一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法
本发明公开了一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，涉及半导体压电光电子学技术领域。本发明通过金属有机化学气相沉积方法制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片，通过电化学腐蚀方法把InGaN/GaN异质...
李述体王幸福姜健
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一种单晶GaN纳米线及其制备方法
本发明涉及一种单晶GaN纳米线及其制备方法，其包括GaN薄膜的MOCVD外延生长、紫外光刻、ICP刻蚀和电化学剥离过程，实现了将GaN薄膜转化成一维GaN纳米线，制备出了长度、厚度和宽度可控的单晶GaN纳米线。通过将外延...
王幸福姜健董建奇
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表面等离激元耦合极化半导体异质结及光电探测器
本报告讨论一种金属等离激元纳米颗粒对氧化锌热释电探测器的界面修饰的策略，通过这种策略把对入射光谱吸收范围敏感的表面等离激元共振效应、氧化锌纳米线的热释电效应以及金属纳米颗粒与热释电纳米线的光热耦合效应相结合。理论上能够克...
王幸福
一种外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置
本发明涉及外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置，其包括使用外延方法外延生长未掺杂氮化镓层、重掺杂氮化镓牺牲层和目标层，结合特定方式的电化学剥离方法实现了晶圆级外延薄膜的完整剥离，并且脱离后的外延衬底能够循环使用，有效地降低氮化...
王幸福董建奇姜健
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一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法
本发明公开了一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法，涉及半导体压电光电子学技术领域。本发明通过金属有机化学气相沉积方法制备包括InGaN/GaN异质结薄膜的外延基片，通过电化学腐蚀方法把InGaN/GaN异质...
李述体王幸福姜健
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