王文军
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置
- 本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。方法包括：在传统处理工...
- 高永亮惠峰王文军
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- 一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备
- 本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发生器...
- 高永亮惠峰王文军
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- MOCVD设备的石墨托盘
- 本发明公开了一种用于MOCVD设备的托盘，包括盘体(10)和覆盖于盘体的该上表面的托盖(20)，盘体(10)呈一扁圆柱形，其上表面为平整面。盘体可由石墨材料形成，上表面覆盖有一层碳化硅保护层托盖的上表面设置有凹槽，所述凹...
- 纪攀峰孔庆峰王文军胡强马平曾一平王军喜李晋闽
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- 一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备
- 本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发生器...
- 高永亮惠峰王文军
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- 6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
- 半绝缘砷化镓单晶材料具有半绝缘、迁移率高、工作温度高等突出的优点,用它研制和生产出的器件和电路工作频率高、噪声低、功耗低,在高频通信应用领域具有极大的优势,因此,它们不仅成为军工微波、毫米波通信的首选,而且,近几年已在民...
- 惠峰王文军高永亮王志宇
- 关键词：砷化镓单晶晶体生长
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- 蓝宝石图形衬底晶片及制备方法
- 一种蓝宝石图形衬底制备方法，包括如下步骤：步骤1：对蓝宝石切割片进行双面研磨，形成蓝宝石粗磨晶片；步骤2：对所述蓝宝石粗磨晶片进行单面精密研磨，形成蓝宝石精磨晶片；步骤3：在所述未经精抛的蓝宝石精磨晶片上直接形成刻蚀图形...
- 王文军郭金霞赵冀王莉伊晓燕王军喜李晋闽
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- 19Kg投料量LEC法Φ4 SI-GaAs单晶生长技术探讨
- 长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材...
- 王文军惠峰高永亮王志宇
- 关键词：投料量LEC法单晶生长GAAS材料半导体材料
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- 一种LED外延片的切裂方法
- 本发明提供了一种LED外延片的切裂方法。该方法包括：制备具有多颗管芯结构的方形或圆形LED外延片。对于圆形LED外延片，在其周边的四个对称位置切去四个弓形后分别切裂，或者将弓形部分丢弃。本发明简单可靠、易于实现，可保证管...
- 孔庆峰郭金霞纪攀峰马平王文军刘志强伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
- 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法
- 一种截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法，包括如下步骤：步骤1：在截面为多边形的晶棒上，选取一个平行于晶棒轴向的柱面作为表面取向标识的第一特征；步骤2：在具有第一特征的柱面上沿着晶棒轴向平行于棱边制做一个微型沟槽...
- 王文军李晋闽王军喜马平纪攀峰郭金霞孔庆峰胡强
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- 一种LED外延片的切裂方法
- 本发明提供了一种LED外延片的切裂方法。该方法包括：制备具有多颗管芯结构的方形或圆形LED外延片。对于圆形LED外延片，在其周边的四个对称位置切去四个弓形后分别切裂，或者将弓形部分丢弃。本发明简单可靠、易于实现，可保证管...
- 孔庆峰郭金霞纪攀峰马平王文军刘志强伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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