王玉东
- 作品数：5 被引量：12H指数：1
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 制备PLT铁电薄膜的新技术—LSMCD
- LSMCD（Liquid Source Misted Chemical Deposition）技术是一种新型的制备铁电薄膜的技术,它继承了甩胶工艺的优点,同时又有效地解决了甩胶工艺的缺点,因而是一种较MOD和Sol-Ge...
- 王玉东
- 关键词：超声雾化铁电薄膜
- 文献传递
- LSMCD技术制备镧钛酸铅薄膜
- 2002年
- 详细介绍了采用 L SMCD技术制备了 PL T薄膜制备流程 ,并对薄膜的相结构做了分析。制备 PL T薄膜的最佳热处理工艺为预处理 3 0 0℃ ,保温 10分钟 ,然后退火至 60 0℃ ,保温
- 王玉东张之圣刘志刚
- LSMCD技术制备镧钛酸铅薄膜
- 详细介绍了采用LSMCD技术制备了PLT薄膜制备流程,并对薄膜的相结构做了分析.制备PLT薄膜的最佳热处理工艺为预处理300℃,保温10分钟,然后退火至600℃,保温1小时.
- 王玉东张之圣刘志刚
- 关键词：相结构
- 文献传递
- 采用MOD工艺制备PZT压电薄膜及其性能的研究
- 2000年
- 文中比较详细地研究了采用金属有机化合物热分解 (MOD)法制备锆钛酸铅Pb(Zr0 52Ti0 4 8)O3铁电薄膜的工艺及PZT薄膜的介电性能。利用XRD分析了薄膜的结晶过程 ,制得具有钙钛矿结构的PZT薄膜 ,铂电极有利于钙钛矿相形成。薄膜的介电温谱研究结果表明 :薄膜的居里温度约为 43 0℃ (1kHz)。
- 张之圣王玉东刘如净
- 关键词：金属有机化合物锆钛酸铅铁电薄膜
- InSb磁阻元件的特性及无接触旋转传感器被引量：11
- 1999年
- 介绍了半导体材料的霍尔效应及磁阻效应，讨论了磁阻元件的特性，找到了ＩｎＳｂ 磁阻特性曲线的拐点，提出旋转传感器的工作原理与结构设计，研制这种传感器的关键在于桥式电路的设计．
- 张之圣白花珍陈金亭陈智勇王玉东
- 关键词：磁阻元件旋转传感器半导体锑化铟
