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王立敏

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会基础研究重点项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇核科学技术

主题

  • 3篇电子迁移率
  • 3篇太赫兹
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇赫兹
  • 3篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 1篇导纳
  • 1篇电流
  • 1篇电流特性
  • 1篇晶体管结构
  • 1篇HEMT
  • 1篇磁场
  • 1篇磁场作用
  • 1篇TERAHE...

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇王立敏
  • 1篇曹俊诚

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 3篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于高电子迁移率晶体管结构的太赫兹探测器
太赫兹(THz)技术是近年来的一个研究热点，可广泛应用于工业、军事以及生物等领域。THz探测器是THz技术应用的关键器件之一。利用深亚微米场效应管中等离子波的激发有可能制造出新的固态THz探测器。本学位论文主要研究了基于...
王立敏
高电子迁移率晶体管太赫兹探测器特性
2008年
计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系。结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且高度有所上升。这些研究在太赫兹等离子探测器的设计上有着重要的作用。
王立敏
关键词：HEMTTERAHERTZ导纳
外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性被引量：1
2008年
外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐.
王立敏曹俊诚
关键词：高电子迁移率晶体管磁场
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