王晓晖
- 作品数：34 被引量：51H指数：5
- 供职机构：重庆大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法
- 本发明提供一种指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法，其结构自下而上由衬底、非故意掺杂的AlN缓冲层、p型指数掺杂GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的AlN缓冲层生长在衬底上；p型指数...
- 常本康李飙徐源王晓晖高频张俊举杜晓晴
- 文献传递
- 均匀掺杂和梯度掺杂结构GaN光电阴极性能对比研究被引量：1
- 2011年
- 高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素。针对均匀掺杂和梯度掺杂GaN光电阴极在结构上的不同,结合阴极在激活过程中光电流的变化规律和激活后的量子产额,分析了均匀掺杂和梯度掺杂负电子亲和势GaN光电阴极性能的异同。实验表明,与均匀掺杂结构阴极相比,梯度掺杂结构阴极在激活过程中光电流增速较慢,激活时间相对较长,激活成功后量子效率较高。采用场助光电阴极发射模型可以很好地解释二者间存在的差异,梯度掺杂结构中内建电场的存在增加了电子向阴极表面的漂移运动,提高了电子到达阴极表面的几率。
- 李飙常本康徐源杜晓晴杜玉杰付小倩王晓晖张俊举
- 关键词：负电子亲和势氮化镓梯度掺杂光电阴极量子效率
- GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较被引量：6
- 2010年
- 利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了稳定性测试,获得了Cs/O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应,通过计算得到量子效率曲线。结果表明:激活结束后GaN灵敏度可以在较长时间内保持稳定,而后缓慢衰减。而GaAs光电阴极的光电流随时间近似呈指数衰减。结合阴极表面双偶极层结构以及表面化学成分,分析原因主要是:两种阴极表面进行Cs/O激活后形成的双偶极子的结构不同、衰减过程中双偶极层化学成分变化方式不同决定。GaN光电阴极激活后Cs以复杂氧化物存在,更加稳定,灵敏度的衰减主要是由未分解的氧引起,而GaAs灵敏度下降的原因主要是表面双偶极层中的Cs极易脱附,影响其稳定性。
- 郭向阳常本康乔建良王晓晖
- 关键词：光电发射稳定性量子效率
- 发射层厚度对反射式GaN光电阴极性能的影响
- 通过求解一维少子稳态扩散方程,推导得到发射层厚度为Te的量子效率公式.在超高真空系统中对MOCVD生长的掺杂浓度为1.6×1017cm-3、3×1018cm-3和5×1017cm-3,发射层...
- 郝广辉常本康王晓晖付小倩陈鑫龙金睦淳鱼晓华郭婧
- 关键词：量子效率
- 论人才测评在人力资源管理中的重要意义
- 该论文以人力资源管理中的人才测评为研究对象,首先从理论上分析了人力资源管理中应用人才测评的必要性和可行性,然后结合有关案例,对人才测评在人力资源管理各环节的重要性作了进一步的阐述.试图揭示人才测评在人力资源管理中的重要意...
- 王晓晖
- 关键词：人才测评人力资源人力资源管理
- 文献传递
- 负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展被引量：1
- 2011年
- 结合国内和国外的最新研究成果,论述了目前在NEAGaN真空面电子源研究方面的现状.从光电发射理论、表面净化方法、阴极激活工艺、光谱响应测试以及材料本身特性等方面针对GaN真空电子源的研究取得了一定成绩:初步研究了NEAGaN电子源的光电发射机理;给出了可获得原子级清洁表面的净化方法;采用Cs或Cs/O对GaN材料进行了有效激活;测试了GaN真空电子源材料的光谱响应;探讨了影响电子源量子效率的材料特性.指出了下一步研究需要关注的内容.
- 乔建良常本康钱芸生高频王晓晖徐源
- 关键词：NEAGAN电子源光谱响应
- GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响被引量：1
- 2012年
- 针对GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响问题,应用玻尔兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法计算了GaN光电阴极的电子逸出几率,发现电子逸出几率主要由Ⅰ势垒决定,Ⅱ势垒对电子逸出几率的影响有限.利用自行研制的GaN光电阴极激活评估实验系统,测试了透射式GaN光电阴极样品的激活光电流.实验发现,Cs单独激活引起电子逸出几率的显著增加,而Cs单独充分激活后的Cs/O交替激活对电子逸出几率的影响有限.理论计算结果与激活光电流测试结果一致,其原因是Cs单独激活对降低真空能级的贡献远大于Cs/O共同激活.
- 杨永富富容国张益军王晓晖邹继军
- 关键词：GAN光电阴极表面势垒
- 梯度掺杂结构GaN光电阴极表面的净化被引量：1
- 2011年
- 对梯度掺杂结构GaN阴极表面进行了化学清洗,清洗后利用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了阴极表面,分析表明化学清洗能有效去除阴极表面的油脂和加工中残存的无机附着物;然后在超高真空室内710℃下对阴极进行了高温退火清洁,去除化学清洗后残留在阴极表面的C、O等吸附物,使阴极表面达到制备高性能负电子亲和势(NEA)光电阴极所需的原子级清洁程度。最后通过阴极激活实验加以验证,结果证实化学处理后热退火方法能有效净化梯度掺杂结构GaN阴极表面。
- 李飙徐源常本康杜晓睛王晓晖高频张俊举
- 关键词：光电子学梯度掺杂GAN光电阴极
- 梯度掺杂结构GaN光电阴极的激活工艺研究
- 2011年
- 利用自行研制的光电阴极多信息量测试评估系统,在线测试了梯度掺杂结构GaN光电阴极在激活过程中的光电流、Cs源电流和O源电流。根据激活后的阴极光谱响应曲线和量子产额曲线,分析了超高真空室真空度、激活前的阴极表面净化程度、激活中首次进Cs量、激活中的Cs/O比以及Cs/O源在激活中的供给方式等对阴极激活的影响,提出了梯度掺杂结构GaN光电阴极的优化激活工艺。
- 李飙徐源常本康王晓晖杜玉杰高频张俊举
- 关键词：梯度掺杂GAN光电阴极
- NEA GaN光电阴极发射机理与制备技术
- 常本康杜晓晴王晓晖乔建良杜玉杰富容国张俊举钱芸生付小倩李飙张益军
- 本项目属于电子信息学科领域，为解决真空紫外探测问题开展研究，具有重要的意义。项目得到了国家自然科学基金面上项目《NEA GaN光电发射机理及其制备技术研究》（项目编号：60871012）、国家自然科学青年基金项目《新型紫...
- 关键词：
- 关键词：光电阴极氮化镓紫外探测器
