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阳极修饰层ZnPc对OLED性能影响的研究被引量：7: 2009年; 本文采用真空蒸镀法制备了不同厚度的酞菁锌(ZnPc)超薄膜,研究了不同厚度的ZnPc缓冲层对OLEDs器件发光性能的影响,测试了器件的一系列光电性能,对相关机理进行了探讨。结果表明:含有ZnPc修饰层的器件性能明显优于不含有修饰层的器件,加入ZnPc修饰层后器件发光稳定性也得到了改善,同时不同厚度的修饰层对器件性能的影响也有所不同。分析认为,ZnPc能有效改善ITO表面的平整度和降低空穴注入势垒的性质是提高器件性能的主要原因。; 李方馨孟庆蕾席曦钱维莹阙立志王振交季静佳丁玉强顾晓峰李果华

有机光电导电材料PEDOT-PSS薄膜制备工艺研究被引量：3: 2007年; PEDOT（聚乙撑二氧噻吩）是一种新型的有机导电材料，具有高电导率、好的环境稳定性、在掺杂状态是透明的等优点，这些优点使其在制备有机电致显示、有机太阳能电池等有机光电器件中得到广泛应用。研究了用旋涂方法制备PEDOT-PSS的工艺，考察了所得薄膜厚度、均匀性与溶液的浓度、基片旋转速度之间的关系，另外退火温度和时间对薄膜的均匀性也有很大影响，通过最小二乘法对数据进行拟合，得出PEDOT-PSS在1．3％（质量分数）的情况下薄膜厚度随转速的变化曲线和经验公式，利用AFM、椭偏仪等仪器研究旋涂工艺对PEDOT-PSS导电膜的厚度、粗糙度等性盾的影响。; 王振交杨辉席曦乔琦季静佳李果华; 关键词：旋涂退火 AFM 最小二乘法

有机太阳电池ITO电极质量衡量方法被引量：4: 2009年; 通过测量不同光刻条件下制作的ITO电极的方块电阻,提供了一种利用方块电阻测量值来衡量有机太阳电池ITO电极质量的方法。对于笔者所使用的ITO电极图案和ITO玻璃的规格,在指定点上测得方块电阻为7.0Ω/□时,电极质量较好。相比利用显微镜观察ITO电极质量的方法,该方法既简便又准确,可以提供一个对ITO电极质量的量化衡量标准。; 席曦王振交杨辉乔琦季静佳李果华; 关键词：ITO电极光刻方块电阻四探针

有机光电导电材料PEDOT-PSS薄膜制备工艺研究: PEDOT(聚乙撑二氧噻吩)是一种新型的有机导电材料,具有高电导率、好的环境稳定性、在掺杂状态是透明的等优点,这些优点使其在制备有机电致显示、有机太阳能电池等有机光电器件中得到广泛应用．研究了用旋涂方法制备 PEDOT-...; 王振交杨辉席曦乔琦季静佳李果华; 关键词：旋涂 PEDOT-PSS 退火 AFM 最小二乘法; 文献传递

多晶硅太阳电池双面钝化的研究: 降低多晶硅太阳电池背表面少子复合速率,提高少子寿命,采用了多晶硅太阳电池双面钝化结构.实验采用SiO2/SiNx 叠层膜作为双面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成背面局部接触.经过快速热处理,少子寿命有明显的提升.实验结果显...; 赵素香季静佳施正荣张松王振交李果华朱海东吴文娟陈如龙杨健张光春; 关键词：多晶硅太阳电池

有机太阳能电池ITO电极的光刻制备法及其研究: 2007年; 目前有机太阳能电池是光电行业研究的热点之一。通常该器件以ITO为阳极，通过真空蒸镀的方法制作。在对器件进行测试时，ITO电极的设计制作，有利于器件的保护。用光刻技术进行ITO电极的制作，可以得到非常精细的结果。重点阐述了利用光刻方法制作优良ITO电极的注意点，包括表面清洗、曝光控制、显影控制和腐蚀工艺，其中由于不同ITO玻璃的导电层厚度、各成分含量不同，所以腐蚀工艺的研究是重点中的重点。提供了对生成光刻ITO电极的质量进行准确评价的一种简便方法。; 席曦王振交杨辉乔琦季静佳陆红艳李果华; 关键词：ITO电极光刻方块电阻

电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究: 2014年; 近年来，P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定，N型太阳电池逐渐走向产业化。基于N^NP＋型铝背结单晶硅太阳电池，研究了电阻率为1～5．5Ωcm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别，可以有效的节省成本。通过选用不同电阻率的N型硅片，经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池，采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源I-V测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量。实验结果表明：虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高，但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异。; 贾琰王振交严慧敏张光春李果华; 关键词：电阻率少子寿命方块电阻电池性能

Direct-PECVD a-SiOx：H/a-SiNx：H叠层系统对多晶硅电池的钝化研究被引量：2: 2009年; 本文中应用全部PECVD工艺沉积a-SiOx:H、a-SiNx:H,和a-SiOx:H/a-SiNx:H叠层系统,比较了不同钝化膜对多晶硅太阳能电池发射极和背面钝化效果,应用FGA、RTP等热处理方法对钝化膜进行处理,重点讨论了FGA(Forming gas annealing)温度和时间的长短对钝化的影响。结果表明:低温FGA对只有单面钝化膜的硅片钝化效果不明显,而在800℃下FGA有明显作用,而且钝化效果随着时间的增加呈现出先增大后减小然后再增大的现象;退火后降温环境中是否有H和降温时间对钝化效果有很大的影响,但是对于双面膜无论FGA温度高低对钝化都有帮助,文中对上述现象做了合理的解释。最后利用双面叠层钝化膜经过FGA处理后得到的多晶硅片的少子寿命达到14.2μs,比镀膜之前的3.0μs提高了11.2μs,使多晶硅太阳能电池暗电压Voc达到630mV。; 王振交季静佳施正荣李果华; 关键词：PECVD FGA

PERC结构多晶硅太阳电池的研究被引量：10: 2012年; 高效、低成本是目前硅太阳电池追求的主要目标。多晶硅太阳电池成本低,但其电性能较差。背面钝化及局部背接触是提高多晶硅太阳电池电性能的主要技术。通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,依次经过背面开槽、丝网印刷、烧结形成背面局部接触,制备钝化发射极和背表面电池(PERC)结构多晶硅太阳电池。采用恒光源I-V特性测试系统测试其电性能,结果表明:较之常规铝背场多晶硅太阳电池,PERC结构电池在开路电压Voc、短路电流密度Jsc、转换效率η方面分别提高了13 mV、1.8 mA/cm2和0.67%(绝对值),其转换效率达到17.27%。PERC结构多晶硅电池采用了常规丝网印刷工艺,有利于实现高效多晶硅电池的产业化生产,具有很高的实际意义。; 赵素香张松王振交李果华季静佳; 关键词：多晶硅太阳电池 SIO2

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王振交