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王文军

作品数：74 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：北京市科技计划项目广东省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 47篇专利
  • 22篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 17篇理学
  • 10篇电子电信
  • 9篇一般工业技术
  • 6篇化学工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 25篇单晶
  • 20篇晶体
  • 18篇籽晶
  • 17篇碳化硅
  • 16篇石墨
  • 15篇坩埚
  • 12篇晶体生长
  • 9篇单晶生长
  • 9篇石墨烯
  • 9篇石墨坩埚
  • 6篇氮化
  • 6篇氮化铝
  • 6篇碳化硅单晶
  • 6篇激光
  • 6篇硅单晶
  • 6篇掺杂
  • 5篇液相
  • 5篇液相法
  • 5篇ALN
  • 4篇热导率

机构

  • 74篇中国科学院
  • 2篇松山湖材料实...
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇广东工业大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 74篇王文军
  • 70篇陈小龙
  • 28篇李辉
  • 18篇王刚
  • 13篇彭同华
  • 13篇鲍慧强
  • 12篇王皖燕
  • 12篇郭建刚
  • 12篇郭丽伟
  • 11篇左思斌
  • 9篇王军
  • 7篇姜良宝
  • 6篇贾玉萍
  • 6篇刘春俊
  • 5篇杨慧
  • 5篇金士锋
  • 5篇黄青松
  • 4篇李龙远
  • 4篇宋波
  • 4篇林菁菁

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇中国晶体学会...
  • 1篇中国科学院院...
  • 1篇第十届全国X...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 11篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2013
  • 10篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 8篇2009
  • 8篇2008
  • 3篇2004
  • 3篇2003
共 74 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
生长碳化硅单晶的方法
本发明提供一种生长碳化硅单晶的方法，其包括如下步骤：(1)将原料装配于用于碳化硅单晶生长的装置内；(2)将所述装置放置于单晶生长炉中感应线圈中；(3)然后，采用第一保护性气体进行洗炉，并控制生长炉的真空度；(4)然后，在...
陈小龙杨乃吉李辉王文军
用于制备3C-SiC单晶的方法
本发明提供了一种用于制备3C‑SiC单晶的方法，其包括以下步骤：(1)将SiC籽晶固定至石墨籽晶托，然后将所述石墨籽晶托固定至石墨提拉杆；(2)将含Si和Al的助熔剂置于石墨坩埚中；(3)然后，将所述石墨坩埚和石墨提拉杆...
陈小龙李辉王国宾盛达王文军郭建刚
一种硼掺杂石墨烯的制备方法
本发明提供一种硼掺杂石墨烯的制备方法，利用碳化硅高温热分解法制备石墨烯，其中所述碳化硅中掺杂有硼。本发明提供的制备方法简单、安全、可控，所制备的石墨烯结构完整性高，硼掺杂均匀性好。
陈小龙郭丽伟李治林芦伟贾玉萍陈莲莲郭钰王刚王文军
文献传递
用Li_3N和Ga生长块状GaN单晶的生长机制
用Li_3N和Ga作初始原料,在较温和的条件下(800℃,1～2atm),生长出了尺寸为1～4mm的无色透明六方GaN片状单晶。通过一系列的实验结果,揭示了该方法的晶体生长机制。得到的GaN的形貌用光学显微镜和扫描电子显...
王文军宋有庭袁文霞曹永革吴星陈小龙
关键词：GAN晶体生长
文献传递
物理气相传输法AlN单晶生长
III族氮化物(AlN、GaN、InN)半导体材料因GaN基LED的成功应用而受到广泛关注。目前制约III族氮化物半导体器件制备的一个因素是缺乏同质单晶衬底。因为大尺寸、高质量的GaN单晶生长研究进展缓慢,所以人们将目光...
王文军左思斌鲍慧强王刚王军陈小龙
文献传递
用于制备n型4H-SiC单晶的方法
本发明提供一种用于制备n型4H‑SiC单晶的方法，其依次包括以下步骤：(1)将含Si、Al和过渡金属的金属原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨籽晶杆上；(2)将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；...
陈小龙盛达杨云帆李辉王文军郭建刚
用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法
本发明提供一种用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法，其包括如下步骤：(1)通过SKPFM测定导电型碳化硅晶片的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面分别与导电针尖的接触电势差，获得第一表面的接触电势差和第二表面的接...
李辉陈小龙王国宾盛达王文军
一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托，该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性，抑制了晶体背面蒸...
陈小龙彭同华杨慧王文军倪代秦王皖燕
文献传递
SiC单晶中的微管检测
碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,具有较高的热导率、高的击穿场强、高的电子迁移率以及其稳定的化学性质,使得碳化硅在高频、高压和高温器件方面具有广阔的应用前景[1-2]。要实现SiC基器件的优异性能,高质量的SiC晶片是关...
徐春华王文军陈小龙
文献传递
碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统
本发明提供了一种碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统。生长方法包括：将碳化硅籽晶置于坩埚的底部；将原料块覆盖在碳化籽晶上；其中原料块包括硅元素和碳元素；将助熔剂装到原料块和坩埚内壁之间的区域；对坩埚进行加热，...
陈小龙王国宾郭建刚李辉王文军盛达
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